干刻蝕是一類較新型,，但迅速為半導(dǎo)體工業(yè)所采用的技術(shù)。其利用電漿(plasma)來進(jìn)行半導(dǎo)體薄膜材料的刻蝕加工,。其中電漿必須在真空度約10至0.001Torr的環(huán)境下,，才有可能被激發(fā)出來；而干刻蝕采用的氣體,，或轟擊質(zhì)量頗巨,，或化學(xué)活性極高，均能達(dá)成刻蝕的目的,。干刻蝕基本上包括離子轟擊與化學(xué)反應(yīng)兩部份刻蝕機(jī)制,。偏「離子轟擊」效應(yīng)者使用氬氣(argon)，加工出來之邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微,。而偏化學(xué)反應(yīng)效應(yīng)者則采氟系或氯系氣體(如四氟化碳CF4)，經(jīng)激發(fā)出來的電漿,，即帶有氟或氯之離子團(tuán),，可快速與芯片表面材質(zhì)反應(yīng)。刪轎厚干刻蝕法可直接利用光阻作刻蝕之阻絕遮幕,，不必另行成長阻絕遮幕之半導(dǎo)體材料,。而其較重要的優(yōu)點，能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點,，換言之,，本技術(shù)中所謂活性離子刻蝕已足敷頁堡局滲次微米線寬制程技術(shù)的要求,，而正被大量使用?？涛g技術(shù)可以通過選擇不同的刻蝕氣體和壓力來實現(xiàn)不同的刻蝕效果,。上海MEMS材料刻蝕外協(xié)

等離子刻蝕是將電磁能量施加到含有化學(xué)反應(yīng)成分（如氟或氯）的氣體中實現(xiàn)。等離子會釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料,，并和活性自由基產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),，與刻蝕的材料反應(yīng)形成揮發(fā)性或非揮發(fā)性的殘留物。離子電荷會以垂直方向射入晶圓表面,。這樣會形成近乎垂直的刻蝕形貌,，這種形貌是現(xiàn)今密集封裝芯片設(shè)計中制作細(xì)微特征所必需的。一般而言,，高蝕速率（在一定時間內(nèi)去除的材料量）都會受到歡迎,。反應(yīng)離子刻蝕（RIE）的目標(biāo)是在物理刻蝕和化學(xué)刻蝕之間達(dá)到較佳平衡，使物理撞擊（刻蝕率）強(qiáng)度足以去除必要的材料,，同時適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)反應(yīng)能形成易于排出的揮發(fā)性殘留物或在剩余物上形成保護(hù)性沉積,。采用磁場增強(qiáng)的RIE工藝，通過增加離子密度而不增加離子能量（可能會損失晶圓）的方式,，改進(jìn)了處理過程,。廣州天河半導(dǎo)體刻蝕物理刻蝕是利用物理過程來剝離材料表面的方法，適用于硬質(zhì)材料,。

介質(zhì)刻蝕是用于介質(zhì)材料的刻蝕,，如二氧化硅。干法刻蝕優(yōu)點是：各向異性好,，選擇比高,，可控性,、靈活性,、重復(fù)性好,，細(xì)線條操作安全,，易實現(xiàn)自動化，無化學(xué)廢液，處理過程未引入污染,，潔凈度高,。缺點是：成本高，設(shè)備復(fù)雜,。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過程（如屏蔽式，下游式,，桶式），純物理過程（如離子銑）,，物理化學(xué)過程，常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE,，離子束輔助自由基刻蝕ICP等,。干法刻蝕方式比較多,，一般有：濺射與離子束銑蝕,，等離子刻蝕（PlasmaEtching），高壓等離子刻蝕,，高密度等離子體（HDP）刻蝕,，反應(yīng)離子刻蝕（RIE）。另外,，化學(xué)機(jī)械拋光CMP,，剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù),。

