制備氧化鉿可由鉿的碳化物,、四氯化物,、硫化物,、硼化物,、氮化物或水合氧化物直接高溫灼燒制取,。應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物,，目前只有美,、法等國(guó)家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿。中國(guó)早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí)Zr,，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力,。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少，價(jià)格昂貴,。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,，通常用作光學(xué)鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路,，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā),。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HChemicalbookfO2的熔點(diǎn)比較高、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大,，捕獲中子的能力強(qiáng)，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定,，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值,。自上世紀(jì)以來(lái)，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展,，HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來(lái)越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來(lái)越***，特別是它對(duì)光有比較寬的透明波段,，在光透過(guò)氧化鉿薄膜時(shí),，對(duì)光的吸收少，大部分通過(guò)折射透過(guò)薄膜,，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越被重視。氧化鉿的性質(zhì)與穩(wěn)定性,？化學(xué)試劑氧化鉿身體防護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物,，目前只有美、法等國(guó)家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿,。中國(guó)早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí)Zr,，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,，價(jià)格昂貴,。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品，通常用作光學(xué)鍍膜材料,，很少量開始試用于高效集成電路,，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高,、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook,，捕獲中子的能力強(qiáng),，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值,。自上世紀(jì)以來(lái),，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來(lái)越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來(lái)越***,，特別是它對(duì)光有比較寬的透明波段，在光透過(guò)氧化鉿薄膜時(shí),，對(duì)光的吸收少,，大部分通過(guò)折射透過(guò)薄膜，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越被重視,。產(chǎn)品特性與用途山西氧化鉿均價(jià)氧化鉿的安全性描述？

氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物,，目前只有美,、法等國(guó)家在生產(chǎn)核級(jí)鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿。中國(guó)早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級(jí)Zr,，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力,。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少，價(jià)格昂貴,。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品，通常用作光學(xué)鍍膜材料,，很少量開始試用于高效集成電路，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā),。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高,、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大,，捕Chemicalbook獲中子的能力強(qiáng),，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值,。自上世紀(jì)以來(lái),，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來(lái)越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來(lái)越***,，特別是它對(duì)光有比較寬的透明波段，在光透過(guò)氧化鉿薄膜時(shí)，對(duì)光的吸收少,，大部分通過(guò)折射透過(guò)薄膜,，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越被重視。

文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化鉿(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化鉿;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化鉿,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化鉿(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICChemicalbookALLY英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%CAS號(hào):12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS號(hào):235-013-2氧化鉿的 泄露應(yīng)急處理,？

性質(zhì)白色粉末,，有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu),。密度分別為10.3,，10.1和10.43g/cm3。熔點(diǎn)2780～2920K,。沸點(diǎn)5400K,。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水,、鹽酸和硝酸,，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿,、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取,。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料,、抗放射性涂料和催化劑。應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它**可能替代硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題,。氧化鉿的銷售價(jià)格是多少,？江西氧化鉿應(yīng)急處理

氧化鉿的拓?fù)浞肿訕O性表面積？化學(xué)試劑氧化鉿身體防護(hù)

性質(zhì)白色粉末,，有單斜,、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu)。密度分別為10.3,，10.1和10.43g/cm3,。熔點(diǎn)2780~2920K。沸點(diǎn)5400K,。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃,。不溶于水、鹽酸和硝酸,，可溶于濃硫酸和氟氫酸,。由硫酸鉿、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料,。用作耐火材料,、抗放射性涂料和催化劑。

應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料,，近來(lái)在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問(wèn)題,。 化學(xué)試劑氧化鉿身體防護(hù)