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在三氟乙酸的制備過程中，難免會(huì)帶入一些雜質(zhì),，其中一種三氟乙酸的除氟工藝,，是向反應(yīng)釜中加入含氟三氟乙酸和過量的活性氧化鋁,，其中,，三氟乙酸中的含氟雜質(zhì)與活性氧化鋁進(jìn)行絡(luò)合反應(yīng)，所述絡(luò)合反應(yīng)生成的氟化鋁絡(luò)合離子吸附在剩余的活性氧化鋁表面,；除去氟后的三氟乙酸在連續(xù)蒸餾...

與金屬納米顆粒和納米簇不同，金屬配合物光刻膠中金屬元素含量較低,，通常情況下每個(gè)光刻膠分子內(nèi)只有一個(gè)或幾個(gè)金屬原子,。能夠作為納米顆粒和納米簇配體的分子比較少，可修飾位點(diǎn)較少,；而金屬原子的配體種類較多，且容易連接活性基團(tuán),，因此金屬配合物光刻膠的設(shè)計(jì)更為靈活。但是,，...

一般的光刻工藝流程包括以下步驟：1）旋涂,。將光刻膠旋涂在基底上（通常為硅,，也可以為化合物半導(dǎo)體）,。2）前烘。旋涂后烘烤光刻膠膜,，確保光刻膠溶劑全部揮發(fā)。3）曝光,。經(jīng)過掩模版將需要的圖形照在光刻膠膜上，膠膜內(nèi)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),。4）后烘,。某些光刻膠除了需要發(fā)生光反應(yīng)...

三氟乙酸健康危害：吸入,、口服三氟乙酸或經(jīng)皮服吸收對(duì)身體有害。對(duì)眼睛,、粘膜,、呼吸道和皮膚有強(qiáng)烈刺激作用,。吸入后可能咽喉,、支氣管的痙攣,、炎癥,、水腫，化學(xué)性肺炎,、肺水腫而死亡。癥狀有燒灼感,、咳嗽、喘息,、氣短、喉炎,、頭疼,、惡心和嘔吐?？芍缕つw灼傷。燃爆危險(xiǎn)：該品不燃,，...

化學(xué)放大型光刻膠體系中有一個(gè)比較大的問題,，就是光酸的擴(kuò)散問題。光酸的擴(kuò)散會(huì)增加光刻過程的圖案的粗糙度,，進(jìn)而影響光刻結(jié)果的分辨率,。而將光致產(chǎn)酸劑與光刻膠主體材料聚合在一起，則有可能解決這一問題,。此外,，光致產(chǎn)酸劑（特別是離子型光致產(chǎn)酸劑）的化學(xué)結(jié)構(gòu)與主體材料相差較...

2014年,，印度理工學(xué)院曼迪分校的Gonsalves課題組將硫鎓離子連接在高分子側(cè)基上,，構(gòu)造了一系列非化學(xué)放大光刻膠,。該光刻膠主鏈為聚甲基丙烯酸甲酯，側(cè)基連接二甲基苯基硫鎓鹽作為光敏基團(tuán),，甲基作為惰性基團(tuán),，咔唑或苯甲酸作為增黏基團(tuán)。二甲基苯基硫鎓鹽通常用來作為...

盡管高分子體系一直是前代光刻膠的發(fā)展路線，但隨著光刻波長進(jìn)展到EUV階段,，高分子體系的缺點(diǎn)逐漸顯露出來。高分子化合物的分子量通常較大,，鏈段容易發(fā)生糾纏,，因此想要實(shí)現(xiàn)高分辨率、低粗糙度的光刻線條,，必須降低分子量,，從而減少分子體積。隨著光刻線條越來越精細(xì)，光刻膠的...

化學(xué)放大型光刻膠體系中有一個(gè)比較大的問題,，就是光酸的擴(kuò)散問題,。光酸的擴(kuò)散會(huì)增加光刻過程的圖案的粗糙度，進(jìn)而影響光刻結(jié)果的分辨率,。而將光致產(chǎn)酸劑與光刻膠主體材料聚合在一起,，則有可能解決這一問題。此外,，光致產(chǎn)酸劑（特別是離子型光致產(chǎn)酸劑）的化學(xué)結(jié)構(gòu)與主體材料相差較...

2014年,，Gonsalves課題組在側(cè)基連接硫鎓鹽的高分子光刻膠基礎(chǔ)之上，制備了一種側(cè)基含有二茂鐵基團(tuán)高分子光刻膠,。其反應(yīng)機(jī)理與不含二茂鐵的光刻膠類似,，但二茂鐵的引入增強(qiáng)了光刻膠的熱穩(wěn)定性和靈敏度，可實(shí)現(xiàn)25nm線寬的曝光,。2015年,，課題組報(bào)道了一系列鈀和...

