微機(jī)電系統(tǒng)是微電路和微機(jī)械按功能要求在芯片上的集成,，尺寸通常在毫米或微米級(jí)，自八十年代中后期崛起以來發(fā)展極其迅速,，被認(rèn)為是繼微電子之后又一個(gè)對(duì)國民經(jīng)濟(jì)和軍務(wù)具有重大影響的技術(shù)領(lǐng)域,，將成為21世紀(jì)新的國民經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)和提高軍務(wù)能力的重要技術(shù)途徑,。微機(jī)電系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)是：體積小、重量輕,、功耗低,、耐用性好,、價(jià)格低廉、性能穩(wěn)定等,。微機(jī)電系統(tǒng)的出現(xiàn)和發(fā)展是科學(xué)創(chuàng)新思維的結(jié)果,，使微觀尺度制造技術(shù)的演進(jìn)與**。微機(jī)電系統(tǒng)是當(dāng)前交叉學(xué)科的重要研究領(lǐng)域,，涉及電子工程、材料工程,、機(jī)械工程,、信息工程等多項(xiàng)科學(xué)技術(shù)工程，將是未來國民經(jīng)濟(jì)和軍務(wù)科研領(lǐng)域的新增長點(diǎn),。蝕刻技術(shù)把對(duì)光的應(yīng)用推向了極限,。貴州MEMS半導(dǎo)體器件加工方案

干法刻蝕又分為三種：物理性刻蝕、化學(xué)性刻蝕,、物理化學(xué)性刻蝕,。其中物理性刻蝕又稱為濺射刻蝕。很明顯,，該濺射刻蝕靠能量的轟擊打出原子的過程和濺射非常相像,。（想象一下，如果有一面很舊的土墻,，用足球用力踢過去,，可能就會(huì)有墻面的碎片從中剝離）這種極端的刻蝕方法方向性很強(qiáng)，可以做到各向異性刻蝕,，但不能進(jìn)行選擇性刻蝕,。化學(xué)性刻蝕利用等離子體中的化學(xué)活性原子團(tuán)與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),，從而實(shí)現(xiàn)刻蝕目的,。由于刻蝕的中心還是化學(xué)反應(yīng)（只是不涉及溶液的氣體狀態(tài)），因此刻蝕的效果和濕法刻蝕有些相近,，具有較好的選擇性,，但各向異性較差。海南集成電路半導(dǎo)體器件加工哪家好半導(dǎo)體電鍍是指在芯片制造過程中,，將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面形成金屬互連,。

隨著信息技術(shù)、光通信技術(shù)的迅猛發(fā)展,，MEMS發(fā)展的又一領(lǐng)域是與光學(xué)相結(jié)合,，即綜合微電子、微機(jī)械,、光電子技術(shù)等基礎(chǔ)技術(shù),，開發(fā)新型光器件,，稱為微光機(jī)電系統(tǒng)(MOEMS)。它能把各種MEMS結(jié)構(gòu)件與微光學(xué)器件,、光波導(dǎo)器件,、半導(dǎo)體激光器件、光電檢測(cè)器件等完整地集成在一起,。形成一種全新的功能系統(tǒng),。MOEMS具有體積小、成本低,、可批量生產(chǎn),、可精確驅(qū)動(dòng)和控制等特點(diǎn)。較成功的應(yīng)用科學(xué)研究主要集中在兩個(gè)方面:一是基于MOEMS的新型顯示,、投影設(shè)備,，主要研究如何通過反射面的物理運(yùn)動(dòng)來進(jìn)行光的空間調(diào)制，典型表示為數(shù)字微鏡陣列芯片和光柵光閥:二是通信系統(tǒng),，主要研究通過微鏡的物理運(yùn)動(dòng)來控制光路發(fā)生預(yù)期的改變,，較成功的有光開關(guān)調(diào)制器、光濾波器及復(fù)用器等光通信器件,。MOEMS是綜合性和學(xué)科交叉性很強(qiáng)的高新技術(shù),，開展這個(gè)領(lǐng)域的科學(xué)技術(shù)研究，可以帶動(dòng)大量的新概念的功能器件開發(fā),。