選擇合適的材料刻蝕方法需要考慮多個因素，包括材料的性質(zhì),、刻蝕的目的,、刻蝕的深度和精度要求,、刻蝕的速度,、成本等,。首先,，不同的材料具有不同的化學(xué)性質(zhì)和物理性質(zhì)，因此需要選擇適合該材料的刻蝕方法,。例如，金屬材料可以使用化學(xué)刻蝕或電化學(xué)刻蝕方法,，而半導(dǎo)體材料則需要使用離子束刻蝕或反應(yīng)離子束刻蝕等方法。其次,，刻蝕的目的也是選擇刻蝕方法的重要因素,。例如，如果需要制作微細(xì)結(jié)構(gòu),，可以選擇光刻和電子束刻蝕等方法,；如果需要制作深孔結(jié)構(gòu)，可以選擇干法刻蝕或濕法刻蝕等方法,。此外,，刻蝕的深度和精度要求也需要考慮。如果需要高精度和高深度的刻蝕,，可以選擇離子束刻蝕或反應(yīng)離子束刻蝕等方法,；如果需要較低精度和較淺深度的刻蝕，可以選擇濕法刻蝕或干法刻蝕等方法,。除此之外,，刻蝕的速度和成本也需要考慮。一些刻蝕方法可能速度較慢,，但成本較低,，而一些刻蝕方法可能速度較快，但成本較高,。因此,，需要根據(jù)實際情況選擇適合的刻蝕方法?？傊?，選擇合適的材料刻蝕方法需要綜合考慮多個因素，包括材料的性質(zhì),、刻蝕的目的,、刻蝕的深度和精度要求、刻蝕的速度,、成本等?？涛g技術(shù)可以通過控制刻蝕速率和刻蝕深度來實現(xiàn)對材料的精確加工。

材料刻蝕是一種重要的微納加工技術(shù),，用于制造微電子器件、MEMS器件、光學(xué)器件等。其工藝流程主要包括以下幾個步驟：1.蝕刻前處理：將待刻蝕的材料進(jìn)行清洗,、去除表面污染物和氧化層等處理,，以保證刻蝕的質(zhì)量和精度,。2.光刻：將光刻膠涂覆在待刻蝕的材料表面,，然后使用光刻機(jī)將芯片上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上,，形成所需的圖形。3.刻蝕：將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到材料表面,，通常使用化學(xué)蝕刻或物理蝕刻的方法進(jìn)行刻蝕?；瘜W(xué)蝕刻是利用化學(xué)反應(yīng)將材料表面的原子或分子去除,，物理蝕刻則是利用離子束或等離子體將材料表面的原子或分子去除。4.清洗：將刻蝕后的芯片進(jìn)行清洗,，去除光刻膠和刻蝕產(chǎn)生的殘留物,，以保證芯片的質(zhì)量和穩(wěn)定性,。5.檢測：對刻蝕后的芯片進(jìn)行檢測,，以確保刻蝕的質(zhì)量和精度符合要求,。以上是材料刻蝕的基本工藝流程，不同的刻蝕方法和材料可能會有所不同,。刻蝕技術(shù)的發(fā)展對微納加工和微電子技術(shù)的發(fā)展具有重要的推動作用,，為微納加工和微電子技術(shù)的應(yīng)用提供了強(qiáng)有力的支持,?；旌峡涛g是將化學(xué)刻蝕和物理刻蝕結(jié)合起來的方法，可以實現(xiàn)更高的加工精度,。江西氮化硅材料刻蝕外協(xié)

刻蝕技術(shù)也可以用于制造MEMS器件中的微機(jī)械結(jié)構(gòu),、傳感器,、執(zhí)行器等元件,。上海MEMS材料刻蝕外協(xié)

鋁膜濕法刻蝕：對于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是,，鋁和磷酸反應(yīng)的副產(chǎn)物是微小的氫氣泡,。這些氣泡附著在晶圓表面，并阻礙刻蝕反應(yīng),。結(jié)果既可能產(chǎn)生導(dǎo)致相鄰引線短路的鋁橋連,，又可能在表面形成不希望出現(xiàn)的雪球的鋁點。特殊配方鋁刻蝕溶液的使用緩解了這個問題,。典型的活性溶液成分配比是：16：1：1：2,。除了特殊配方外，典型的鋁刻蝕工藝還會包含以攪拌或上下移動晶圓舟的攪動,。有時聲波或兆頻聲波也用來去除氣泡,。按材料來分，刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕,、介質(zhì)刻蝕,、和硅刻蝕。上海MEMS材料刻蝕外協(xié)