電子束蒸發(fā)可以蒸發(fā)高熔點材料，比一般電阻加熱蒸發(fā)熱效率高,、 束流密度大,、蒸發(fā)速度快，制成的薄膜純度高,、質(zhì)量好,，通過晶振控制，厚度可以較準確地控制,，可以廣泛應(yīng)用于制備高純薄膜和各種光學(xué)材料薄膜,。電子束蒸發(fā)的金屬粒子只能考自身能量附著在襯底表面，臺階覆蓋性比較差,，如果需要追求臺階覆蓋性和薄膜粘附力,，建議使用磁控濺射。在蒸發(fā)溫度以上進行蒸發(fā)試,，蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化,。因此,，在鍍膜過程中，想要控制蒸發(fā)速率,，必須精確控制蒸發(fā)源的溫度,，加熱時應(yīng)盡量避免產(chǎn)生過大的溫度梯度。蒸發(fā)速率正比于材料的飽和蒸氣壓,，溫度變化10%左右,，飽和蒸氣壓就要變化一個數(shù)量級左右。真空鍍膜在所有被鍍材料中,，以塑料較為常見,。天津真空鍍膜涂料

常用的薄膜制備方式主要有兩種，其中一種是物理法氣相沉積（PVD）,，PVD的方法有磁控濺射鍍膜,、電子束蒸發(fā)鍍膜、熱阻蒸發(fā)等,。另一種是化學(xué)法氣相沉積（CVD）,，主要有常壓CVD、LPCVD（低壓沉積法）,、PECVD（等離子體增強沉積法）等方法,。真空鍍膜的工藝流程：真空鍍膜的工藝流程一般依次為：前處理及化學(xué)清洗（材料進行有機清洗和無機清洗）→襯底真空中烘烤加熱→等離子體清洗→金屬離子轟擊→鍍金屬過渡層→鍍膜（通入反應(yīng)氣體）。天津真空鍍膜涂料真空鍍膜技術(shù)有真空濺射鍍膜,。

通過PVD制備的薄膜通常存在應(yīng)力問題,，不同材料與襯底間可能存在壓應(yīng)力或張應(yīng)力，在多層膜結(jié)構(gòu)中可能同時存在多種形式的應(yīng)力,。薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長過程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性(雜質(zhì),、空位、晶粒邊界,、錯位等),、表面能態(tài)的存在、薄膜與基底界面間的晶格錯配等.對于薄膜應(yīng)力主要有以下原因：1.薄膜生長初始階段,，薄膜面和界面的表面張力的共同作用,；2.沉積過程中膜面溫度遠高于襯底溫度產(chǎn)生熱應(yīng)變；3.薄膜和襯底間點陣錯配而產(chǎn)生界面應(yīng)力,；4.金屬膜氧化后氧化物原子體積增大產(chǎn)生壓應(yīng)力,；5.斜入射造成各向異性成核、生長,；6.薄膜內(nèi)產(chǎn)生相變或化學(xué)組分改變導(dǎo)致原子體積變化

磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場的作用下,，在飛向襯底過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向襯底,，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶,，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射,。在濺射粒子中,，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用,，被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),，以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材,，從而實現(xiàn)了高的沉積速率,。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡,，逐漸遠離靶表面,，并在電場的作用下沉積在襯底上。由于該電子的能量很低,，傳遞給襯底的能量很小,，致使襯底溫升較低。真空鍍膜機真空壓鑄是一項可供鈦鑄件生產(chǎn)廠選用,，真空鍍膜機能提高鑄件質(zhì)量,，降低成本的技術(shù)。

所謂的原子層沉積技術(shù),，是指通過將氣相前驅(qū)體交替脈沖通入反應(yīng)室并在沉積基體表面發(fā)生氣固相化學(xué)吸附反應(yīng)形成薄膜的一種方法,。原子層沉積（ALD）是一種在氣相中使用連續(xù)化學(xué)反應(yīng)的薄膜形成技術(shù)?；瘜W(xué)氣相沉積：1個是分類的（CVD的化學(xué)氣相沉積）,。在許多情況下，ALD是使用兩種稱為前體的化學(xué)物質(zhì)執(zhí)行的,。每種前體以連續(xù)和自我控制的方式與物體表面反應(yīng),。通過依次重復(fù)對每個前體的曝光來逐漸形成薄膜。ALD是半導(dǎo)體器件制造中的重要過程,，部分設(shè)備也可用于納米材料合成。真空濺射是徹底的環(huán)保制程,，一定環(huán)保無污染,。上海真空鍍膜

真空濺鍍可根據(jù)基材和靶材的特性直接濺射不用涂底漆。天津真空鍍膜涂料

電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W）,、鉬（Mo）等高熔點材料,，跟常規(guī)金屬蒸鍍，蒸鍍方式需有所蓋上。根據(jù)之前的鍍膜經(jīng)驗,，需要在坩堝的結(jié)構(gòu)上做一定的改進,。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中，因為水冷坩堝導(dǎo)熱過快,，材料難以達到其蒸發(fā)的溫度,。經(jīng)過實驗的驗證，蒸發(fā)高熔點的材料可以采用材料薄片來蒸鍍,，如將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿,，材料只能通過坩堝邊沿來導(dǎo)熱，減緩散熱速率,，有利于達到蒸發(fā)的熔點,。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。天津真空鍍膜涂料