微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米,、微米和納米量級元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計(jì),、加工,、組裝、系統(tǒng)集成與應(yīng)用技術(shù),。微納加工按技術(shù)分類,，主要分為平面工藝、探針工藝,、模型工藝,。主要介紹微納加工的平面工藝，平面工藝主要可分為薄膜工藝,、圖形化工藝（光刻）,、刻蝕工藝,。光刻是微納加工技術(shù)中較關(guān)鍵的工藝步驟,，光刻的工藝水平?jīng)Q定產(chǎn)品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠,，再用光線（一般是紫外光,、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面,，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應(yīng),。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠，就實(shí)現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉(zhuǎn)移,。微納加工包括光刻,、磁控濺射、電子束蒸鍍,、濕法腐蝕,、干法腐蝕、表面形貌測量等,。四川光電器件微納加工工廠

微納加工工藝基本分為表面加工體加工兩大塊,，基本流程如下：表面加工基本流程如下：首先：沉積系繩層材料；第二步：光刻定義系繩層圖形,；第三步：刻蝕完成系繩層圖形轉(zhuǎn)移,；第四步：沉積結(jié)構(gòu)材料,；第五步：光刻定義結(jié)構(gòu)層圖形；第六步：刻蝕完成結(jié)構(gòu)層圖形轉(zhuǎn)移,；第七步：釋放去除系繩層,，保留結(jié)構(gòu)層，完成微結(jié)構(gòu)制作,；體加工基本流程如下：首先：沉積保護(hù)層材料,；第二步：光刻定義保護(hù)圖形；第三步：刻蝕完成保護(hù)層圖形轉(zhuǎn)移,；第四步：腐蝕硅襯底,，在制作三維立體腔結(jié)構(gòu)；第五步：去除保護(hù)層材料,。廣東MEMS微納加工外協(xié)高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)可以通過電子束直寫或激光直寫制作,。

無論是大批量還是小規(guī)模生產(chǎn)定制產(chǎn)品，都需要開發(fā)新一代的模塊化,、知識密集的,、可升級的和可快速配置的生產(chǎn)系統(tǒng)。而這將用到那些新近涌現(xiàn)出來的微納技術(shù)研究成果以及新的工業(yè)生產(chǎn)理論體系,。給出了微納制造系統(tǒng)與平臺的發(fā)展前景,。未來幾年微納制造系統(tǒng)和平臺的發(fā)展前景包括以下幾個方面：（1）微納制造系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、建模和仿真,；（2）智能的,、可升級的和適應(yīng)性強(qiáng)的微納制造系統(tǒng)（工藝、設(shè)備和工具集成）,；（3）新型靈活的,、模塊化的和網(wǎng)絡(luò)化的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，以構(gòu)筑基于制造的知識,。

在微電子與光電子集成中,，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長,。沉積技術(shù)分為物理沉積,、化學(xué)沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā),、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法,；化學(xué)氣相沉積是典型的化學(xué)方法；等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積是物理與化學(xué)方法相結(jié)合的混合方法,。薄膜沉積過程,，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態(tài)結(jié)構(gòu)都是隨機(jī)的,，而沒有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu),。外延生長實(shí)質(zhì)上是材料科學(xué)的薄膜加工方法,，其含義是：在一個單晶的襯底上，定向地生長出與基底晶態(tài)結(jié)構(gòu)相同或相似的晶態(tài)薄層,。其他薄膜成膜方法,，如電化學(xué)沉積、脈沖激光沉積法,、溶膠凝膠法,、自組裝法等，也都普遍用于微納制作工藝中,。在微納加工過程中,，蒸發(fā)沉積和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜,、合金薄膜,、化合物等。

21世紀(jì),，人們?nèi)詴粩嘧非髼l件更好且可負(fù)擔(dān)的醫(yī)療保健服務(wù),、更高的生活品質(zhì)和質(zhì)量更好的日用消費(fèi)品，并竭力應(yīng)對由能源成本上漲和資源枯竭所帶來的風(fēng)險等“巨大挑戰(zhàn)”,。它們也是采用創(chuàng)新體系的商品擴(kuò)大市場的推動力,。微納制造技術(shù)過去和現(xiàn)在一直都被認(rèn)為在解決上述挑戰(zhàn)方面大有用武之地。環(huán)境——采用更少的能源與原材料,。從短期來看,，微納制造技術(shù)不會對環(huán)境和能源成本產(chǎn)生重大的影響。受到當(dāng)前加工技術(shù)的限制,，這些技術(shù)在早期的發(fā)展階段往往會有較高的能源成本,。與此同時,，微納制造一旦成熟,，將會消耗更少的能源與資源，就此而言,，微納制造無疑是一項(xiàng)令人振奮的技術(shù),。例如，與去除邊角料獲得較終產(chǎn)品不同的是,，微納制造采用的積層法將會使得廢料更少,。隨著創(chuàng)新型納米制造技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在對化石燃料的依存度已經(jīng)開始下降了,，二氧化碳的排放也隨之降低,，大氣中氮氧化物和硫氧化物的濃度也減少了。微納加工設(shè)備主要有：光刻,、刻蝕,、成膜,、離子注入、晶圓鍵合等,。黑龍江功率器件微納加工價格

微納制造的加工材料多種多樣,。四川光電器件微納加工工廠

在微納加工過程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積,、化學(xué)沉積和混合方法沉積,。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法,，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜,、合金薄膜、化合物等,。熱蒸發(fā)是在高真空下,，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜,，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱,；磁控濺射在高真空，在電場的作用下,，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材,，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高,、致密性好,，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點(diǎn)金屬薄膜或者厚膜；化學(xué)氣相沉積（CVD）是典型的化學(xué)方法而等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）是物理與化學(xué)相結(jié)合的混合方法,，CVD和PECVD主要用于生長氮化硅,、氧化硅等介質(zhì)膜。四川光電器件微納加工工廠