離子束光刻技術可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻,。聚焦離子束光刻用途較多,，常以鎵離子修補傳統(tǒng)及相位轉移掩膜板；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+,、H2+,、H3+、He+,，以鏤空式模板,，縮小投影（4~5倍） 。離子束光刻與電子束直寫光刻技術類似,，不需要掩膜板,，應用高能離子束直寫。離子束的散射沒有電子束那么強,，因此具有更好的分辨率,。液態(tài)金屬離子源為較簡單的曝光源：在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金，加熱融化后經由外層為液態(tài)金屬表面產生的場使離子發(fā)射,，其發(fā)射面積很?。?lt;10 nm）,，因此利用離子光學系統(tǒng)可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細微離子束，從而進行高分辨率的離子束曝光,。在集成電路制造領域,，如果說光刻機是推動制程技術進步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”,。華東濕膜光刻膠顯影

浸沒光刻：在與浸沒光刻相對的干法光刻中,，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學反應,。在浸沒光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體,。光刻光源發(fā)出的輻射經過這些液體的時候發(fā)生了折射,，波長變短。這樣,，在不改變光源的前提條件下,，更短波長的紫外光被投影光刻膠上，提高了光刻加工的分辨率,。雙重光刻：雙重光刻的意思是通過兩次光刻使得加工分辨率翻倍,。實現(xiàn)這個目的的一種方法是在開始光刻過后平移同一個光罩進行第二次光刻，以提高加工分辨率,。下圖右展示了這樣一個過程,。下圖右中雙重光刻子進行了兩次涂膠，兩次光刻和兩次刻蝕,。隨著光刻膠技術的進步,，只需要一次涂膠，兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能,。浦東黑色光刻膠曝光以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形,。

靈敏度即光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2,。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）,、極深紫外光（EUV）等尤為重要  。負膠通常需5~15 s時間曝光,，正膠較慢,，其曝光時間為負膠的3~4倍  。靈敏度反映了光刻膠材料對某種波長的光的反應程度,。不同的光刻膠對于不同的波長的光是有選擇性的,。比如248 nm波長光刻膠的成膜樹脂中存在苯環(huán)結構，對193 nm波長的光具有很強的吸收作用，即對193 nm波長的光是不透明的,，因此193 nm光刻膠必須改變樹脂主體,。同時，高的產出要求短的曝光時間,，對光刻膠的靈敏度要求也越來越高,。通常以曝光劑量作為衡量光刻膠靈敏度的指標，曝光劑量值越小,，光刻膠的靈敏度越高,。i線光刻膠材料曝光劑量在數(shù)百mJ/cm2左右，而KrF和ArF的光刻膠材料,，其曝光劑量則在30和20 mJ/cm2左右 ,。靈敏度可以體現(xiàn)于光刻膠的對比度曲線上。

受制于國內光刻膠技術發(fā)展水平,，目前我國前沿光刻膠的自給率仍然保持較低水平,。盡管國內光刻膠市場保持良好的增長趨勢，但以KrF,、ArF光刻膠為主的半導體光刻膠領域國內市場份額仍然較小,，前沿光刻膠市場長期為國外巨頭所壟斷。從技術水平來看,，目前中國本土光刻膠的整體技術水平與國際先進水平存在明顯差距,，且主要集中在技術含量較低的PCB光刻膠領域，而在半導體光刻膠和LCD光刻膠方面自給率較低,。具體而言，半導體光刻膠中g線/i線光刻膠國產化率為10%,，而ArF/KrF光刻膠的國產化率為1%,，對于前沿的EUV光刻膠目前仍處于研發(fā)階段。國內光刻膠市場增速遠高于全球,，國內企業(yè)投入加大,，未來有望實現(xiàn)技術趕超。

中美貿易摩擦：光刻膠國產代替是中國半導體產業(yè)的迫切需要,；自從中美貿易摩擦依賴,，中國大陸積極布局集成電路產業(yè)。在半導體材料領域,，光刻膠作為是集成電路制程技術進步的“燃料”,，是國產代替重要環(huán)節(jié)，也是必將國產化的產品,。光刻是半導制程的重要工藝,，對制造出更先進，晶體管密度更大的集成電路起到決定性作用,。每一代新的光刻工藝都需要新一代的光刻膠技術相匹配?，F(xiàn)在,，一塊半導體芯片在制造過程中一般需要進行10-50道光刻過程。其中不同的光刻過程對于光刻膠也有不一樣的具體需求,。光刻膠若性能不達標會對芯片成品率造成重大影響,。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構建其主體結構，借助光敏基團實現(xiàn)光刻膠所需的性能,。普陀LCD觸摸屏用光刻膠顯示面板材料

中國半導體光刻膠的快速崛起離不開中國整體半導體產業(yè)的發(fā)展,。華東濕膜光刻膠顯影

分辨率即光刻工藝中所能形成較小尺寸的有用圖像。是區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力,。一般用關鍵尺寸（CD,，Critical Dimension）來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小,，光刻膠的分辨率越好 ,。此性質深受光刻膠材質本身物理化學性質的影響，必須避免光刻膠材料在顯影過程中收縮或在硬烤中流動,。因此,，若要使光刻材料擁有良好的分辨能力，需謹慎選擇高分子基材及所用的顯影劑,。分辨率和焦深都是光刻中圖像質量的關鍵因素,。在光刻中既要獲得更好的分辨率來形成關鍵尺寸圖形，又要保持合適的焦深是非常矛盾的,。雖然分辨率非常依賴于曝光設備,，但是高性能的曝光工具需要與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力。華東濕膜光刻膠顯影

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