2011年,，Whittaker課題組又使用聚砜高分子作為主體材料,，制備了鏈斷裂型非化學(xué)放大光刻膠,。聚砜與聚碳酸酯類似,，主鏈比PMMA更容易斷裂,，因此該光刻膠的靈敏度更高,。但較高的反應(yīng)活性也降低了其穩(wěn)定性,，因此Whittaker課題組又利用原子轉(zhuǎn)移自由基聚合法（...

除了枝狀分子之外,，環(huán)狀單分子樹脂近年來也得到了迅速發(fā)展,。這些單分子樹脂的環(huán)狀結(jié)構(gòu)降低了分子的柔性,，從而通常具有較高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熱化學(xué)穩(wěn)定性。由于構(gòu)象較多,，此類分子也難以結(jié)晶,，往往具有很好的成膜性。起初將杯芳烴應(yīng)用于光刻的是東京科技大學(xué)的Ueda課題組,，2...

在Shirota等的工作基礎(chǔ)之上,，2005年起，美國康奈爾大學(xué)的Ober課題組將非平面樹枝狀連接酸敏基團(tuán)的策略進(jìn)一步發(fā)展,，設(shè)計(jì)并合成了一系列用于EUV光刻的單分子樹脂光刻膠,，這些光刻膠分子不再局限于三苯基取代主要，具有更復(fù)雜的枝狀拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),。三級(jí)碳原子的引入使其...

小分子的分子量通常小于聚合物,，體積也小于聚合物，相對(duì)容易實(shí)現(xiàn)高分辨率,、低粗糙度的圖案,；而且制備工藝通常為多步驟的有機(jī)合成,，容易控制純度，可以解決高分子材料面臨的質(zhì)量穩(wěn)定性問題,。與高分子材料相比,，小分子材料的缺點(diǎn)是難以配制黏度較高的溶液，從而難以實(shí)現(xiàn)厚膜樣品的制...

除了枝狀分子之外,，環(huán)狀單分子樹脂近年來也得到了迅速發(fā)展,。這些單分子樹脂的環(huán)狀結(jié)構(gòu)降低了分子的柔性，從而通常具有較高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和熱化學(xué)穩(wěn)定性,。由于構(gòu)象較多,，此類分子也難以結(jié)晶，往往具有很好的成膜性,。起初將杯芳烴應(yīng)用于光刻的是東京科技大學(xué)的Ueda課題組,，2...

起初被廣泛應(yīng)用的化學(xué)放大型EUV光刻膠是環(huán)境穩(wěn)定的化學(xué)放大型光刻膠（ESCAP），該理念由IBM公司的光刻膠研發(fā)團(tuán)隊(duì)于1994年提出,，隨后Shipley公司也開展了系列研究,。ESCAP光刻膠由對(duì)羥基苯乙烯、苯乙烯,、丙烯酸叔丁酯共聚而成,，其酸敏基團(tuán)丙烯酸叔丁酯發(fā)...

2014年，印度理工學(xué)院曼迪分校的Gonsalves課題組將硫鎓離子連接在高分子側(cè)基上,，構(gòu)造了一系列非化學(xué)放大光刻膠,。該光刻膠主鏈為聚甲基丙烯酸甲酯，側(cè)基連接二甲基苯基硫鎓鹽作為光敏基團(tuán),，甲基作為惰性基團(tuán),，咔唑或苯甲酸作為增黏基團(tuán)。二甲基苯基硫鎓鹽通常用來作為...

光刻膠研發(fā)的目的,，是提高光刻的性能,。對(duì)光刻膠來說，重要的三個(gè)指標(biāo)是表征其關(guān)鍵光刻性能的分辨率,、靈敏度和粗糙度,。分辨率表征了光刻膠可以得到的小圖案尺寸，通常使用光刻特征圖形的尺寸,，即“關(guān)鍵尺寸”（CD）來表示,；靈敏度表示了光刻膠實(shí)現(xiàn)曝光、形成圖形所需的較小能量,；...

2010年，美國英特爾公司的Masson報(bào)道了一種含有Co的聚合物光刻膠,，由Co2（CO）8與高分子鏈中的炔烴部分絡(luò)合反應(yīng)生成,。EUV曝光后,，在光酸的作用下發(fā)生高分子斷鏈反應(yīng)，溶解度發(fā)生變化,，可形成30nm的光刻線條,，具有較高的靈敏度，但LER較差,。2014年...

KrF光刻時(shí)期,，與ESCAP同期發(fā)展起來的還有具有低活化能的酸致脫保護(hù)基團(tuán)的光刻膠，業(yè)界通稱低活化能膠或低溫膠,。與ESCAP相比,，低活化能膠無需高溫后烘，曝光能量寬裕度較高,，起初由日本的和光公司和信越公司開發(fā),，1993年，IBM公司的Lee等也研發(fā)了相同機(jī)理的...

目前使用的ZEP光刻膠即采用了前一種策略,。日本瑞翁公司開發(fā)的ZEP光刻膠起初用于電子束光刻,，常用的商用品種ZEP520A為α-氯丙烯酸甲酯和α-甲基苯乙烯的1∶1共聚物。氯原子的引入可提高靈敏度,，此外苯乙烯部分也可提高抗刻蝕性和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,。采用后一種策略時(shí)...

