氧化鉿用途與合成方法物理性質(zhì)氧化鉿（HfO2）是白色晶體粉末,。純氧化鉿以三種形式存在,，一種是無定型狀態(tài)，另外兩種為晶體,。在＜400℃煅燒氫氧化鉿,、氧氯化鉿等不穩(wěn)定的化合物時(shí)，可以得到無定型氧化鉿,。將其氧化鉿繼續(xù)加熱至450~480℃,，開始轉(zhuǎn)化為單斜晶體,，繼續(xù)加熱至1000~1650℃發(fā)生晶格常數(shù)逐步增加的趨勢,，并轉(zhuǎn)化為4個(gè)氧化鉿分子的單體。當(dāng)1700~Chemicalbook1865℃時(shí)開始轉(zhuǎn)化為四方晶系,。向氧化鉿中添加少量氧化鎂,、氧化鈣、氧化錳等氧化鉿,，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶體,。如向氧化鉿中加8%~20%氧化鈣，則晶格常數(shù)α相應(yīng)從0.5082nm增加至0.5098nm,。若添加的量達(dá)到形成CaHfO3時(shí),，則晶體結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)化為菱形晶系。單斜晶體氧化鉿的密度為9.68g/cm3,，熔點(diǎn)3031K,，沸點(diǎn)5673K。氧化鉿的生態(tài)學(xué)資料,？吉林氧化鉿的價(jià)格

文名稱:氧化鉿中文同義詞:氧化鉿(III);Hafnium(IV)鎜xide(99.998%-Hf)PURATREM;氧化鉿(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZR<1.5%;氧化鉿;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.5%;氧化鉿,SPECTROGRAPHICGRADE,99.9%(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<50PPM;氧化鉿(IV),99.995%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICALLY<0.2%;氧化鉿,99.95%,(METALSBASISEXCLUDINGZR),ZRTYPICChemicalbookALLY英文名稱:HAFNIUMOXIDE英文同義詞:HAFNIUMOXIDE,99.99%;HafniuM(IV)oxide,99.99%,(traceMetalbasis);dioxohafniuM;HafniuM(IV)oxide,(traceMetalbasis);Hafnium(IV)oxidepowder,98%;Hafniumoxide/99.999%;HAFNIUMOXIDE,99.8%;HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%HAFNIUMOXIDE,99.9%CAS號:12055-23-1分子式:HfO2分子量:210.49EINECS號:235-013-2氧化鉿純度氧化鉿的穩(wěn)定性和反應(yīng)活性,？

氧化鉿物理化學(xué)性質(zhì)密度9.68熔點(diǎn)2812oC分子式HfO2分子量210.48900精確質(zhì)量211.93600PSA34.14000外觀性狀粉末折射率2.13(1700nm)儲(chǔ)存條件常溫密閉，陰涼通風(fēng)干燥穩(wěn)定性常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料酸計(jì)算化學(xué)1,、氫鍵供體數(shù)量：12,、氫鍵受體數(shù)量：23,、可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量：04,、拓?fù)浞肿訕O性表面積（TPSA）：34.15、重原子數(shù)量：36,、表面電荷：07,、復(fù)雜度：18.38,、同位素原子數(shù)量：09、確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：010、不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：011,、確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：012,、不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：013、共價(jià)鍵單元數(shù)量：1,。

性質(zhì)白色粉末,，有單斜、四方和立方三種晶體結(jié)構(gòu),。密度分別為10.3,，10.1和10.43g/cm3。熔點(diǎn)2780~2920K,。沸點(diǎn)5400K,。熱膨脹系數(shù)5.8×10-6/℃。不溶于水,、鹽酸和硝酸,，可溶于濃硫酸和氟氫酸。由硫酸鉿,、氯氧化鉿等化合物熱分解或水解制取,。為生產(chǎn)金屬鉿和鉿合金的原料。用作耐火材料,、抗放射性涂料和催化劑,。

應(yīng)用二氧化鉿(HfO?)是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注,，由于它**可能替代目前硅基集成電路的**器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO?),，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。 氧化鉿的 氫鍵受體數(shù)量,？

應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物,，目前只有美、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿,。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr,，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少,，價(jià)格昂貴,。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品，通常用作光學(xué)鍍膜材料,，很少量開始試用于高效集成電路,，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā)。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高,、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook,，捕獲中子的能力強(qiáng),，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值,。自上世紀(jì)以來,，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時(shí),，對光的吸收少,，大部分通過折射透過薄膜，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視,。生產(chǎn)方法當(dāng)加熱到高溫時(shí)鉿與氧直接化合生成氧化鉿,。也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。氧化鉿的危險(xiǎn)性概述,？湖北氧化鉿批發(fā)

氧化鉿的折射率是多少,？吉林氧化鉿的價(jià)格

應(yīng)用領(lǐng)域氧化鉿（HfO2）為鋯鉿分離的產(chǎn)物，目前只有美,、法等國家在生產(chǎn)核級鋯時(shí)產(chǎn)生有氧化鉿,。中國早期就已經(jīng)具備生產(chǎn)核級Zr，并生產(chǎn)少量氧化鉿的能力,。但是產(chǎn)品數(shù)量稀少，價(jià)格昂貴,。作為鉿的主要化學(xué)產(chǎn)品,，通常用作光學(xué)鍍膜材料，很少量開始試用于高效集成電路,，氧化鉿在**領(lǐng)域的應(yīng)用尚待開發(fā),。氧化鉿在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用HfO2的熔點(diǎn)比較高、同時(shí)鉿原子的吸收截面較大Chemicalbook,，捕獲中子的能力強(qiáng),，化學(xué)性質(zhì)特別穩(wěn)定，因此在原子能工業(yè)中具有非常大應(yīng)用的價(jià)值,。自上世紀(jì)以來,，光學(xué)鍍膜得到了很快的發(fā)展，HfO2在光學(xué)方面的特性已經(jīng)越來越適應(yīng)光學(xué)鍍膜技術(shù)的要求,，所以HfO2在鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越***,，特別是它對光有比較寬的透明波段，在光透過氧化鉿薄膜時(shí),，對光的吸收少,，大部分通過折射透過薄膜,，因此HfO2在光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的應(yīng)用越來越被重視。產(chǎn)品特性與用途吉林氧化鉿的價(jià)格