傳感MEMS技術(shù)是指用微電子微機(jī)械加工出來的,、用敏感元件如電容、壓電,、壓阻,、熱電耦、諧振,、隧道電流等來感受轉(zhuǎn)換電信號(hào)的器件和系統(tǒng),。它包括速度、壓力,、濕度,、加速度、氣體,、磁,、光、聲,、生物,、化學(xué)等各種傳感器，按種類分主要有:面陣觸覺傳感器,、諧振力敏感傳感器,、微型加速度傳感器,、真空微電子傳感器等。傳感器的發(fā)展方向是陣列化,、集成化,、智能化。由于傳感器是人類探索自然界的觸角,，是各種自動(dòng)化裝置的神經(jīng)元,，且應(yīng)用領(lǐng)域普遍，未來將備受世界各國的重視,。從硅圓片制成一個(gè)一個(gè)的半導(dǎo)體器件,，按大工序可分為前道工藝和后道工藝。

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝流程主要有4個(gè)部分,，即晶圓制造、晶圓測(cè)試,、芯片封裝和封裝后測(cè)試,。晶圓制造是指在硅晶圓上制作電路與電子元件如電晶體、電容體,、邏輯閘等,，整個(gè)流程工藝復(fù)雜，主要有晶圓清洗,，熱氧化,，光刻（涂膠、曝光,、顯影）,，蝕刻，離子注入,，擴(kuò)散,，沉積和機(jī)械研磨等步驟，來完成晶圓上電路的加工與制作,。晶圓測(cè)試是指對(duì)加工后的晶圓進(jìn)行晶片運(yùn)收測(cè)試其電氣特性,。目的是監(jiān)控前道工藝良率，降低生產(chǎn)成本,。芯片封裝是利用陶瓷或者塑料封裝晶粒及配線形成集成電路,；起到固定，密封和保護(hù)電路的作用,。封裝后測(cè)試則是對(duì)封裝好的芯片進(jìn)行性能測(cè)試,，以保證器件封裝后的質(zhì)量和性能。在熱處理的過程中,，晶圓上沒有增加或減去任何物質(zhì),，另外會(huì)有一些污染物和水汽從晶圓上蒸發(fā),。貴州MEMS半導(dǎo)體器件加工方案

微機(jī)電系統(tǒng)也叫做微電子機(jī)械系統(tǒng)、微系統(tǒng),、微機(jī)械等,，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。貴州MEMS半導(dǎo)體器件加工方案

MEMS制造工藝是下至納米尺度,，上至毫米尺度微結(jié)構(gòu)加工工藝的通稱,。廣義上的MEMS制造工藝，方式十分豐富,，幾乎涉及了各種現(xiàn)代加工技術(shù),。起源于半導(dǎo)體和微電子工藝，以光刻,、外延,、薄膜淀積、氧化,、擴(kuò)散,、注入、濺射,、蒸鍍,、刻蝕、劃片和封裝等為基本工藝步驟來制造復(fù)雜三維形體的微加工技術(shù),。微納加工技術(shù)指尺度為亞毫米,、微米和納米量級(jí)元件以及由這些元件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)、加工,、組裝,、系統(tǒng)集成與應(yīng)用技術(shù)，涉及領(lǐng)域廣,、多學(xué)科交叉融合,，其較主要的發(fā)展方向是微納器件與系統(tǒng)（MEMS和NEMS）。微納器件與系統(tǒng)是在集成電路制作上發(fā)展的系列適用技術(shù),，研制微型傳感器,、微型執(zhí)行器等器件和系統(tǒng)，具有微型化,、批量化,、成本低的鮮明特點(diǎn)，對(duì)現(xiàn)代的生活,、生產(chǎn)產(chǎn)生了巨大的促進(jìn)作用,，并催生了一批新興產(chǎn)業(yè)。貴州MEMS半導(dǎo)體器件加工方案