在光刻圖案化工藝中,，首先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復(fù)雜的曝光裝置中,，光線通過(guò)一個(gè)具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上,。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)變化，在隨后的化學(xué)顯影過(guò)程中被去除,。較后掩模的圖案就被轉(zhuǎn)移到了光刻膠膜上,。而在隨后的蝕刻 或離子注入工藝中，會(huì)對(duì)沒(méi)有光刻膠保護(hù)的硅片部分進(jìn)行刻蝕,，較后洗去剩余光刻膠,。這時(shí)光刻膠的圖案就被轉(zhuǎn)移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過(guò)程經(jīng)過(guò)多次迭代,，聯(lián)同其他多個(gè)物理過(guò)程,，便產(chǎn)生集成電路。微納加工平臺(tái),，主要是兩個(gè)方面：微納加工,、微納檢測(cè)。嘉興微納加工工藝流程

微納制造技術(shù)是指尺度為毫米,、微米和納米量級(jí)的零件,，以及由這些零件構(gòu)成的部件或系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、加工,、組裝,、集成與應(yīng)用技術(shù)。傳統(tǒng)“宏”機(jī)械制造技術(shù)已不能滿足這些“微”機(jī)械和“微”系統(tǒng)的高精度制造和裝配加工要求,，必須研究和應(yīng)用微納制造的技術(shù)與方法,。微納制造技術(shù)是微傳感器,、微執(zhí)行器、微結(jié)構(gòu)和功能微納系統(tǒng)制造的基本手段和重要基礎(chǔ),。不同的表面微納結(jié)構(gòu)可以呈現(xiàn)出相應(yīng)的功能,，隨著科技的發(fā)展，不同功能的微納結(jié)構(gòu)及器件將會(huì)得到更多的應(yīng)用,。目前表面功能微納結(jié)構(gòu)及器件,，諸如超材料、超表面等充滿“神奇”力量的結(jié)構(gòu)或器件,，的發(fā)展仍受到微納加工技術(shù)的限制,。因此，研究功能微納結(jié)構(gòu)及器件需要從微納結(jié)構(gòu)的加工技術(shù)方面進(jìn)行普遍深入的研究,，提高微納加工技術(shù)的加工能力和效率是未來(lái)微納結(jié)構(gòu)及器件研究的重點(diǎn)方向,。嘉興微納加工工藝流程我造技術(shù)的研究從其誕生之初就一直牢據(jù)行國(guó)的微納制造技術(shù)的研究與世界先進(jìn)水平業(yè)的杰出位置。

當(dāng)前納米制造技術(shù)在環(huán)境友好方面有望大展身手的一些領(lǐng)域：1,、照明：對(duì)于傳統(tǒng)的白熾光源來(lái)說(shuō),，LEDs是一種高效能的替代，納米技術(shù)可用來(lái)開(kāi)發(fā)更多新的光源,。2,、發(fā)動(dòng)機(jī)/燃料效率：采用納米顆粒燃料添加劑能夠減少柴油機(jī)的能耗并改善局部空氣質(zhì)量。微納材料也用來(lái)改善飛機(jī)渦輪葉片的熱阻性能,，使得發(fā)動(dòng)機(jī)可以在更高的溫度下繼續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn),，進(jìn)而提高整個(gè)發(fā)動(dòng)機(jī)的效率。3,、減重：新型較強(qiáng)度復(fù)合材料能夠減輕材料的重量,。未來(lái)的目標(biāo)包括：在金屬合金和塑料中摻雜納米管來(lái)減少飛機(jī)的重量；改進(jìn)橡膠配方中摻雜入輪胎的納米顆粒,；利用通過(guò)納米技術(shù)制得的汽車等的催化式排氣凈化器優(yōu)化車內(nèi)燃料的燃燒過(guò)程,。

