微納加工MEMS器件設計：根據客戶需求,，初步確定材料,、工藝、和技術路線，并出具示意圖,。版圖設計：在器件設計的基礎上,，將客戶需求細化,，并轉化成版圖設計,。工藝設計：設計具體的工藝路線和實現(xiàn)路徑，生產工藝流程圖等技術要求,。工藝流片：根據工藝設計和版圖設計,，小批量試樣驗證。批量生產：在工藝流片的基礎上,，進行批量驗證生產,。MEMS微型傳感器及微機械結構圖：微納加工技術是先進制造的重要組成部分，是衡量國家高質量的制造業(yè)水平的標志之一，具有多學科交叉性和制造要素極端性的特點,，在推動科技進步,、促進產業(yè)發(fā)展、拉動科技進步,、保障**安全等方面都發(fā)揮著關鍵作用,。微納加工技術的基本手段包括微納加工方法與材料科學方法兩種。很顯然,，微納加工技術與微電子工藝技術有密切關系,。微納制造的加工材料多種多樣。石家莊MENS微納加工

無論是大批量還是小規(guī)模生產定制產品,，都需要開發(fā)新一代的模塊化,、知識密集的、可升級的和可快速配置的生產系統(tǒng),。而這將用到那些新近涌現(xiàn)出來的微納技術研究成果以及新的工業(yè)生產理論體系,。給出了微納制造系統(tǒng)與平臺的發(fā)展前景。未來幾年微納制造系統(tǒng)和平臺的發(fā)展前景包括以下幾個方面：（1）微納制造系統(tǒng)的設計,、建模和仿真,；（2）智能的、可升級的和適應性強的微納制造系統(tǒng)（工藝,、設備和工具集成）,；（3）新型靈活的、模塊化的和網絡化的系統(tǒng)結構,，以構筑基于制造的知識,。石家莊MENS微納加工微納加工技術的特點多學科交叉。

高精度的微細結構可以通過電子束直寫或激光直寫制作,，這類光刻技術,，像“寫字”一樣,，通過控制聚焦電子束（光束）移動書寫圖案進行曝光,，具有很高的曝光精度，但這兩種方法制作效率極低,，尤其在大面積制作方面捉襟見肘,，目前直寫光刻技術適用于小面積的微納結構制作。近年來,，三維浮雕微納結構的需求越來越大,，如閃耀光柵、菲涅爾透鏡,、多臺階微光學元件等,。據悉，蘋果公司新上市的手機產品中人臉識別模塊就采用了多臺階微光學元件，以及當下如火如荼的無人駕駛技術中激光雷達光學系統(tǒng)也用到了復雜的微光學元件,。這類精密的微納結構光學元件需采用灰度光刻技術進行制作,。直寫技術，通過在光束移動過程中進行相應的曝光能量調節(jié),，可以實現(xiàn)良好的灰度光刻能力,。

聚合物微納系統(tǒng)是較具應用前景的微納機電系統(tǒng)之一，按照微納制品的空間結構形式可以分為一維,、二維和三維微納制造,。一維微納制造：微流控芯片、導光板,、納米薄膜,、微納過濾材料、微納復合材料及器件等,；二維微納制造：納米纖維,、納米中空纖維等；三維微納制造：微泵,、微換熱器,、微型減速器、微型按插件等,。聚合物是許多微納米系統(tǒng)的基礎材料,，聚合物微納系統(tǒng)是較有希望在近期實現(xiàn)實際應用的系統(tǒng)之一，聚合物微納尺度制造科學與技術在微納制造技術中占有極其重要的地位,。聚合物微加工工藝除了LIGA加工,、準LIGA加工、小機械加工,、超聲波加工,、等離子體加工、激光加工,、離子束加工,、電子束加工和快速成形等工藝外，還包括微注塑成型,、微擠出成型以及微壓印成型等,。微納結構器件是系統(tǒng)重要的組成部分，其制造的質量,、效率和成本直接影響著行業(yè)的發(fā)展,。

電子束的能量越高，束斑的直徑就越小,，比如10keV的電子束斑直徑為4nm,，20keV時就減小到2nm,。電子束的掃描步長由束斑直徑所限制。步長過大,，不能實現(xiàn)緊密地平面束掃描;步長過小,，電子束掃描區(qū)域會受到過多的電子散射作用。電子束流劑量由電子束電流強度和駐留時間所決定,。電子束流劑量過小,，抗蝕劑不能完全感光;電子束流劑量過大，圖形邊緣的抗蝕劑會受到過多的電子散射作用,。由于高能量的電子波長要比光波長短成百上千倍,，因此限制分辨率的不是電子的衍射，而是各種電子像散和電子在抗蝕劑中的散射,。電子散射會使圖形邊緣內側的電子能量和劑量降低,，產生內鄰近效應;同時散射的電子會使圖形邊緣外側的抗蝕劑感光，產生外鄰近效應,。內鄰近效應使垂直的圖形拐角圓弧化,，而外鄰近效應使相鄰的圖形邊緣趨近和模糊。微納檢測主要是表征檢測：原子力顯微鏡,、掃描電鏡,、掃聲波掃描顯微鏡、白光干涉儀,、臺階儀等,。綿陽微納加工器件

微納制造技術是微傳感器、微執(zhí)行器,、微結構和功能微納系統(tǒng)制造的基本手段和重要基礎,。石家莊MENS微納加工

ICP（感應耦合等離子）刻蝕GaN是物料濺射和化學反應相結合的復雜過程?？涛gGaN主要使用到氯氣和三氯化硼,，刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射,，產生活性的Ga和N原子,，氮原子相互結合容易析出氮氣，Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3,。光刻（Photolithography)是一種圖形轉移的方法,，在微納加工當中不可或缺的技術,。光刻是一個比較大的概念,，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物,。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面,。3.曝光,。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間,。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間,，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中。5.后烘,。將顯影后的襯底放置熱板上后烘,，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。石家莊MENS微納加工