影響磁控濺射鍍膜結(jié)果的因素：1,、濺射功率的影響,在基體和涂層材料確定的情況下,工藝參數(shù)的選擇對(duì)于涂層生長(zhǎng)速率和涂層質(zhì)量都有很大的影響.其中濺射功率的設(shè)定對(duì)這兩方面都有極大的影響.2、氣壓的影響,磁控濺射是在低氣壓下進(jìn)行高速濺射,為此需要提高氣體的離化率,使氣體形成等離子體.在保證濺射功率固定的情況下,分析氣壓對(duì)于磁控濺射的影響,。磁控濺射鍍膜的產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)：1,、幾乎所有材料都可以通過磁控濺射沉積,而不論其熔化溫度如何;2、可以根據(jù)基材和涂層的要求縮放光源并將其放置在腔室中的任何位置;3,、可以沉積合金和化合物的薄膜,同時(shí)保持與原始材料相似的組成,。磁控濺射粉體鍍膜技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了銀包銅粉、銀包鋁粉,、鋁包硅粉等多種微納米級(jí)粉體的量產(chǎn),。廣州高質(zhì)量磁控濺射

磁控濺射鍍膜是現(xiàn)代工業(yè)中不可缺少的技術(shù)之一，磁控濺射鍍膜技術(shù)正普遍應(yīng)用于透明導(dǎo)電膜,、光學(xué)膜,、超硬膜、抗腐蝕膜,、磁性膜,、增透膜,、減反膜以及各種裝飾膜，在**和國(guó)民經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)中的作用和地位日益強(qiáng)大,。鍍膜工藝中的薄膜厚度均勻性,，沉積速率，靶材利用率等方面的問題是實(shí)際生產(chǎn)中十分關(guān)注的,。解決這些實(shí)際問題的方法是對(duì)涉及濺射沉積過程的全部因素進(jìn)行整體的優(yōu)化設(shè)計(jì),，建立一個(gè)濺射鍍膜的綜合設(shè)計(jì)系統(tǒng)。薄膜厚度均勻性是檢驗(yàn)濺射沉積過程的較重要參數(shù)之一,，因此對(duì)膜厚均勻性綜合設(shè)計(jì)的研究具有重要的理論和應(yīng)用價(jià)值,。湖南共濺射磁控濺射處理磁控濺射的技術(shù)特點(diǎn)是要在陰極靶面附件產(chǎn)生與電場(chǎng)方向垂直的磁場(chǎng)，一般采用永久磁鐵實(shí)現(xiàn),。

磁控濺射設(shè)備在光學(xué)范疇：IF關(guān)閉場(chǎng)非平衡磁控濺射技術(shù)也已應(yīng)用于光學(xué)薄膜（例如抗反射涂層）,，低輻射率玻璃和通明導(dǎo)電玻璃中。特別地,，通明導(dǎo)電玻璃現(xiàn)在普遍地用于平板顯示設(shè)備,，太陽能電池，微波和射頻屏蔽設(shè)備和設(shè)備以及傳感器中,。在機(jī)械加工工業(yè)中,，自引入以來，外表功用膜,，超硬膜和自潤(rùn)滑膜的外表沉積技術(shù)得到了大的發(fā)展,，可以有效進(jìn)步外表硬度，復(fù)合韌性,，耐磨性和高韌性,。溫度化學(xué)穩(wěn)定性。性能,，從而大幅度進(jìn)步了涂層產(chǎn)品的使用壽命,。除了已普遍使用的上述范疇外，磁控濺射鍍膜儀還在高溫超導(dǎo)薄膜,，鐵電薄膜,，巨磁阻薄膜，薄膜發(fā)光材料,，太陽能電池和記憶合金薄膜,。

磁控直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料,，不適于絕緣材料,。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí)，表面的離子電荷無法中和，這將導(dǎo)致靶面電位升高,，外加電壓幾乎都加在靶上,，兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變小，甚至不能電離,，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止,，濺射停止。故對(duì)于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁?，須用射頻濺射法（RF）。濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞,，入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子,；某些靶材原子的動(dòng)能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢(shì)壘（對(duì)于金屬是5-10eV），從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來,，產(chǎn)生離位原子,；這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級(jí)聯(lián),；當(dāng)這種碰撞級(jí)聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí),，如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能（對(duì)于金屬是1-6eV），這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空,。磁控濺射就是以磁場(chǎng)束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑,，改變電子的運(yùn)動(dòng)方向。

直流磁控濺射所用的電源是直流高壓電源,，通常在300～1000V,，特點(diǎn)是濺射速率快，造價(jià)低,，后期維修保養(yǎng)廉價(jià),。可是只能濺射金屬靶材,，假如靶材是絕緣體,，隨著濺射的深化，靶材會(huì)聚集很多的電荷,，導(dǎo)致濺射無法持續(xù),。因而關(guān)于金屬靶材通常用直流磁控濺射，因?yàn)樵靸r(jià)廉價(jià),，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)略,，目前在工業(yè)上使用普遍。脈沖磁控濺射是采用脈沖電源或者直流電源與脈沖生成裝置配合,，輸出脈沖電流驅(qū)動(dòng)磁控濺射沉積,。一般使用矩形波電壓，既容易獲得又有利于研究濺射放電等離子體的變化過程。工作模式與中頻濺射,。雙靶磁控濺射儀是一款高真空鍍膜設(shè)備,。云南金屬磁控濺射鍍膜

磁控濺射是眾多獲得高質(zhì)量的薄膜技術(shù)當(dāng)中使用較普遍的一種鍍膜工藝。廣州高質(zhì)量磁控濺射

磁控濺射是物理中氣相沉積的一種,。一般的濺射法可被用于制備金屬,、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料,，且具有設(shè)備簡(jiǎn)單,、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),。上世紀(jì)70年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速,、低溫、低損傷,。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射,，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場(chǎng),，利用磁場(chǎng)對(duì)帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率,。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程,，和靶原子碰撞,，把部分動(dòng)量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞,，形成級(jí)聯(lián)過程,。在這種級(jí)聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量，離開靶被濺射出來,。廣州高質(zhì)量磁控濺射