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西安真空鍍膜儀

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-04-20

真空鍍膜技術(shù)一般分為兩大類(lèi),,即物理的氣相沉積(PVD)技術(shù)和化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)。物理的氣相沉積技術(shù)是指在真空條件下,,利用各種物理方法,,將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子,,直接沉積到基體表面上的方法,。制備硬質(zhì)反應(yīng)膜大多以物理的氣相沉積方法制得,,它利用某種物理過(guò)程,如物質(zhì)的熱蒸發(fā),,或受到離子轟擊時(shí)物質(zhì)表面原子的濺射等現(xiàn)象,,實(shí)現(xiàn)物質(zhì)原子從源物質(zhì)到薄膜的可控轉(zhuǎn)移過(guò)程。物理的氣相沉積技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好,、薄膜均勻致密,、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍,、濺射范圍寬,、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點(diǎn),。真空鍍膜在鋼材,、鎳、鈾,、金剛石表面鍍鈦金屬薄膜,提高了鋼材,、鈾、金剛石等材料的耐腐蝕性能,。西安真空鍍膜儀

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磁控濺射的工作原理是指電子在外加電場(chǎng)的作用下,,在飛向襯底過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞,使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子,;新電子飛向襯底,,Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶,并以高能量轟擊靶表面,,使靶材發(fā)生濺射,。在濺射粒子中,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜,,而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用,,被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi),以近似擺線(xiàn)形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng),,并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來(lái)轟擊靶材,,從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加,,二次電子的能量消耗殆盡,,逐漸遠(yuǎn)離靶表面,并在電場(chǎng)的作用下沉積在襯底上,。由于該電子的能量很低,,傳遞給襯底的能量很小,致使襯底溫升較低,。山東真空鍍膜加工真空鍍膜機(jī)的優(yōu)點(diǎn):可以通過(guò)涂料處理形成彩色膜,,其裝潢效果是鋁箔所不及的。

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真空鍍膜的方法很多,,計(jì)有:真空蒸鍍:將需鍍膜的基體清洗后放到鍍膜室,,抽空后將膜料加熱到高溫,使蒸氣達(dá)到約13,。3Pa而使蒸氣分子飛到基體表面,,凝結(jié)而成薄膜。陰極濺射鍍:將需鍍膜的基體放在陰極對(duì)面,,把惰性氣體(如氬)通入已抽空的室內(nèi),,保持壓強(qiáng)約1。33~13,。3Pa,,然后將陰極接上2000V的直流電源,便激發(fā)輝光放電,,帶正電的氬離子撞擊陰極,,使其射出原子,濺射出的原子通過(guò)惰性氣氛沉積到基體上形成膜,?;瘜W(xué)氣相沉積:通過(guò)熱分解所選定的金屬化合物或有機(jī)化合物,獲得沉積薄膜的過(guò)程,。離子鍍:實(shí)質(zhì)上離子鍍系真空蒸鍍和陰極濺射鍍的有機(jī)結(jié)合,,兼有兩者的工藝特點(diǎn)。

真空鍍膜的方法:離子鍍:在機(jī)加工刀具方面,鍍制的TiN,、TiC以其硬度高,、耐磨性好,不粘刀等特性,使得刀具的使用壽命可提高3~10倍,生產(chǎn)效率也提高。在固體潤(rùn)滑膜方面,Z新研制的多相納米復(fù)合膜TiN-MoS2/Ti及TiN-MoS2/WSe2,這類(lèi)薄膜具有摩擦系數(shù)低,摩擦噪聲小,抗潮濕氧化能力較高,高低溫性能好,抗粉塵磨損能力較強(qiáng)及磨損壽命較長(zhǎng)等特點(diǎn),被普遍運(yùn)用于車(chē)輛零部件上,。與此同時(shí),離子鍍鈦也在航空航天,光學(xué)器件等領(lǐng)域應(yīng)用普遍,收效顯著,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。真空鍍膜中離子鍍簡(jiǎn)化可以大量的鍍前清洗工作,。

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真空鍍膜的方法:真空蒸鍍法:電子束蒸發(fā)源利用燈絲發(fā)射的熱電子,經(jīng)加速陽(yáng)極加速,獲得動(dòng)能轟擊處于陽(yáng)極的蒸發(fā)材料,是蒸發(fā)材料加熱氣化,實(shí)現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜,。這種技術(shù)相對(duì)于蒸發(fā)鍍膜,可以制作高熔點(diǎn)和高純的薄膜,是高真空鍍鈦膜技術(shù)中是一種新穎的蒸鍍材料的熱源。高頻感應(yīng)蒸發(fā)源是利用蒸發(fā)材料在高頻電磁場(chǎng)的感應(yīng)下產(chǎn)生強(qiáng)大的渦流損失和磁滯損失,從而將鍍料金屬蒸發(fā)的蒸鍍技術(shù),。這種技術(shù)比電子束蒸發(fā)源蒸發(fā)速率更大,且蒸發(fā)源的溫度均勻穩(wěn)定,。真空鍍膜在所有被鍍材料中,以塑料較為常見(jiàn),。徐州UV光固化真空鍍膜

真空鍍膜有離子鍍形式,。西安真空鍍膜儀

真空鍍膜:等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積:在沉積室利用輝光放電使其電離后在襯底上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)沉積的半導(dǎo)體薄膜材料制備和其他材料薄膜的制備方法。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是:在化學(xué)氣相沉積中,,激發(fā)氣體,,使其產(chǎn)生低溫等離子體,,增強(qiáng)反應(yīng)物質(zhì)的化學(xué)活性,從而進(jìn)行外延的一種方法,。該方法可在較低溫度下形成固體膜,。例如在一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)將基體材料置于陰極上,通入反應(yīng)氣體至較低氣壓(1~600Pa),,基體保持一定溫度,,以某種方式產(chǎn)生輝光放電,基體表面附近氣體電離,,反應(yīng)氣體得到活化,,同時(shí)基體表面產(chǎn)生陰極濺射,從而提高了表面活性,。在表面上不僅存在著通常的熱化學(xué)反應(yīng),,還存在著復(fù)雜的等離子體化學(xué)反應(yīng)。沉積膜就是在這兩種化學(xué)反應(yīng)的共同作用下形成的,。激發(fā)輝光放電的方法主要有:射頻激發(fā),,直流高壓激發(fā),脈沖激發(fā)和微波激發(fā),。西安真空鍍膜儀