在光刻圖案化工藝中，首先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜,。接著在復(fù)雜的曝光裝置中，光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，在隨后的化學(xué)顯影過程中被去除。較后掩模的圖案就被轉(zhuǎn)移到了光刻膠膜上,。而在隨后的蝕刻 或離子注入工藝中，會對沒有光刻膠保護(hù)的硅片部分進(jìn)行刻蝕,，較后洗去剩余光刻膠,。這時光刻膠的圖案就被轉(zhuǎn)移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過程經(jīng)過多次迭代,，聯(lián)同其他多個物理過程,，便產(chǎn)生集成電路。干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術(shù)的要求,，且在微納加工技術(shù)中被大量使用,。吉林刻蝕微納加工工藝

微納加工氧化工藝是在高溫下，襯底的硅直接與O2發(fā)生反應(yīng)生成SiO2,，后續(xù)O2通過SiO2層擴(kuò)散到Si/SiO2界面,，繼續(xù)與Si發(fā)生反應(yīng)增加SiO2薄膜的厚度，生成1個單位厚度的SiO2薄膜,，需要消耗0.445單位厚度的Si襯底,；相對CVD工藝而言，氧化工藝可以制作更加致密的SiO2薄膜,，有利于與其他材料制作更加牢固可靠的結(jié)構(gòu)層,，提高M(jìn)EMS器件的可靠性。同時致密的SiO2薄膜有利于提高與其它材料的濕法刻蝕選擇比,，提高刻蝕加工精度,，制作更加精密的MEMS器件。同時氧化工藝一般采用傳統(tǒng)的爐管設(shè)備來制作,，成本低,，產(chǎn)量大，一次作業(yè)100片以上,，SiO2薄膜一致性也可以做到更高+/-3%以內(nèi)。吉林刻蝕微納加工工藝濕法刻蝕較普遍,、也是成本較低的刻蝕方法,。

平臺目前已配備各類微納加工和表征測試設(shè)備50余臺套，擁有一條相對完整的微納加工工藝線,，可制成2-6英寸樣品,，涵蓋了圖形發(fā)生、薄膜制備,、材料刻蝕,、表征測試等常見的工藝段,，可以進(jìn)行常見微納米結(jié)構(gòu)和器件的加工，極限線寬達(dá)到600納米,，材料種類包括硅基,、化合物半導(dǎo)體等多種類型材料，可以有力支撐多學(xué)科領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件加工以及微納米結(jié)構(gòu)的表征測試需求,。微納加工平臺支持基礎(chǔ)信息器件與系統(tǒng)等多領(lǐng)域,、交叉學(xué)科，開展前沿信息科學(xué)研究和技術(shù)開發(fā),。作為開放共享服務(wù)平臺,，支撐的研究領(lǐng)域包括新型器件、柔性電子器件,、微流體,、發(fā)光芯片、化合物半導(dǎo)體,、微機(jī)電器件與系統(tǒng)（MEMS）等,。以高效、創(chuàng)新,、穩(wěn)定,、合作共贏的合作理念，歡迎社會各界前來合作,。

通過在聚合物表面構(gòu)造微納米尺度結(jié)構(gòu)及其陣列,，可以得到聚合物微納結(jié)構(gòu)制件，不同種類的微納結(jié)構(gòu)賦予聚合物制件許多特殊的功能,。如具有微槽流道的微流控生物芯片,；具有微納透鏡陣列的光學(xué)元件，如導(dǎo)光板,、偏光板等,；具有仿生微結(jié)構(gòu)的疏水薄膜以及具有高深寬比V槽結(jié)構(gòu)的微結(jié)構(gòu)換熱器等。上述微結(jié)構(gòu)制件在生物醫(yī)學(xué)分析,、藥物開發(fā),、無痛給藥、微反應(yīng)過程,、LCD顯示器關(guān)鍵光學(xué)材料,、高效換熱等場合發(fā)揮了重要的作用。隨著聚合物成型方法的不斷成熟與發(fā)展,，聚合物微結(jié)構(gòu)器件的種類和應(yīng)用范圍也隨之豐富與擴(kuò)大,。微納加工技術(shù)的特點(diǎn)：微型化。

通過光刻技術(shù)制作出的微納結(jié)構(gòu)需進(jìn)一步通過刻蝕或者鍍膜，才可獲得所需的結(jié)構(gòu)或元件,?？涛g技術(shù)，是按照掩模圖形對襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù),，可分為濕法刻蝕和干法刻蝕,。濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法,，大部份的濕刻蝕液均是各向同性的,，換言之，對刻蝕接觸點(diǎn)之任何方向腐蝕速度并無明顯差異,。而干刻蝕采用的氣體,，或轟擊質(zhì)量頗巨，或化學(xué)活性極高,，均能達(dá)成刻蝕的目的,。其較重要的優(yōu)點(diǎn)是能兼顧邊緣側(cè)向侵蝕現(xiàn)象極微與高刻蝕率兩種優(yōu)點(diǎn)。干法刻蝕能夠滿足亞微米/納米線寬制程技術(shù)的要求,，且在微納加工技術(shù)中被大量使用,。光刻膠是微納加工中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一。吉林刻蝕微納加工工藝

我造技術(shù)的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國的微納制造技術(shù)的研究與世界先進(jìn)水平業(yè)的杰出位置,。吉林刻蝕微納加工工藝

在微電子與光電子集成中,，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長,。沉積技術(shù)分為物理沉積,、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā),、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法,；化學(xué)氣相沉積是典型的化學(xué)方法；等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是物理與化學(xué)方法相結(jié)合的混合方法,。薄膜沉積過程,，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態(tài)結(jié)構(gòu)都是隨機(jī)的,，而沒有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu),。外延生長實(shí)質(zhì)上是材料科學(xué)的薄膜加工方法，其含義是：在一個單晶的襯底上,，定向地生長出與基底晶態(tài)結(jié)構(gòu)相同或相似的晶態(tài)薄層,。其他薄膜成膜方法，如電化學(xué)沉積,、脈沖激光沉積法、溶膠凝膠法,、自組裝法等,，也都普遍用于微納制作工藝中,。吉林刻蝕微納加工工藝

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所位于長興路363號。廣東省半導(dǎo)體所致力于為客戶提供良好的微納加工技術(shù)服務(wù),，真空鍍膜技術(shù)服務(wù),，紫外光刻技術(shù)服務(wù)，材料刻蝕技術(shù)服務(wù),，一切以用戶需求為中心,，深受廣大客戶的歡迎。公司從事電子元器件多年,，有著創(chuàng)新的設(shè)計,、強(qiáng)大的技術(shù)，還有一批**的專業(yè)化的隊伍,，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù),。在社會各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新,，不斷鑄造***服務(wù)體驗(yàn),，為客戶成功提供堅實(shí)有力的支持。