21世紀(jì)，人們?nèi)詴?huì)不斷追求條件更好且可負(fù)擔(dān)的醫(yī)療保健服務(wù),、更高的生活品質(zhì)和質(zhì)量更好的日用消費(fèi)品,，并竭力應(yīng)對(duì)由能源成本上漲和資源枯竭所帶來(lái)的風(fēng)險(xiǎn)等“巨大挑戰(zhàn)”。它們也是采用創(chuàng)新體系的商品擴(kuò)大市場(chǎng)的推動(dòng)力,。微納制造技術(shù)過(guò)去和現(xiàn)在一直都被認(rèn)為在解決上述挑戰(zhàn)方面大有用武之地,。環(huán)境——采用更少的能源與原材料。從短期來(lái)看,，微納制造技術(shù)不會(huì)對(duì)環(huán)境和能源成本產(chǎn)生重大的影響,。受到當(dāng)前加工技術(shù)的限制，這些技術(shù)在早期的發(fā)展階段往往會(huì)有較高的能源成本,。與此同時(shí),，微納制造一旦成熟，將會(huì)消耗更少的能源與資源,，就此而言,，微納制造無(wú)疑是一項(xiàng)令人振奮的技術(shù)。例如,，與去除邊角料獲得較終產(chǎn)品不同的是,，微納制造采用的積層法將會(huì)使得廢料更少。隨著創(chuàng)新型納米制造技術(shù)的發(fā)展,，現(xiàn)在對(duì)化石燃料的依存度已經(jīng)開(kāi)始下降了,，二氧化碳的排放也隨之降低，大氣中氮氧化物和硫氧化物的濃度也減少了,。微納加工平臺(tái)支持基礎(chǔ)信息器件與系統(tǒng)等多領(lǐng)域,、交叉學(xué)科，開(kāi)展前沿信息科學(xué)研究和技術(shù)開(kāi)發(fā),。

    微納加工-薄膜沉積與摻雜工藝,。在微納加工過(guò)程中，薄膜的形成方法主要為物理沉積,、化學(xué)沉積和混合方法沉積,。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法,，主要用于沉積金屬單質(zhì)薄膜,、合金薄膜、化合物等,。熱蒸發(fā)是在高真空下,，利用電阻加熱至材料的熔化溫度，使其蒸發(fā)至基底表面形成薄膜,，而電子束蒸發(fā)為使用電子束加熱,；磁控濺射在高真空，在電場(chǎng)的作用下,，Ar氣被電離為Ar離子高能量轟擊靶材,，使靶材發(fā)生濺射并沉積于基底；磁控濺射方法沉積的薄膜純度高,、致密性好,，熱蒸發(fā)主要用于沉積低熔點(diǎn)金屬薄膜或者厚膜；化學(xué)氣相沉積（CVD）是典型的化學(xué)方法而等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）是物理與化學(xué)相結(jié)合的混合方法,，CVD和PECVD用于生長(zhǎng)氮化硅,、氧化硅等介質(zhì)膜。真空蒸鍍，簡(jiǎn)稱蒸鍍,，是指在真空條件下,，采用一定的加熱蒸發(fā)方式蒸發(fā)鍍膜材料（或稱膜料）并使之氣化，粒子飛至基片表面凝聚成膜的工藝方法,。蒸鍍是使用較早,、用途較廣的氣相沉積技術(shù)，具有成膜方法簡(jiǎn)單,、薄膜純度和致密性高,、膜結(jié)構(gòu)和性能獨(dú)特等優(yōu)點(diǎn)。 微型加工技術(shù)的表面特性和工藝生產(chǎn)率是微納技術(shù)人員的主要關(guān)注點(diǎn),。嘉興微納加工工藝流程

在硅材料刻蝕當(dāng)中,，硅針的刻蝕需要用到各向同性刻蝕，硅柱的刻蝕需要用到各項(xiàng)異性刻蝕,。嘉興微納加工工藝流程

光刻是半導(dǎo)體制造中常用的技術(shù)之一,，是現(xiàn)代光電子器件制造的基礎(chǔ)。然而,，深紫外和極紫外光刻系統(tǒng)及其相應(yīng)的光學(xué)掩模都是基于低速高成本的電子束光刻（EBL）或者聚焦離子束刻蝕(FIB)技術(shù),，導(dǎo)致其價(jià)格都相對(duì)昂貴。因此,，無(wú)掩模的高速制備法是微納結(jié)構(gòu)制備的優(yōu)先方法,。在這些無(wú)掩模方法中，直接激光寫(xiě)入(direct laser writing, DLW)是一種重要的,、被廣采用的微處理技術(shù),，能夠提供比較低的價(jià)格和相對(duì)較高的吞吐量。但是,，實(shí)際應(yīng)用中存在兩個(gè)主要挑戰(zhàn)：一是與FIB和EBL相比,，分辨率還不夠高。嘉興微納加工工藝流程