氧化鉿性質(zhì)熔點2810°C密度9.68g/mLat25°C(lit.)折射率2.13(1700nm)形態(tài)powder顏色Off-white比重9.68水溶解性Insolubleinwater.Merck14,4588InChemicalbookChIKeyCJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-NCAS數(shù)據(jù)庫12055-23-1(CASDataBaseReference)EPA化學(xué)物質(zhì)信息Hafniumoxide(HfO2)(12055-23-1)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末,。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體,。在＜400℃煅燒氫氧化鉿,、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿,。將其氧化鉿Chemicalbook繼續(xù)加熱至450~480℃,，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢,，并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體,。當(dāng)1700~1865℃時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系。氧化鉿的折射率是多少,？質(zhì)量好氧化鉿廠家
性質(zhì)氧化鉿為白色立方晶體,，比重9.68。熔點2,，758±25℃,。沸點約5，400℃,。單斜晶系的二氧化鉿在1,，475～1，600℃足量氧氣氛中轉(zhuǎn)化為四方晶系,。不溶于水和一般無機酸,，但在氫氟酸中緩慢溶解。Chemicalbook化學(xué)反應(yīng)與熱的濃硫酸或酸式硫酸鹽作用形成硫酸鉿[Hf(SO4)2],，與碳混合后加熱通氯生成四氯化鉿(HfCl4),，與氟硅酸鉀作用生成氟鉿酸鉀(K2HfF6)，與碳在1,，500℃以上作用形成碳化鉿HfC,。制備氧化鉿可由鉿的碳化物、四氯化物,、硫化物,、硼化物、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取,。云南氧化鉿廠家氧化鉿的安全操作的注意事項,？
中文名氧化鉿(IV)英文名Hafnium(IV)oxide中文別名氧化鉿(III)|二氧化鉿|氧化鉿物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末。純氧化鉿以三種形式存在,，一種是無定型狀態(tài),，另外兩種為晶體。在＜400℃煅燒氫氧化鉿,、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時，可以得到無定型氧化鉿。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃,，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢，并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體,。當(dāng)1700~1865℃Chemicalbook時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系,。向氧化鉿中添加少量氧化鎂、氧化鈣,、氧化錳等氧化鉿,，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣,，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm,。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系,。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3,，熔點3031K，沸點5673K,。
氧化鉿用途與合成方法物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末,。純氧化鉿以三種形式存在，一種是無定型狀態(tài),，另外兩種為晶體,。在＜400℃煅燒氫氧化鉿、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時,，可以得到無定型氧化鉿,。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢,，并轉(zhuǎn)化為4個氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~Chemicalbook1865℃時開始轉(zhuǎn)化為四方晶系,。向氧化鉿中添加少量氧化鎂,、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿,，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體,。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm,。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時,，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3,，熔點3031K,，沸點5673K。氧化鉿的英文名稱是什么？
產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物,。作為一種介電材料,，因其較高的介電常數(shù)值(~20)，較大的禁帶寬度(~5.5eV),，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,，HfO2被認(rèn)為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料。如果互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm,，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加,、多晶硅損耗等一系列問題，隨著晶體管的尺寸縮小,，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄,，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì),。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題,。氧化鉿的毒理學(xué)數(shù)據(jù)？西藏質(zhì)量好氧化鉿
氧化鉿的氫鍵供體數(shù)量,？質(zhì)量好氧化鉿廠家
氧化鉿又稱氧化鉿(IV),，它是一種無機化工產(chǎn)品，其分子式為HfO2,，分子量為210.4888,。產(chǎn)品特性與用途二氧化鉿(HfO2)是一種具有較高介電常數(shù)的氧化物。作為一種介電材料,，因其較高的介電常數(shù)值(~20),，較大的禁帶寬度(~5.5eV)，以及在硅基底上良好的穩(wěn)定性,，HfO2被認(rèn)為是替代場效應(yīng)晶體管中傳統(tǒng)SiO2介電層的理想材料,。如果互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件尺寸低于1μm，以二氧化硅為傳統(tǒng)柵介質(zhì)的技術(shù)會帶來芯片的發(fā)熱量增加,、多晶硅損耗等一系列問題,，隨著晶體管的尺寸縮小，二氧化硅介質(zhì)要求必須越來Chemicalbook越薄,，但是漏電流的數(shù)值會因為量子效應(yīng)的影響隨著二氧化硅介質(zhì)厚度的較小而急劇升高,，所以急需一種更可行的物質(zhì)來取代二氧化硅作為柵介質(zhì)。二氧化鉿是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它很可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO2/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。質(zhì)量好氧化鉿廠家