真空鍍膜的方法：真空蒸鍍法：真空蒸鍍是將裝有基片的真空室抽成真空,然后加熱被蒸發(fā)的鍍料,使其原子或分子從表面氣化逸出,形成蒸氣流,入射到基片表面,凝結(jié)形成固體薄膜的技術(shù),。根據(jù)蒸發(fā)源的不同可以將真空蒸鍍分為電阻加熱蒸發(fā)源,、電子束蒸發(fā)源、高頻感應(yīng)蒸發(fā)源及激光束蒸發(fā)源蒸鍍法,。電阻蒸發(fā)源是用低電壓大電流加熱燈絲和蒸發(fā)舟,利用電流的焦耳熱是鍍料熔化,、蒸發(fā)或升華,。這種方式結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,造價(jià)低廉,使用相當(dāng)普遍。采用真空蒸鍍法在純棉織物表面制備負(fù)載TiO2織物,紫外線透過(guò)率都比未負(fù)載的純棉織物的低,具有好的抗紫外線性能,制備TiO2薄膜時(shí),膜層較均勻,當(dāng)在玻璃表面蒸鍍一層鉻鈦,、鎳鈦合金等裝飾薄膜,裝飾效果,光學(xué),、耐磨,、耐蝕性能良好。真空鍍膜機(jī)鍍鋁層導(dǎo)電性能好,，能消除靜電效應(yīng),。南京真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜：磁控濺射法：濺射鍍膜較初出現(xiàn)的是簡(jiǎn)單的直流二極濺射，它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡(jiǎn)單,，但是直流二極濺射沉積速率低,；為了保持自持放電，不能在低氣壓(<0,。1Pa)下進(jìn)行,；不能濺射絕緣材料等缺點(diǎn)限制了其應(yīng)用。磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái),，在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng),，解決了二極濺射沉積速率低，等離子體離化率低等問(wèn)題,，成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一,。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn)：可制備成靶的材料廣，幾乎所有金屬,，合金和陶瓷材料都可以制成靶材,；在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式，可沉積配比精確恒定的合金,；在濺射的放電氣氛中加入氧,、氮或其它活性氣體，可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜,；通過(guò)精確地控制濺射鍍膜過(guò)程，容易獲得均勻的高精度的膜厚,；通過(guò)離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài),，濺射靶的安裝不受限制，適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計(jì),；濺射鍍膜速度快,，膜層致密，附著性好等特點(diǎn),，很適合于大批量,，高效率工業(yè)生產(chǎn)。近年來(lái)磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快,，具有代表性的方法有射頻濺射,、反應(yīng)磁控濺射、非平衡磁控濺射,、脈沖磁控濺射,、高速濺射等,。汕頭真空鍍膜技術(shù)熱氧化是在一定的溫度和氣體條件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的,。主要有干法氧化和濕法氧化,。

真空鍍膜：真空蒸鍍是在真空條件下，將鍍料靶材加熱并蒸發(fā),，使大量的原子,、分子氣化并離開(kāi)液體鍍料或離開(kāi)固體鍍料表面（或升華），并較終沉積在基體表面上的技術(shù),。在整個(gè)過(guò)程中,，氣態(tài)的原子、分子在真空中會(huì)經(jīng)過(guò)很少的碰撞而直接遷移到基體,，并沉積在基體表面形成薄膜,。蒸發(fā)的方法包括電阻加熱，高頻感應(yīng)加熱,，電子束,、激光束、離子束高能轟擊鍍料等,。真空蒸鍍是PVD法中使用較早的技術(shù),。將鍍料加熱到蒸發(fā)溫度并使之氣化，這種加熱裝置稱為蒸發(fā)源,。較常用的蒸發(fā)源是電阻蒸發(fā)源和電子束蒸發(fā)源,，特殊用途的蒸發(fā)源有高頻感應(yīng)加熱、電弧加熱,、輻射加熱,、激光加熱蒸發(fā)源等。

使用磁控濺射法沉積硅薄膜,通過(guò)優(yōu)化薄膜沉積的工藝參數(shù)(包括本地真空,、濺射功率,、濺射氣壓等）,以期用濺射法終后制備出高質(zhì)量的器件級(jí)硅薄膜提供科學(xué)數(shù)據(jù)。磁控濺射法是一種簡(jiǎn)單,、低溫,、快速的成膜技術(shù),能夠不使用有毒氣體和可燃性氣體進(jìn)行摻雜和成膜,直接用摻雜靶材濺射沉積,此法節(jié)能、高效,、環(huán)保,。可通過(guò)對(duì)氫含量和材料結(jié)構(gòu)的控制實(shí)現(xiàn)硅薄膜帶隙和性能的調(diào)節(jié),。與其它技術(shù)相比,磁控濺射法優(yōu)勢(shì)是它的沉積速率快,具有誘人的成膜效率和經(jīng)濟(jì)效益,，實(shí)驗(yàn)簡(jiǎn)單方便。PECVD,，等離子體化學(xué)氣相沉積法是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,。

真空鍍膜是指在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料,，使其蒸發(fā)并凝結(jié)于鍍件（金屬、半導(dǎo)體或絕緣體）表面而形成薄膜的一種方法,。例如,，真空鍍鋁、真空鍍鉻等,。真空鍍膜是真空應(yīng)用領(lǐng)域的一個(gè)重要方面,，它是以真空技術(shù)為基礎(chǔ)，利用物理或化學(xué)方法,，并吸收電子束,、分子束、離子束,、等離子束,、射頻和磁控等一系列新技術(shù)，為科學(xué)研究和實(shí)際生產(chǎn)提供薄膜制備的一種新工藝,。簡(jiǎn)單地說(shuō),，在真空中把金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)或?yàn)R射,，使其在被涂覆的物體（稱基板,、基片或基體）上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜,。真空鍍膜的主要功能包括賦予被鍍件表面高度金屬光澤和鏡面效果,。南京真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜機(jī)鍍膜常用在相機(jī)、望遠(yuǎn)鏡,，顯微鏡的目鏡,、物鏡、棱鏡的表面,，用以增加像的照度,。南京真空鍍膜工藝流程

真空鍍膜：電子束蒸發(fā)法：電子束蒸發(fā)法是將蒸發(fā)材料放入水冷銅坩鍋中，直接利用電子束加熱,，使蒸發(fā)材料氣化蒸發(fā)后凝結(jié)在基板表面形成膜，是真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)中的一種重要的加熱方法和發(fā)展方向,。電子束蒸發(fā)克服了一般電阻加熱蒸發(fā)的許多缺點(diǎn),，特別適合制作熔點(diǎn)薄膜材料和高純薄膜材料。激光蒸發(fā)法：采用激光束蒸發(fā)源的蒸鍍技術(shù)是一種理想的薄膜制備方法,。這是由于激光器是可以安裝在真空室之外,，這樣不但簡(jiǎn)化了真空室內(nèi)部的空間布置，減少了加熱源的放氣,，而且還可完全避免了蒸發(fā)氣對(duì)被鍍材料的污染,，達(dá)到了膜層純潔的目的,。此外，激光加熱可以達(dá)到極高的溫度,，利用激光束加熱能夠?qū)δ承┖辖鸹蚧衔镞M(jìn)行快速蒸發(fā),。這對(duì)于保證膜的成分，防止膜的分餾或分解也是極其有用的,。激光蒸發(fā)鍍的缺點(diǎn)是制作大功率連續(xù)式激光器的成本較高,，所以它的應(yīng)用范圍有一定的限制，導(dǎo)致其在工業(yè)中的普遍應(yīng)用有一定的限制,。南京真空鍍膜工藝流程