磁控濺射的原理：靶材背面加上強(qiáng)磁體,，形成磁場(chǎng),。在正負(fù)電極間施以高的電壓產(chǎn)生等離子體,，使氬氣發(fā)生輝光放電。等離子體中的電子在相互垂直的電場(chǎng)和磁場(chǎng)的共同作用下做螺旋式運(yùn)動(dòng),，飛向正電極，在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中與氬氣原子發(fā)生碰撞,，產(chǎn)生Ar離子和電子,，帶負(fù)電的電子又在相互垂直的電場(chǎng)和磁場(chǎng)的共同作用下向正電級(jí)做螺旋式運(yùn)動(dòng)，電子再次與氬氣原子發(fā)生碰撞,，隨著碰撞次數(shù)的增大,，電子的能量逐漸降低,，較后落在襯底上，這就使得高速電子對(duì)襯底轟擊產(chǎn)生的溫升大幅度降低,。Ar離子向負(fù)極加速運(yùn)動(dòng),，與靶材發(fā)生碰撞。能量適當(dāng)?shù)腁r離子離子轟擊靶材后使得靶材原子脫離靶材表面,，較后沉積在襯底上形成薄膜,。相較于蒸發(fā)鍍膜，真空磁控濺射鍍膜的膜更均勻,。云南高質(zhì)量磁控濺射技術(shù)

磁控濺射鍍膜是現(xiàn)代工業(yè)中不可缺少的技術(shù)之一,，磁控濺射鍍膜技術(shù)正普遍應(yīng)用于透明導(dǎo)電膜、光學(xué)膜,、超硬膜,、抗腐蝕膜、磁性膜,、增透膜,、減反膜以及各種裝飾膜，在**和國(guó)民經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)中的作用和地位日益強(qiáng)大,。鍍膜工藝中的薄膜厚度均勻性,，沉積速率，靶材利用率等方面的問(wèn)題是實(shí)際生產(chǎn)中十分關(guān)注的,。解決這些實(shí)際問(wèn)題的方法是對(duì)涉及濺射沉積過(guò)程的全部因素進(jìn)行整體的優(yōu)化設(shè)計(jì),，建立一個(gè)濺射鍍膜的綜合設(shè)計(jì)系統(tǒng)。薄膜厚度均勻性是檢驗(yàn)濺射沉積過(guò)程的較重要參數(shù)之一,，因此對(duì)膜厚均勻性綜合設(shè)計(jì)的研究具有重要的理論和應(yīng)用價(jià)值,。深圳雙靶磁控濺射過(guò)程磁控濺射屬于輝光放電范疇，利用陰極濺射原理進(jìn)行鍍膜,。

真空磁控濺射鍍膜工藝具備以下特點(diǎn)：1,、沉積速率大。由于采用高速磁控電極,，可獲得的離子流很大,，有效提高了此工藝鍍膜過(guò)程的沉積速率和濺射速率。與其它濺射鍍膜工藝相比,，磁控濺射的產(chǎn)能高,、產(chǎn)量大、于各類工業(yè)生產(chǎn)中得到普遍應(yīng)用,。2,、功率效率高。磁控濺射靶一般選擇200V-1000V范圍之內(nèi)的電壓,，通常為600V,，因?yàn)?00V的電壓剛好處在功率效率的較高有效范圍之內(nèi),。3、濺射能量低,。磁控靶電壓施加較低,，磁場(chǎng)將等離子體約束在陰極附近，可防止較高能量的帶電粒子入射到基材上,。

為了解決陰極濺射的缺陷,，人們?cè)?0世紀(jì)70年代的時(shí)候開發(fā)出了直流磁控濺射技術(shù)，它有效地克服了陰極濺射速率低和電子使基片溫度升高的弱點(diǎn),，因而獲得了迅速發(fā)展和普遍應(yīng)用,。其原理是：在磁控濺射中，由于運(yùn)動(dòng)電子在磁場(chǎng)中受到洛侖茲力,，它們的運(yùn)動(dòng)軌跡會(huì)發(fā)生彎曲甚至產(chǎn)生螺旋運(yùn)動(dòng),，其運(yùn)動(dòng)路徑變長(zhǎng)，因而增加了與工作氣體分子碰撞的次數(shù),，使等離子體密度增大,，從而磁控濺射速率得到很大的提高，而且可以在較低的濺射電壓和氣壓下工作,，降低薄膜污染的傾向,；另一方面也提高了入射到襯底表面的原子的能量，因而可以在很大程度上改善薄膜的質(zhì)量,。同時(shí),，經(jīng)過(guò)多次碰撞而喪失能量的電子到達(dá)陽(yáng)極時(shí)，已變成低能電子,，從而不會(huì)使基片過(guò)熱,。因此磁控濺射法具有“高速”、“低溫”的優(yōu)點(diǎn),。該方法的缺點(diǎn)是不能制備絕緣體膜，而且磁控電極中采用的不均勻磁場(chǎng)會(huì)使靶材產(chǎn)生明顯的不均勻刻蝕,，導(dǎo)致靶材利用率低,，一般只為20%-30%。磁控濺射是眾多獲得高質(zhì)量的薄膜技術(shù)當(dāng)中使用較普遍的一種鍍膜工藝,。

磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái),，在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng)，解決了二極濺射沉積速率低,，等離子體離化率低等問(wèn)題,，成為鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn)：可制備成靶的材料廣,，幾乎所有金屬,，合金和陶瓷材料都可以制成靶材,；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金,；在濺射的放電氣氛中加入氧,、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜,；通過(guò)精確地控制濺射鍍膜過(guò)程,，容易獲得均勻的高精度的膜厚；通過(guò)離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài),，濺射靶的安裝不受限制,，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì)；濺射鍍膜速度快,，膜層致密,，附著性好等特點(diǎn)，很適合于大批量,，高效率工業(yè)生產(chǎn),。磁控濺射法實(shí)現(xiàn)了高速、低溫,、低損傷,。上海磁控濺射步驟

磁控濺射的優(yōu)點(diǎn)：膜的牢固性好。云南高質(zhì)量磁控濺射技術(shù)

脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積,。脈沖濺射可以有效地抑制電弧產(chǎn)生進(jìn)而消除由此產(chǎn)生的薄膜缺陷,，同時(shí)可以提高濺射沉積速率，降低沉積溫度等一系列明顯的優(yōu)點(diǎn),，是濺射絕緣材料沉積的首先選擇的工藝過(guò)程,。高功率脈沖磁控濺射技術(shù)作為一種高離化率物理中氣相沉積技術(shù)，可以明顯提高薄膜結(jié)構(gòu)可控性,，進(jìn)而獲得優(yōu)異的薄膜性能,，對(duì)薄膜工業(yè)的發(fā)展有重要意義。近幾年來(lái),，高功率脈沖磁控濺射技術(shù)在國(guó)內(nèi)外研究領(lǐng)域和工業(yè)界受到了普遍關(guān)注和重視,。云南高質(zhì)量磁控濺射技術(shù)