真空鍍膜：磁控濺射法：濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡(jiǎn)單的直流二極濺射,，它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡(jiǎn)單,，但是直流二極濺射沉積速率低；為了保持自持放電,，不能在低氣壓(<0,。1Pa)下進(jìn)行；不能濺射絕緣材料等缺點(diǎn)限制了其應(yīng)用,。磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái),，在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng)，解決了二極濺射沉積速率低,，等離子體離化率低等問(wèn)題,，成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn)：可制備成靶的材料廣,，幾乎所有金屬,，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,，可沉積配比精確恒定的合金,；在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體,，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜,；通過(guò)精確地控制濺射鍍膜過(guò)程,，容易獲得均勻的高精度的膜厚；通過(guò)離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài),，濺射靶的安裝不受限制,，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì)；濺射鍍膜速度快,，膜層致密，附著性好等特點(diǎn),，很適合于大批量,，高效率工業(yè)生產(chǎn)。近年來(lái)磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快,，具有代表性的方法有射頻濺射,、反應(yīng)磁控濺射、非平衡磁控濺射,、脈沖磁控濺射,、高速濺射等。膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時(shí)間(或決定于裝料量),，并與源和基片的距離有關(guān),。南充鈦金真空鍍膜

真空鍍膜：真空蒸發(fā)鍍膜法：真空蒸發(fā)法的原理是：在真空條件下，用蒸發(fā)源加熱蒸發(fā)材料,，使之蒸發(fā)或升華進(jìn)入氣相,，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結(jié)晶形成固態(tài)薄膜；由于環(huán)境是真空,，因此,，無(wú)論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發(fā)要比常壓下容易得多,。真空蒸發(fā)鍍膜是發(fā)展較早的鍍膜技術(shù),，其特點(diǎn)是：設(shè)備相對(duì)簡(jiǎn)單，沉積速率快,，膜層純度高,，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣，鍍膜過(guò)程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化,，應(yīng)用相當(dāng)普遍,。按蒸發(fā)源的不同，主要分為：電阻加熱蒸發(fā),、電子束蒸發(fā),、電弧蒸發(fā)和激光蒸發(fā)等。佛山新型真空鍍膜真空鍍膜中離子鍍的鍍層厚度均勻,。

真空鍍膜：離子鍍膜法：離子鍍膜技術(shù)是在真空條件下,，應(yīng)用氣體放電實(shí)現(xiàn)鍍膜的,，即在真空室中使氣體或蒸發(fā)物質(zhì)電離，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子的轟擊下,、同時(shí)將蒸發(fā)物或其反應(yīng)產(chǎn)物蒸鍍?cè)诨?。根?jù)不同膜材的氣化方式和離化方式可分為不同類型的離子鍍膜方式。膜材的氣化方式有電阻加熱,、電子束加熱,、等離子電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱,、陰極弧光放電加熱等,。氣體分子或原子的離化和啟動(dòng)方式有：輝光放電型、電子束型,、熱電子型,、等離子電子束型、多弧型及高真空電弧放電型,，以及各種形式的離子源等,。不同的蒸發(fā)源與不同的電離或激發(fā)方式可以有多種不同的組合。目前比較常用的組合方式有：

真空鍍膜：反應(yīng)磁控濺射法：制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理的氣相沉積方法,。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來(lái)看,，物理的氣相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì)，因而被普遍應(yīng)用,，這是因?yàn)椋悍磻?yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧,、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度,，因而有利于制備高純度的化合物薄膜,。反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜,，從而達(dá)到通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的,。真空鍍膜鍍層繞鍍能力強(qiáng)。

真空鍍膜：電阻加熱蒸發(fā)法：電阻加熱蒸發(fā)法就是采用鎢,、鉬等高熔點(diǎn)金屬,，做成適當(dāng)形狀的蒸發(fā)源，其上裝入待蒸發(fā)材料,，讓電流通過(guò),，對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行直接加熱蒸發(fā)，或者把待蒸發(fā)材料放入坩鍋中進(jìn)行間接加熱蒸發(fā),。利用電阻加熱器加熱蒸發(fā)的鍍膜設(shè)備構(gòu)造簡(jiǎn)單,、造價(jià)便宜、使用可靠,，可用于熔點(diǎn)不太高的材料的蒸發(fā)鍍膜,，尤其適用于對(duì)膜層質(zhì)量要求不太高的大批量的生產(chǎn)中,。目前在鍍鋁制品的生產(chǎn)中仍然大量使用著電阻加熱蒸發(fā)的工藝。電阻加熱方式的缺點(diǎn)是：加熱所能達(dá)到的較高溫度有限,，加熱器的壽命也較短,。近年來(lái)，為了提高加熱器的壽命,，國(guó)內(nèi)外已采用壽命較長(zhǎng)的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器,。真空鍍膜的操作規(guī)程：鍍制多層介質(zhì)膜的鍍膜間，應(yīng)安裝通風(fēng)吸塵裝置,，及時(shí)排除有害粉塵,。江門真空鍍膜廠

真空鍍膜機(jī)壓鑄技術(shù)用于生產(chǎn)鋁、鎂,、鋅、銅基合金鑄件,，在機(jī)械制造行業(yè)應(yīng)用已有多年的歷史,。南充鈦金真空鍍膜

磁控濺射可改變工作氣體與氬氣比例從而進(jìn)行反應(yīng)濺射，例如使用Si靶材,，通入一定比例的N2,，氬氣作為工作氣體，而氮?dú)庾鳛榉磻?yīng)氣體,，反應(yīng)能得到SiNx薄膜,。通入氧氣與氮?dú)鈴亩@得各種材料的氧化物與氮化物薄膜，通過(guò)改變反應(yīng)氣體與工作氣體的比例也能對(duì)濺射速率進(jìn)行調(diào)整,，薄膜內(nèi)組分也能相應(yīng)調(diào)整,。但反應(yīng)氣體過(guò)量時(shí)可能會(huì)造成靶中毒。解決靶中毒主要有以下幾種方法;1.使用射頻電源進(jìn)行濺射,；2.采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體通入流量,；3.使用孿生靶交替濺射；4.控制鍍膜模式的變換：在鍍膜前,，采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線,，使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿，確保工藝過(guò)程始終處于沉積速率陡降前的模式,。南充鈦金真空鍍膜