刻蝕工藝是：把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去,，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過程中,，經過掩模套準,、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復印出所需的圖形,，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產生圖形,，然后把此圖形精確地轉移到抗蝕劑下面的介質薄膜（如氧化硅、氮化硅,、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去,，制造出所需的薄層圖案?？涛g就是用化學的,、物理的或同時使用化學和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去,，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形,。刻蝕技術主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕,。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕,；濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學反應進行刻蝕。在工藝中可能會對一個薄膜層或多個薄膜層執(zhí)行特定的刻蝕步驟,?？涛g技術可以實現對材料的高精度加工,，從而制造出具有高性能的微納器件,。深圳南山刻蝕技術

在半導體制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是把硅片表面曝露于氣態(tài)中產生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開出的窗口,，與硅片發(fā)生物理或化學反應（或這兩種反應）,，從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的較重要方法,。而在濕法腐蝕中,，液體化學試劑（如酸、堿和溶劑等）以化學方式去除硅片表面的材料,。濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下（大于3微米）,。濕法腐蝕仍然用來腐蝕硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。氧化硅材料刻蝕加工平臺刻蝕技術可以用于制造光子晶體和納米光學器件等光學器件,。

材料刻蝕是一種常見的加工方法,，可以用于制造微電子器件、光學元件,、MEMS器件等,。材料刻蝕的影響因素包括以下幾個方面：1.刻蝕劑：刻蝕劑是影響刻蝕過程的關鍵因素之一。不同的刻蝕劑對不同的材料具有不同的刻蝕速率和選擇性,。例如,，氧化鋁可以使用氫氟酸作為刻蝕劑，而硅可以使用氫氧化鉀或氫氟酸等作為刻蝕劑,。2.溫度：刻蝕過程中的溫度也會影響刻蝕速率和選擇性,。通常情況下，刻蝕劑的刻蝕速率會隨著溫度的升高而增加,。但是,，過高的溫度可能會導致刻蝕劑的揮發(fā)和材料的熱膨脹，從而影響刻蝕的質量和精度,。3.濃度：刻蝕劑的濃度也會影響刻蝕速率和選擇性,。一般來說，刻蝕劑的濃度越高,，刻蝕速率越快,。但是，過高的濃度可能會導致刻蝕劑的飽和和材料的過度刻蝕,。4.氣壓：刻蝕過程中的氣壓也會影響刻蝕速率和選擇性,。通常情況下，氣壓越低,，刻蝕速率越慢,。但是，過低的氣壓可能會導致刻蝕劑的揮發(fā)和材料的表面粗糙度增加,。5.時間：刻蝕時間是影響刻蝕深度和刻蝕質量的重要因素,?？涛g時間過長可能會導致材料的過度刻蝕和表面粗糙度增加。

二氧化硅的干法刻蝕方法：刻蝕原理氧化物的等離子體刻蝕工藝大多采用含有氟碳化合物的氣體進行刻蝕,。使用的氣體有四氟化碳(CF),、八氟丙烷(C，F8),、三氟甲烷(CHF3)等,，常用的是CF和CHFCF的刻蝕速率比較高但對多晶硅的選擇比不好，CHF3的聚合物生產速率較高,，非等離子體狀態(tài)下的氟碳化合物化學穩(wěn)定性較高,，且其化學鍵比SiF的化學鍵強，不會與硅或硅的氧化物反應,。選擇比的改變在當今半導體工藝中,，Si02的干法刻蝕主要用于接觸孔與金屬間介電層連接洞的非等向性刻蝕方面。前者在S102下方的材料是Si,，后者則是金屬層,，通常是TiN（氮化鈦），因此在Si02的刻蝕中,，Si07與Si或TiN的刻蝕選擇比是一個比較重要的因素,。刻蝕技術可以通過選擇不同的刻蝕模式和掩模來實現不同的刻蝕形貌和結構,。

    溫度越高刻蝕效率越高,，但是溫度過高工藝方面波動較大，只要通過設備自帶溫控器和點檢確認,?？涛g流片的速度與刻蝕速率密切相關噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢，流量控制可保證基板表面藥液濃度均勻,。過刻量即測蝕量,，適當增加測試量可有效控制刻蝕中的點狀不良作業(yè)數量管控：每天對生產數量及時記錄，達到規(guī)定作業(yè)片數及時更換,。作業(yè)時間管控：由于藥液的揮發(fā),，所以如果在規(guī)定更換時間未達到相應的生產片數藥液也需更換。首片和抽檢管控：作業(yè)時需先進行首片確認,，且在作業(yè)過程中每批次進行抽檢（時間間隔約25min）,。1、大面積刻蝕不干凈：刻蝕液濃度下降,、刻蝕溫度變化,。2、刻蝕不均勻：噴淋流量異常,、藥液未及時沖洗干凈等,。3,、過刻蝕：刻蝕速度異常、刻蝕溫度異常等,。 材料刻蝕是一種重要的微納加工技術，可用于制造微電子器件和MEMS器件,。深圳南山反應離子束刻蝕

材料刻蝕是一種重要的微納加工技術,，可用于制造微電子器件和光學元件。深圳南山刻蝕技術

二氧化硅濕法刻蝕：較普通的刻蝕層是熱氧化形成的二氧化硅,?；镜目涛g劑是氫氟酸，它有刻蝕二氧化硅而不傷及硅的優(yōu)點,。然而,，飽和濃度的氫氟酸在室溫下的刻蝕速率約為300A/s。這個速率對于一個要求控制的工藝來說太快了,。在實際中,，氫氟酸與水或氟化銨及水混合。以氟化銨來緩沖加速刻蝕速率的氫離子的產生,。這種刻蝕溶液稱為緩沖氧化物刻蝕或BOE,。針對特定的氧化層厚度，他們以不同的濃度混合來達到合理的刻蝕時間,。一些BOE公式包括一個濕化劑用以減小刻蝕表面的張力,，以使其均勻地進入更小的開孔區(qū)。深圳南山刻蝕技術