在光刻過程中可能會(huì)出現(xiàn)光刻膠未涂滿襯底的異常,，主要原因可能以下幾個(gè)：滴膠量不,、膠液偏離襯底中心,、滴膠是有氣泡、滴膠是有“倒角”,，主要的叫絕方法有：增加滴膠量,、調(diào)整勻膠機(jī)水平位置、調(diào)整滴膠位置,、在“倒角”處滴膠,、消除“倒角”。光刻涂膠四周呈現(xiàn)放射性條紋,，主要可能的原因是光刻膠有顆粒,、襯底未清洗干凈，表面有顆粒、滴膠后精致時(shí)間過長,，部分光刻膠固話,，解決的方法主要有更換光刻膠，使用新的光刻膠涂膠來測試一下,、將襯底再清洗一次再涂膠,、滴膠后馬上旋涂，以免光刻膠有所固化,。光刻版材質(zhì)主要是兩種,，一個(gè)是石英材質(zhì)一個(gè)是蘇打材質(zhì)，石英材料的透光率會(huì)比蘇打的透光率要高,。光刻版就是在蘇打材料通過光刻,、刻蝕等工藝在表面使用鉻金屬做出我們所需要的圖形。對(duì)于有掩膜光刻,，首先需要設(shè)計(jì)光刻版,，常用的設(shè)計(jì)軟件有CAD、L-edit等軟件,。山西紫外光刻

光刻曝光系統(tǒng)：接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別,，在于曝光時(shí)掩模與晶片間相對(duì)關(guān)系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高,、復(fù)印面積大,、復(fù)印精度好、曝光設(shè)備簡單,、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點(diǎn),。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對(duì)準(zhǔn)精度的提高也受到較多的限制。一般認(rèn)為,，接觸式曝光只適于分立元件和中,、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。非接觸式曝光主要指投影曝光,。在投影曝光系統(tǒng)中,，掩膜圖形經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)成像在感光層上，掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會(huì)引起損傷和沾污,成品率較高,，對(duì)準(zhǔn)精度也高,，能滿足高集成度器件和電路生產(chǎn)的要求。但投影曝光設(shè)備復(fù)雜,，技術(shù)難度高，因而不適于低檔產(chǎn)品的生產(chǎn)?，F(xiàn)代應(yīng)用較廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統(tǒng)和x:1倍的在硅片上直接分步重復(fù)曝光系統(tǒng),。天津圖形光刻接觸式曝光具有分辨率高、復(fù)印面積大、復(fù)印精度好,、曝光設(shè)備簡單,、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點(diǎn)。

光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會(huì)對(duì)芯片成品率造成重大影響,。目前中國光刻膠國產(chǎn)化水平嚴(yán)重不足,，重點(diǎn)技術(shù)差距在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域，有2-3代差距,，隨著下游半導(dǎo)體行業(yè),、LED及平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展，未來國內(nèi)光刻膠產(chǎn)品國產(chǎn)化替代空間巨大,。同時(shí),，國內(nèi)光刻膠企業(yè)積極抓住中國晶圓制造擴(kuò)產(chǎn)的百年機(jī)遇，發(fā)展光刻膠業(yè)務(wù),，力爭早日追上國際先進(jìn)水平,，打進(jìn)國內(nèi)新建晶圓廠的供應(yīng)鏈。光刻膠的國產(chǎn)化公關(guān)正在各方面展開,，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域,，中國已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競爭力的本土企業(yè)。在半導(dǎo)體和面板光刻膠領(lǐng)域,，盡管國產(chǎn)光刻膠距離國際先進(jìn)水平仍然有差距,，但是在政策的支持和自身的不懈努力之下，中國已經(jīng)有一批光刻膠企業(yè)陸續(xù)實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破,。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所,。

一般微電子化學(xué)品具有一定的腐蝕性，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備有較高的要求,，且生產(chǎn)環(huán)境需要進(jìn)行無塵或微塵處理,。制備較優(yōu)微電子化學(xué)品還需要全封閉、自動(dòng)化的工藝流程,，以避免污染,，提高質(zhì)量。因此,，光刻膠等微電子化學(xué)品生產(chǎn)在安全生產(chǎn),、環(huán)保設(shè)備、生產(chǎn)工藝系統(tǒng),、過程控制體系以及研發(fā)投資等方面要求較高,。如果沒有強(qiáng)大的資金實(shí)力，企業(yè)就難以在設(shè)備,、研發(fā)和技術(shù)服務(wù)上取得競爭優(yōu)勢(shì),，以提升可持續(xù)發(fā)展能力,。因此，光刻膠這樣的微電子化學(xué)品行業(yè)具備較高的資金壁壘,。接觸式光刻機(jī),，曝光時(shí)，光刻版壓在涂有光刻膠的襯底上,，優(yōu)點(diǎn)是設(shè)備簡單,，分辨率高，沒有衍射效應(yīng),。

光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個(gè)主要工藝,。是對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù),。一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干,、涂底、旋涂光刻膠,、軟烘,、對(duì)準(zhǔn)曝光、后烘,、顯影,、硬烘、刻蝕,、檢測等工序,。硅片清洗烘干方法：濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙（熱板150～250C,1～2分鐘，氮?dú)獗Ｗo(hù)）目的：a,、除去表面的污染物（顆粒,、有機(jī)物、工藝殘余,、可動(dòng)離子）,；b、除去水蒸氣,，使基底表面由親水性變?yōu)樵魉?，增?qiáng)表面的黏附性（對(duì)光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷）。每顆芯片誕生之初,，都要經(jīng)過光刻機(jī)的雕刻,，精度要達(dá)到頭發(fā)絲的千分之一。江蘇光刻技術(shù)

影響光刻膠均勻性的參數(shù)：旋轉(zhuǎn)加速度,，加速越快越均勻,。山西紫外光刻

光刻層間對(duì)準(zhǔn)，即套刻精度（Overlay）,，保證圖形與硅片上已經(jīng)存在的圖形之間的對(duì)準(zhǔn),。曝光中較重要的兩個(gè)參數(shù)是：曝光能量（Energy）和焦距（Focus）,。如果能量和焦距調(diào)整不好,，就不能得到要求的分辨率和大小的圖形,。表現(xiàn)為圖形的關(guān)鍵尺寸超出要求的范圍。曝光方法：a,、接觸式曝光（ContactPrinting）,。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當(dāng),，設(shè)備簡單,。缺點(diǎn)：光刻膠污染掩膜板；掩膜板的磨損,，壽命很低（只能使用5～25次）,；1970前使用，分辨率〉0.5μm,。b,、接近式曝光（ProximityPrinting）。山西紫外光刻