研究人員將金屬納米簇用于EUV光刻時(shí)，制備了幾種結(jié)構(gòu)為［（RSn）12O14（OH）6］X2（其中R為有機(jī)配體,，X為羧酸平衡陰離子）的錫氧納米簇,。錫氧納米簇對(duì)EUV光的吸收比有機(jī)光刻膠吸收要強(qiáng)，因此可以顯著提高光刻膠的靈敏度,；此外納米簇的體積也小于金屬氧化物的...

目前使用的ZEP光刻膠即采用了前一種策略,。日本瑞翁公司開發(fā)的ZEP光刻膠起初用于電子束光刻，常用的商用品種ZEP520A為α-氯丙烯酸甲酯和α-甲基苯乙烯的1∶1共聚物,。氯原子的引入可提高靈敏度,，此外苯乙烯部分也可提高抗刻蝕性和玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。采用后一種策略時(shí)...

全息光刻-單晶硅各向異性濕法刻蝕是制作大高度比硅光柵的一種重要且常用的方法,，全息光刻用來產(chǎn)生光刻膠光柵圖形,，單晶硅各向異性濕法刻蝕將圖形轉(zhuǎn)移到硅基底中形成硅光柵。這種方法制作的硅光柵質(zhì)量非常高,，側(cè)壁可以達(dá)到原子級(jí)光滑,，光柵線條的高度比可以高達(dá)160。但由于單晶...

在EUV圖形曝光工序中,，光致產(chǎn)酸劑產(chǎn)生光酸,，這些光酸一方面可以與光刻膠主體材料的離去基團(tuán)反應(yīng)，另一方面也可使光敏劑前體變?yōu)楣饷魟?。EUV曝光結(jié)束后,，曝光區(qū)域富集了大量的光敏劑,。再進(jìn)行UV整片曝光，此時(shí),，只有富集了光敏劑的區(qū)域可以吸收UV光,，光敏劑作為天線，使膠...

熱壓法能夠有效增大光刻膠光柵的占寬比你,，工藝簡單,、可靠，無需昂貴設(shè)備,、成本低,，獲得的光柵質(zhì)量高、均勻性好,。將該方法應(yīng)用到大寬度比的硅光柵的制作工藝中,，硅光柵線條的高度比達(dá)到了12.6，氮化硅光柵掩模的占寬比更是高達(dá)0.72,，光柵質(zhì)量很高,，線條粗細(xì)均勻、邊緣光滑...

考慮到杯芳烴化合物的諸多優(yōu)點(diǎn),，2006年,，Ober課題組將其酚羥基用t-Boc基團(tuán)部分保護(hù)，制備了可在EUV光下實(shí)現(xiàn)曝光的化學(xué)放大型光刻膠,，獲得了50nm線寬,、占空比為1∶2的光刻線條和40nm線寬的“L”形光刻圖形，與非化學(xué)放大型杯芳烴光刻膠相比,，靈敏度提高...

由于EUV光刻膠膜較薄,，通常小于100nm，對(duì)于精細(xì)的線條,，甚至不足50nm,，因此光刻膠頂部與底部的光強(qiáng)差異便顯得不那么重要了。而很長一段時(shí)間以來,，限制EUV光刻膠發(fā)展的都是光源功率太低,，因此研發(fā)人員開始反過來選用對(duì)EUV光吸收更強(qiáng)的元素來構(gòu)建光刻膠主體材料。...

2010年,，美國英特爾公司的Masson報(bào)道了一種含有Co的聚合物光刻膠,，由Co2（CO）8與高分子鏈中的炔烴部分絡(luò)合反應(yīng)生成。EUV曝光后,，在光酸的作用下發(fā)生高分子斷鏈反應(yīng),，溶解度發(fā)生變化，可形成30nm的光刻線條,，具有較高的靈敏度,，但LER較差,。2014年...

一般的光刻工藝流程包括以下步驟：1）旋涂。將光刻膠旋涂在基底上（通常為硅,，也可以為化合物半導(dǎo)體）。2）前烘,。旋涂后烘烤光刻膠膜,，確保光刻膠溶劑全部揮發(fā)。3）曝光,。經(jīng)過掩模版將需要的圖形照在光刻膠膜上,，膠膜內(nèi)發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。4）后烘,。某些光刻膠除了需要發(fā)生光反應(yīng)...

從光刻設(shè)備角度來看,，EUV光刻與其他波長光刻關(guān)鍵的兩點(diǎn)差異是光源強(qiáng)度和散粒噪聲。盡管有多種方式可獲得EUV光,，商用EUV光刻機(jī)使用的是激光激發(fā)的等離子體（LPP）發(fā)光,，其輸出功率曾長期是制約EUV光刻技術(shù)商用的瓶頸問題；另外,，EUV光刻使用的是反射鏡成像系統(tǒng),，...