中文名二氧化鉿外文名Hafnium(IV)oxide別名氧化鉿(IV)化學(xué)式HfO2分子量210.49CAS登錄號(hào)12055-23-1EINECS登錄號(hào)235-013-2熔點(diǎn)2758℃沸點(diǎn)5400℃水溶性難溶于水密度9.68g/cm3外觀白色固體應(yīng)用遠(yuǎn)紅外波段材料

性質(zhì)白色粉末,，有單斜,、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3,，10.1和10.43g/cm3,。熔點(diǎn)2780～2920K,。沸點(diǎn)5400K,。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃,。不溶于水、鹽酸和硝酸,，可溶于濃硫酸和氟氫酸,。由硫酸鉿,、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取,。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料,、抗放射性涂料和催化劑,。 氧化鉿必要的急救措施描述？化學(xué)試劑氧化鉿氣味

應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物,，目前只有美,、法等國(guó)家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿。中國(guó)早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí)Zr,，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力,。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少，價(jià)格昂貴,。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,，通常用作光學(xué)鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路,，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā),。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook,，捕獲中子的能力強(qiáng),，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值,。自上世紀(jì)以來,，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,，特別是它對(duì)光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時(shí),，對(duì)光的吸收少,，大部分通過折射透過薄膜,，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。生產(chǎn)方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿,。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得,。河南氧化鉿價(jià)格表格氧化鉿薄膜的特性與應(yīng)用？

基本信息IUPAC名稱：dioxohafnium元素含量比重：O(oxygen)15.2%,、Hf(hafnium)84.8%密度：9.68g/cm3熔點(diǎn)：2758℃摩爾質(zhì)量：210.49g/molCAS號(hào)：12055-23-1蒸發(fā)壓力：在2678℃時(shí)1Pa,；在2875℃時(shí)10Pa線膨脹系數(shù)：5.6×10-6/K溶解度：不溶解于水純度:99.99薄膜特性：透光范圍～220～12000nm；折射率（250nm）～2.15（500nm）～2蒸發(fā)條件：用電子***,，氧分壓～1～2×10-2Pa,。蒸發(fā)溫度～2600～2800℃，基片溫度～250℃,，蒸發(fā)速率2nm/s應(yīng)用領(lǐng)域:UV增透膜,，干涉膜

應(yīng)用領(lǐng)域金屬鋯及其化合物的原料用于制金屬鋯和鋯化合物、制耐火磚和坩鍋,、高頻陶瓷,、研磨材料、陶瓷顏料和鋯酸鹽等主要用于壓電陶瓷制品,、日用陶瓷,、耐火材料及貴重金屬熔煉用的鋯磚、鋯管,、坩堝等,。也用于生產(chǎn)鋼及有色金屬、光學(xué)玻璃和二氧化鋯纖維,。還用于陶瓷顏料,、靜電涂料及烤漆。用于環(huán)氧樹脂中可增加耐熱鹽水的腐蝕,。耐火材料氧化鋯纖維是一種多晶質(zhì)耐火纖維材料,。由于ZrO2物質(zhì)本身的高熔點(diǎn)、不氧化和其他高溫優(yōu)良特性,，使得ZrO2纖維具有比氧化鋁纖維,、莫來石纖維、硅酸鋁纖維等其他耐火纖維品種更高的使用溫度,。氧化鋯纖維在1500℃以上超高溫氧化氣氛下長(zhǎng)期使用,，最高使用溫度高達(dá)2200℃，甚至到2500℃仍可保持完整的纖維形狀,，并且高溫化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,、耐腐蝕、抗氧化,、抗熱震,、不揮發(fā),、無污染，是目前國(guó)際上**前列的一種耐火纖維材料,。ZrO2的耐酸堿腐蝕能力**強(qiáng)于SiO2和Al2O3,。不溶于水，溶于硫酸及氫氟酸,；微溶于鹽酸和硝酸,。能與堿共熔生成鋯酸鹽。氧化鉿的 泄露應(yīng)急處理,？

用途為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料,。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化劑,。生產(chǎn)方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿,。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體,，比重9.68,。熔點(diǎn)2,，758±25℃,。沸點(diǎn)約5，400℃,。單斜晶系的二氧化鉿在1,，475～1，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系,。不溶于水和一般無機(jī)酸,，但在氫氟酸中緩慢溶解?；瘜W(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[ChemicalbookHf(SO4)2],，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4)，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6),，與碳在1,，500℃以上作用形成碳化鉿HfC。制備氧化鉿可由鉿的碳化物,、四氯化物,、硫化物、硼化物,、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取,。應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿的毒理學(xué)數(shù)據(jù)？廣東氧化鉿市價(jià)

氧化鉿的氫鍵供體數(shù)量,？化學(xué)試劑氧化鉿氣味

產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物,。作為一種介電材料,，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV),，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,，HfO2被認(rèn)為是替代場(chǎng)效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm,，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會(huì)帶來芯片的發(fā)熱量增加,、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小,，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄,，但是漏電流的數(shù)值會(huì)因?yàn)榱孔有?yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì),。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。化學(xué)試劑氧化鉿氣味