真空鍍膜：眾所周知，在某些材料的表面上,，只要鍍上一層薄膜,，就能使材料具有許多新的、良好的物理和化學性能,。20世紀70年代,，在物體表面上鍍膜的方法主要有電鍍法和化學鍍法。前者是通過通電,，使電解液電解,，被電解的離子鍍到作為另一個電極的基體表面上，因此這種鍍膜的條件,，基體必須是電的良導體,，而且薄膜厚度也難以控制。后者是采用化學還原法,，必須把膜材配制成溶液,，并能迅速參加還原反應，這種鍍膜方法不僅薄膜的結合強度差,，而且鍍膜既不均勻也不易控制,，同時還會產(chǎn)生大量的廢液，造成嚴重的污染,。因此,，這兩種被人們稱之為濕式鍍膜法的鍍膜工藝受到了很大的限制。真空鍍膜所采用的方法主要有蒸發(fā)鍍,、濺射鍍,、離子鍍、束流沉積鍍以及分子束外延等,。重慶真空鍍膜工藝

真空鍍膜：技術原理：PVD(PhysicalVaporDeposition)即物理的氣相沉積,，分為：真空蒸發(fā)鍍膜,、真空濺射鍍膜和真空離子鍍膜。我們通常所說的PVD鍍膜,，指的就是真空離子鍍膜和真空濺射鍍,；通常說的NCVM鍍膜，就是指真空蒸發(fā)鍍膜,。真空蒸鍍基本原理：在真空條件下,，使金屬、金屬合金等蒸發(fā),，然后沉積在基體表面上,，蒸發(fā)的方法常用電阻加熱，電子束轟擊鍍料,，使蒸發(fā)成氣相,，然后沉積在基體表面，歷史上,，真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術,。深圳真空鍍膜技術真空蒸鍍是真空鍍膜技術的一種。

真空鍍膜：真空濺射法：真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀,。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術的發(fā)展,，濺射鍍膜技術飛速發(fā)展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨到之處,。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產(chǎn)生的等離子體在電場的作用下,，對陰極靶材料表面進行轟擊，把靶材料表面的分子,、原子,、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能,，沿一定的方法射向基體表面,，在基體表面形成鍍層。特點為：鍍膜層與基材的結合力強,；鍍膜層致密,、均勻；設備簡單,，操作方便,，容易控制。主要的濺射方法有直流濺射,、射頻濺射,、磁控濺射等。目前應用較多的是磁控濺射法。

等離子體化學氣相沉積法,，利用了等離子體的活性來促進反應,，使化學反應能在較低的溫度下進行。優(yōu)點是：反應溫度降低,，沉積速率較快,，成膜質量好，不容易破裂,。缺點是：設備投資大,、對氣管有特殊要求。PECVD,，等離子體化學氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,，使局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強,，兩種或多種氣體很容易發(fā)生反應,，在襯底上沉積出所期待的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行,，利用了等離子體的活性來促進反應,，因此,，這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積,。各種真空鍍膜技術都需要一個特定的真空環(huán)境。

電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W）,、鉬（Mo）等高熔點材料,，跟常規(guī)金屬蒸鍍，蒸鍍方式需有所蓋上,。根據(jù)之前的鍍膜經(jīng)驗,，需要在坩堝的結構上做一定的改進。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中,，因為水冷坩堝導熱過快,，材料難以達到其蒸發(fā)的溫度。經(jīng)過實驗的驗證,，蒸發(fā)高熔點的材料可以采用材料薄片來蒸鍍,，如將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，材料只能通過坩堝邊沿來導熱,，減緩散熱速率,，有利于達到蒸發(fā)的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜,。真空鍍膜機真空壓鑄鈦鑄件的方法與標準的壓鑄工藝一樣,。四川真空鍍膜公司

真空鍍膜中真空濺射法是物理的氣相沉積法中的后起之秀。重慶真空鍍膜工藝

真空鍍膜：離子鍍特點：離子鍍是物理的氣相沉積方法中應用較普遍的一種鍍膜工藝,。離子鍍的基本特點是采用某種方法（如電子束蒸發(fā)磁控濺射,，或多弧蒸發(fā)離化等）使中性粒子電離成離子和電子,，在基體上必須施加負偏壓，從而使離子對基體產(chǎn)生轟擊,，適當降低負偏壓后使離子進而沉積于基體成膜,，適用于高速鋼工具，熱鍛模等材料的表面處理過程,。離子鍍的優(yōu)點如下：膜層和基體結合力強,，反應溫度低。膜層均勻,，致密,。在負偏壓作用下繞鍍性好。無污染,。多種基體材料均適合于離子鍍,。重慶真空鍍膜工藝