在光刻圖案化工藝中,，首先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜,。接著在復雜的曝光裝置中，光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上,。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學變化,，在隨后的化學顯影過程中被去除。較后掩模的圖案就被轉(zhuǎn)移到了光刻膠膜上,。而在隨后的蝕刻 或離子注入工藝中,，會對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕，較后洗去剩余光刻膠,。這時光刻膠的圖案就被轉(zhuǎn)移到下層的薄膜上,，這種薄膜圖案化的過程經(jīng)過多次迭代，聯(lián)同其他多個物理過程，便產(chǎn)生集成電路,。微納加工平臺,，主要是兩個方面：微納加工、微納檢測,。嘉興微納加工工藝流程

微納制造技術是指尺度為毫米,、微米和納米量級的零件，以及由這些零件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的設計,、加工,、組裝、集成與應用技術,。傳統(tǒng)“宏”機械制造技術已不能滿足這些“微”機械和“微”系統(tǒng)的高精度制造和裝配加工要求,，必須研究和應用微納制造的技術與方法。微納制造技術是微傳感器,、微執(zhí)行器,、微結(jié)構(gòu)和功能微納系統(tǒng)制造的基本手段和重要基礎。不同的表面微納結(jié)構(gòu)可以呈現(xiàn)出相應的功能,，隨著科技的發(fā)展,，不同功能的微納結(jié)構(gòu)及器件將會得到更多的應用。目前表面功能微納結(jié)構(gòu)及器件,，諸如超材料,、超表面等充滿“神奇”力量的結(jié)構(gòu)或器件，的發(fā)展仍受到微納加工技術的限制,。因此,，研究功能微納結(jié)構(gòu)及器件需要從微納結(jié)構(gòu)的加工技術方面進行普遍深入的研究，提高微納加工技術的加工能力和效率是未來微納結(jié)構(gòu)及器件研究的重點方向,。嘉興微納加工工藝流程我造技術的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國的微納制造技術的研究與世界先進水平業(yè)的杰出位置,。

當前納米制造技術在環(huán)境友好方面有望大展身手的一些領域：1、照明：對于傳統(tǒng)的白熾光源來說,，LEDs是一種高效能的替代,，納米技術可用來開發(fā)更多新的光源。2,、發(fā)動機/燃料效率：采用納米顆粒燃料添加劑能夠減少柴油機的能耗并改善局部空氣質(zhì)量,。微納材料也用來改善飛機渦輪葉片的熱阻性能，使得發(fā)動機可以在更高的溫度下繼續(xù)運轉(zhuǎn),，進而提高整個發(fā)動機的效率,。3、減重：新型較強度復合材料能夠減輕材料的重量,。未來的目標包括：在金屬合金和塑料中摻雜納米管來減少飛機的重量,；改進橡膠配方中摻雜入輪胎的納米顆粒,；利用通過納米技術制得的汽車等的催化式排氣凈化器優(yōu)化車內(nèi)燃料的燃燒過程。

21世紀,，人們?nèi)詴粩嘧非髼l件更好且可負擔的醫(yī)療保健服務,、更高的生活品質(zhì)和質(zhì)量更好的日用消費品，并竭力應對由能源成本上漲和資源枯竭所帶來的風險等“巨大挑戰(zhàn)”,。它們也是采用創(chuàng)新體系的商品擴大市場的推動力,。微納制造技術過去和現(xiàn)在一直都被認為在解決上述挑戰(zhàn)方面大有用武之地。環(huán)境——采用更少的能源與原材料,。從短期來看,，微納制造技術不會對環(huán)境和能源成本產(chǎn)生重大的影響。受到當前加工技術的限制,，這些技術在早期的發(fā)展階段往往會有較高的能源成本,。與此同時,，微納制造一旦成熟,，將會消耗更少的能源與資源，就此而言,，微納制造無疑是一項令人振奮的技術,。例如，與去除邊角料獲得較終產(chǎn)品不同的是,，微納制造采用的積層法將會使得廢料更少,。隨著創(chuàng)新型納米制造技術的發(fā)展，現(xiàn)在對化石燃料的依存度已經(jīng)開始下降了,，二氧化碳的排放也隨之降低,，大氣中氮氧化物和硫氧化物的濃度也減少了。微納加工平臺支持基礎信息器件與系統(tǒng)等多領域,、交叉學科,，開展前沿信息科學研究和技術開發(fā)。

    微納加工-薄膜沉積與摻雜工藝,。在微納加工過程中,，薄膜的形成方法主要為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積,。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā),、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜,、合金薄膜,、化合物等。熱蒸發(fā)是在高真空下,，利用電阻加熱至材料的熔化溫度,，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜,，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱；磁控濺射在高真空,，在電場的作用下,，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底,；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高,、致密性好，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點金屬薄膜或者厚膜,；化學氣相沉積（CVD）是典型的化學方法而等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）是物理與化學相結(jié)合的混合方法,，CVD和PECVD用于生長氮化硅、氧化硅等介質(zhì)膜,。真空蒸鍍,，簡稱蒸鍍，是指在真空條件下,，采用一定的加熱蒸發(fā)方式蒸發(fā)鍍膜材料（或稱膜料）并使之氣化,，粒子飛至基片表面凝聚成膜的工藝方法。蒸鍍是使用較早,、用途較廣的氣相沉積技術,，具有成膜方法簡單、薄膜純度和致密性高,、膜結(jié)構(gòu)和性能獨特等優(yōu)點,。 微型加工技術的表面特性和工藝生產(chǎn)率是微納技術人員的主要關注點。嘉興微納加工工藝流程

在硅材料刻蝕當中,，硅針的刻蝕需要用到各向同性刻蝕,，硅柱的刻蝕需要用到各項異性刻蝕。嘉興微納加工工藝流程

光刻是半導體制造中常用的技術之一,，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎,。然而，深紫外和極紫外光刻系統(tǒng)及其相應的光學掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術,，導致其價格都相對昂貴,。因此，無掩模的高速制備法是微納結(jié)構(gòu)制備的優(yōu)先方法,。在這些無掩模方法中,，直接激光寫入(direct laser writing, DLW)是一種重要的、被廣采用的微處理技術,，能夠提供比較低的價格和相對較高的吞吐量,。但是，實際應用中存在兩個主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比,，分辨率還不夠高,。嘉興微納加工工藝流程