電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù)是一種制備高純物質(zhì)薄膜的主要方法,，在電子束加熱裝置中,，被加熱的物質(zhì)被放置于水冷的坩堝中電子束只轟擊到其中很少的一部分物質(zhì),，而其余的大部分物質(zhì)在坩堝的冷卻作用下一直處于很低的溫度,，即后者實際上變成了被蒸發(fā)物質(zhì)的坩堝,。因此,，電子束蒸發(fā)沉積方法可以做到避免坩堝材料的污染,。在同一蒸發(fā)沉積裝置中可以安置多個坩堝，這使得人們可以同時或分別蒸發(fā)和沉積多種不同的物質(zhì)?，F(xiàn)今主流的電子束蒸發(fā)設(shè)備中對鍍膜質(zhì)量起關(guān)鍵作用的是電子槍和離子源,。真空鍍膜是在真空室內(nèi)材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。平頂山新型真空鍍膜

真空鍍膜：真空涂層技術(shù)的發(fā)展：真空涂層技術(shù)起步時間不長,，國際上在上世紀六十年代才出現(xiàn)將CVD（化學氣相沉積）技術(shù)應(yīng)用于硬質(zhì)合金刀具上。由于該技術(shù)需在高溫下進行（工藝溫度高于1000oC）,，涂層種類單一,，局限性很大，起初并未得到推廣,。到了上世紀七十年代末,，開始出現(xiàn)PVD（物理的氣相沉積）技術(shù)，之后在短短的二,、三十年間PVD涂層技術(shù)得到迅猛發(fā)展,，究其原因：其在真空密封的腔體內(nèi)成膜，幾乎無任何環(huán)境污染問題,，有利于環(huán)保,；其能得到光亮、華貴的表面,，在顏色上,，成熟的有七彩色、銀色,、透明色,、金黃色、黑色,、以及由金黃色到黑色之間的任何一種顏色,，能夠滿足裝飾性的各種需要；可以輕松得到其他方法難以獲得的高硬度,、高耐磨性的陶瓷涂層,、復(fù)合涂層，應(yīng)用在工裝,、模具上面,，可以使壽命成倍提高，較好地實現(xiàn)了低成本,、收益的效果,；此外，PVD涂層技術(shù)具有低溫、高能兩個特點,，幾乎可以在任何基材上成膜,，因此，應(yīng)用范圍十分廣闊,，其發(fā)展神速也就不足為奇,。鹽城UV光固化真空鍍膜真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個重要方面。

常用的薄膜制備方式主要有兩種,，其中一種是物理法氣相沉積（PVD）,，PVD的方法有磁控濺射鍍膜、電子束蒸發(fā)鍍膜,、熱阻蒸發(fā)等,。另一種是化學法氣相沉積（CVD），主要有常壓CVD,、LPCVD（低壓沉積法）,、PECVD（等離子體增強沉積法）等方法。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學清洗（材料進行有機清洗和無機清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應(yīng)氣體）,。

PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離子增強化學氣相沉積,，等離子體是物質(zhì)分子熱運動加劇，相互間的碰撞會導致氣體分子產(chǎn)生電離,，物質(zhì)就會變成自由運動并由相互作用的正離子,、電子和中性粒子組成的混合物。使用等離子體增強氣相沉積法（PECVD）可在低溫（200-350℃）沉積出良好的氧化硅薄膜,，已被廣泛應(yīng)用于半導體器件工藝當中,。在LED工藝當中，因為PECVD生長出的氧化硅薄膜具有結(jié)構(gòu)致密,，介電強度高,、硬度大等優(yōu)點，而且氧化硅薄膜對可見光波段吸收系數(shù)很小,，所以氧化硅被用于芯片的絕緣層和鈍化層,。真空鍍膜中離子鍍的鍍層組織致密、無小孔,、無氣泡,、厚度均勻。

真空鍍膜：真空蒸鍍是在真空條件下,，將鍍料靶材加熱并蒸發(fā),，使大量的原子、分子氣化并離開液體鍍料或離開固體鍍料表面（或升華）,，并較終沉積在基體表面上的技術(shù),。在整個過程中，氣態(tài)的原子、分子在真空中會經(jīng)過很少的碰撞而直接遷移到基體,，并沉積在基體表面形成薄膜,。蒸發(fā)的方法包括電阻加熱，高頻感應(yīng)加熱,，電子束,、激光束、離子束高能轟擊鍍料等,。真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術(shù),。將鍍料加熱到蒸發(fā)溫度并使之氣化，這種加熱裝置稱為蒸發(fā)源,。較常用的蒸發(fā)源是電阻蒸發(fā)源和電子束蒸發(fā)源,，特殊用途的蒸發(fā)源有高頻感應(yīng)加熱、電弧加熱,、輻射加熱、激光加熱蒸發(fā)源等,。真空鍍膜機大功率脈沖磁控濺射技術(shù)的脈沖峰值功率是普通磁控濺射的100倍,，在1000~3000W/cm2范圍。清遠真空鍍膜儀

真空鍍膜是在真空室內(nèi)把材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上,。平頂山新型真空鍍膜

原子層沉積技術(shù)和其他薄膜制備技術(shù),。與傳統(tǒng)的薄膜制備技術(shù)相比，原子層沉積技術(shù)優(yōu)勢明顯,。傳統(tǒng)的溶液化學方法以及濺射或蒸鍍等物理方法（PVD）由于缺乏表面控制性或存在濺射陰影區(qū),，不適于在三維復(fù)雜結(jié)構(gòu)襯底表面進行沉積制膜?；瘜W氣相沉積（CVD）方法需對前驅(qū)體擴散以及反應(yīng)室溫度均勻性嚴格控制,，難以滿足薄膜均勻性和薄厚精確控制的要求。相比之下,，原子層沉積技術(shù)基于表面自限制,、自飽和吸附反應(yīng)，具有表面控制性,，所制備薄膜具有優(yōu)異的三維共形性,、大面積的均勻性等特點，適應(yīng)于復(fù)雜高深寬比襯底表面沉積制膜,，同時還能保證精確的亞單層膜厚控制,。因此,，原子層沉積技術(shù)在微電子,、能源、信息等領(lǐng)域得到應(yīng)用。平頂山新型真空鍍膜