從90年代后半期開始,，光刻光源就開始采用248nm的KrF激光,；而從2000年代開始，光刻就進(jìn)一步轉(zhuǎn)向使用193nm波長的ArF準(zhǔn)分子激光作為光源,。在那之后一直到目前的約20年里,，193nm波長的ArF準(zhǔn)分子激光一直是半導(dǎo)體制程領(lǐng)域性能可靠，使用較多的光刻光源。一般而言,，KrF（248nm）光刻膠使用聚對羥基苯乙烯及其衍生物作為成膜樹脂,，使用磺酸碘鎓鹽和硫鎓鹽作為光致酸劑；而ArF（193nm）光刻膠則多使用聚甲基丙烯酸酯衍生物,，環(huán)烯烴-馬來酸酐共聚物,，環(huán)形聚合物等作為成膜樹脂；由于化學(xué)結(jié)構(gòu)上的原因,，Arf(193nm)光刻膠需要比KrF（248nm）光刻膠更加敏感的光致酸劑,。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域不同，光刻膠可分為 PCB 光刻膠,、LCD 光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠,，技術(shù)門檻逐漸遞增。浦東負(fù)性光刻膠其他助劑

在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè),；主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等,。在大規(guī)模集成電路的制造過程中，一般要對硅片進(jìn)行超過十次光刻,。在每次的光刻和刻蝕工藝中,，光刻膠都要通過預(yù)烘、涂膠,、前烘,、對準(zhǔn)、曝光,、后烘,、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié)，將光罩（掩膜版）上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上,。

光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%,，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%-50%,。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大,。因此光刻膠是半導(dǎo)體集成電路制造的重要材料,。 化學(xué)放大型光刻膠集成電路材料光刻膠的研發(fā)是不斷進(jìn)行配方調(diào)試的過程，且難以通過現(xiàn)有產(chǎn)品反向解構(gòu)出其配方,，這對技術(shù)有很大的要求,。

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈中游：為光刻膠制造環(huán)節(jié),，當(dāng)前全球光刻膠生產(chǎn)制造商主要被日本JSR、信越化學(xué),、住友化學(xué),、東京應(yīng)化、美國陶氏化學(xué)等制造商所壟斷,，中國本土企業(yè)在光刻膠市場的份額較低,，與國外光刻膠制造商相比仍存明顯差距。

光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈下游：主要涉及半導(dǎo)體,、平板顯示器,、PCB等領(lǐng)域。伴隨消費升級,、應(yīng)用終端產(chǎn)品更新迭代速度加快,，下游應(yīng)用領(lǐng)域企業(yè)對半導(dǎo)體、平板顯示和PCB制造提出愈加精細(xì)化的要求,，將帶動光刻膠行業(yè)持續(xù)發(fā)展,。

離子束光刻技術(shù)可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻,。聚焦離子束光刻用途較多,，常以鎵離子修補傳統(tǒng)及相位轉(zhuǎn)移掩膜板；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+,、H2+,、H3+、He+,，以鏤空式模板,，縮小投影（4~5倍） 。離子束光刻與電子束直寫光刻技術(shù)類似,，不需要掩膜板,，應(yīng)用高能離子束直寫。離子束的散射沒有電子束那么強,，因此具有更好的分辨率,。液態(tài)金屬離子源為較簡單的曝光源：在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金，加熱融化后經(jīng)由外層為液態(tài)金屬表面產(chǎn)生的場使離子發(fā)射,，其發(fā)射面積很?。?lt;10 nm），因此利用離子光學(xué)系統(tǒng)可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細(xì)微離子束,，從而進(jìn)行高分辨率的離子束曝光,。亞甲基雙苯醚型光刻膠：這種類型的光刻膠適用于制造精度較低的電路元件。

按顯示效果分類,；光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠,。負(fù)性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩（掩膜版）相反；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同,。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致,，區(qū)別在于主要原材料不同。

按照化學(xué)結(jié)構(gòu)分類,；光刻膠可以分為光聚合型,，光分解型，光交聯(lián)型和化學(xué)放大型,。光聚合型光刻膠采用烯類單體,，在光作用下生成自由基，進(jìn)一步引發(fā)單體聚合,，生成聚合物,；光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑,，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)，可以制成正性光刻膠,；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),，而起到抗蝕作用,，可以制成負(fù)性光刻膠。 光刻膠市場 ArF 與 KrF 占據(jù)主流,，EUV 增長較快,。普陀LCD觸摸屏用光刻膠曝光

在選擇光刻膠時需要考慮化學(xué)性質(zhì)、照射時間,、敏感度和穩(wěn)定性等因素,，以確保所選的光刻膠能夠滿足制造要求。浦東負(fù)性光刻膠其他助劑

中美貿(mào)易摩擦：光刻膠國產(chǎn)代替是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迫切需要,；自從中美貿(mào)易摩擦依賴,，中國大陸積極布局集成電路產(chǎn)業(yè)。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,，光刻膠作為是集成電路制程技術(shù)進(jìn)步的“燃料”,，是國產(chǎn)代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國產(chǎn)化的產(chǎn)品,。光刻是半導(dǎo)制程的重要工藝,，對制造出更先進(jìn)，晶體管密度更大的集成電路起到?jīng)Q定性作用,。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術(shù)相匹配?，F(xiàn)在,，一塊半導(dǎo)體芯片在制造過程中一般需要進(jìn)行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求,。光刻膠若性能不達(dá)標(biāo)會對芯片成品率造成重大影響,。浦東負(fù)性光刻膠其他助劑

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