氧化鉿(HfO2)為鋯鉿分離的產(chǎn)物,,目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿,。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr,,并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,,價(jià)格昂貴,。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,通常用作光學(xué)鍍膜材料,,很少量開始試用于高效集成電路,,氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高,、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大,,捕Chemicalbook獲中子的能力強(qiáng),化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,,因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值,。自上世紀(jì)以來,光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,,HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,,所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,特別是它對光有比較寬的透明波段,,在光透過氧化鉿薄膜時(shí),,對光的吸收少,大部分通過折射透過薄膜,,因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視,。氧化鉿的MSDS。,。,。。吉林氧化鉿吸入防護(hù)
氧化鉿為白色立方晶體,,比重9.68,。熔點(diǎn)2,,758±25℃。沸點(diǎn)約5,,400℃,。單斜晶系的二氧化鉿在1,475~1,,600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系,。不溶于水和一般無機(jī)酸,但在氫氟酸中緩慢溶解,?;瘜W(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿Chemicalbook[Hf(SO4)2],與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4),,與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6),,與碳在1,500℃以上作用形成碳化鉿HfC,。制備氧化鉿可由鉿的碳化物,、四氯化物、硫化物,、硼化物,、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取。安徽有口碑的氧化鉿氧化鉿的分子量是多少,?
在碳化過程中可有Hf2O3與HfO形成,,但是對此研究較少。性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體,,比重9.68,。熔點(diǎn)2,758±25℃,。沸點(diǎn)約5,,400℃。單斜晶系的二氧化鉿在1,,475~1,,600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系。不溶于水和一般無Chemicalbook機(jī)酸,,但在氫氟酸中緩慢溶解,。化學(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[Hf(SO4)2],,與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4),,與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6),與碳在1,,500℃以上作用形成碳化鉿HfC,。
中文名二氧化鉿外文名Hafnium(IV)oxide別名氧化鉿(IV)化學(xué)式HfO2分子量210.49CAS登錄號12055-23-1EINECS登錄號235-013-2熔點(diǎn)2758℃沸點(diǎn)5400℃水溶性難溶于水密度9.68g/cm3外觀白色固體應(yīng)用遠(yuǎn)紅外波段材料
性質(zhì)白色粉末,,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu),。密度分別為10.3,,10.1和10.43g/cm3。熔點(diǎn)2780~2920K,。沸點(diǎn)5400K。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃,。不溶于水,、鹽酸和硝酸,可溶于濃硫酸和氟氫酸,。由硫酸鉿,、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料,。用作耐火材料,、抗放射性涂料和催化劑。 氧化鉿的生產(chǎn)方法有那些,?
產(chǎn)品特點(diǎn):白色粉末,,有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu),。密度分別為10.3,,10.1和9.68g/cm3。熔點(diǎn)2780~2920K,。沸點(diǎn)5400K,。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水,、鹽酸和硝酸,,可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿,、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取,。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料,、抗放射性涂料和催化劑,。產(chǎn)品應(yīng)用:二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,,由于它可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),,以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。氧化鉿的危險(xiǎn)性符號,?湖北氧化鉿直銷價(jià)格
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氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高,、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大,捕獲中子的能力強(qiáng),,化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,,因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值。自上世紀(jì)以來,,光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,,HfO2在光學(xué)方面的特性Chemicalbook已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,,特別是它對光有比較寬的透明波段,,在光透過氧化鉿薄膜時(shí),對光的吸收少,,大部分通過折射透過薄膜,,因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。吉林氧化鉿吸入防護(hù)