抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力,。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過程中,，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性  ,。在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性,、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  ,。在濕法刻蝕中，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學(xué)刻蝕液中,，進(jìn)行很多次的濕法腐蝕,。只有光刻膠具有很強(qiáng)的抗蝕性，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形,，更好體現(xiàn)器件性能,。在干法刻蝕中，例如集成電路工藝中在進(jìn)行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時(shí),，需要有較好的保護(hù)電路圖形的能力,，否則光刻膠會(huì)因?yàn)樵谧⑷氕h(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度。此時(shí)注入的離子將不會(huì)起到其在電路制造工藝中應(yīng)起到的作用,，器件的電路性能受阻,。光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素,。普陀彩色光刻膠顯示面板材料

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑,，是指通過紫外光、電子束,、離子束,、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,。由感光樹脂,、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中,，用作抗腐蝕涂層材料,。半導(dǎo)體材料在表面加工時(shí)，若采用適當(dāng)?shù)挠羞x擇性的光刻膠,，可在表面上得到所需的圖像,。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負(fù)性兩大類,。在光刻膠工藝過程中,，涂層曝光、顯影后,，曝光部分被溶解,，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。如果曝光部分被保留下來,，而未曝光被溶解,，該涂層材料為負(fù)性光刻膠。按曝光光源和輻射源的不同,，又分為紫外光刻膠（包括紫外正,、負(fù)性光刻膠）、深紫外光刻膠,、X-射線膠,、電子束膠、離子束膠等,。光刻膠主要應(yīng)用于顯示面板,、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細(xì)微圖形加工作業(yè) 。光刻膠生產(chǎn)技術(shù)較為復(fù)雜,，品種規(guī)格較多，在電子工業(yè)集成電路的制造中,，對(duì)所使用光刻膠有嚴(yán)格的要求,。普陀i線光刻膠曝光光刻膠的國(guó)產(chǎn)化公關(guān)正在展開，在面板屏顯光刻膠領(lǐng)域,，中國(guó)已經(jīng)出現(xiàn)了一批有競(jìng)爭(zhēng)力的本土企業(yè),。

受制于國(guó)內(nèi)光刻膠技術(shù)發(fā)展水平，目前我國(guó)前沿光刻膠的自給率仍然保持較低水平,。盡管國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)保持良好的增長(zhǎng)趨勢(shì),，但以KrF、ArF光刻膠為主的半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額仍然較小,，前沿光刻膠市場(chǎng)長(zhǎng)期為國(guó)外巨頭所壟斷,。從技術(shù)水平來看，目前中國(guó)本土光刻膠的整體技術(shù)水平與國(guó)際先進(jìn)水平存在明顯差距,，且主要集中在技術(shù)含量較低的PCB光刻膠領(lǐng)域,，而在半導(dǎo)體光刻膠和LCD光刻膠方面自給率較低。具體而言,，半導(dǎo)體光刻膠中g(shù)線/i線光刻膠國(guó)產(chǎn)化率為10%,，而ArF/KrF光刻膠的國(guó)產(chǎn)化率為1%，對(duì)于前沿的EUV光刻膠目前仍處于研發(fā)階段,。

包括光刻膠在內(nèi)的微電子化學(xué)品有技術(shù)要求高,、功能性強(qiáng)、產(chǎn)品更新快等特點(diǎn),，其產(chǎn)品品質(zhì)對(duì)下游電子產(chǎn)品的質(zhì)量和效率有非常大的影響,。因此，下游企業(yè)對(duì)微電子化學(xué)品供應(yīng)商的質(zhì)量和供貨能力十分重視,，常采用認(rèn)證采購的模式,，需要通過送樣檢驗(yàn),、技術(shù)研討、信息回饋,、技術(shù)改進(jìn),、小批試做、大批量供貨,、售后服務(wù)評(píng)價(jià)等嚴(yán)格的篩選流程,。認(rèn)證時(shí)間久，要求嚴(yán)苛,；一般產(chǎn)品得到下游客戶的認(rèn)證需要較長(zhǎng)的時(shí)間周期,。顯示面板行業(yè)通常為1-2年，集成電路行業(yè)由于要求較高,，認(rèn)證周期能達(dá)到2-3年時(shí)間,；認(rèn)證階段內(nèi)，光刻膠供應(yīng)商沒有該客戶的收入,，這需要供應(yīng)收有足夠的資金實(shí)力,。光刻膠供應(yīng)商與客戶粘性大；一般情況下,，為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定,，下游客戶與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后，不會(huì)輕易更換,。通過建立反饋機(jī)制,，滿足個(gè)性化需求，光刻膠供應(yīng)商與客戶的粘性不斷增加,。后來者想要加入到供應(yīng)商行列,，往往需要滿足比現(xiàn)有供應(yīng)商更高的要求。所以光刻膠行業(yè)對(duì)新進(jìn)入者壁壘較高,。在半導(dǎo)體集成電路制造行業(yè)：主要使用g線光刻膠,、i線光刻膠、KrF光刻膠,、ArF光刻膠等,。

目前國(guó)內(nèi)從事半導(dǎo)體光刻膠研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)包括晶瑞股份、南大光電,、上海新陽,、北京科華等。相關(guān)企業(yè)以i 線,、g線光刻膠生產(chǎn)為主,，應(yīng)用集成電路制程為350nm以上。在KrF光刻膠領(lǐng)域，北京科華,、博康已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),。國(guó)內(nèi)在ArF光刻膠領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程相對(duì)較快的企業(yè)為南大光電，其先后承擔(dān)國(guó)家02專項(xiàng)“高分辨率光刻膠與先進(jìn)封裝光刻膠產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目”和“ArF光刻膠產(chǎn)品的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”,，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成為國(guó)內(nèi)通過客戶驗(yàn)證的國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠,，其他國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于研發(fā)和驗(yàn)證階段。有機(jī)-無機(jī)雜化光刻膠被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)10nm以下工業(yè)化模式的理想材料,。嘉定i線光刻膠單體

金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu),，借助光敏基團(tuán)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能。普陀彩色光刻膠顯示面板材料

離子束光刻技術(shù)可分為聚焦離子束光刻,、離子束投影式光刻,。聚焦離子束光刻用途較多，常以鎵離子修補(bǔ)傳統(tǒng)及相位轉(zhuǎn)移掩膜板,；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+,、H2+、H3+,、He+,，以鏤空式模板，縮小投影（4~5倍） ,。離子束光刻與電子束直寫光刻技術(shù)類似，不需要掩膜板,，應(yīng)用高能離子束直寫,。離子束的散射沒有電子束那么強(qiáng)，因此具有更好的分辨率,。液態(tài)金屬離子源為較簡(jiǎn)單的曝光源：在鎢針或鉬針的頂端附上鎵或金硅合金,，加熱融化后經(jīng)由外層為液態(tài)金屬表面產(chǎn)生的場(chǎng)使離子發(fā)射，其發(fā)射面積很?。?lt;10 nm）,，因此利用離子光學(xué)系統(tǒng)可較容易地將發(fā)射的離子聚焦成細(xì)微離子束，從而進(jìn)行高分辨率的離子束曝光,。普陀彩色光刻膠顯示面板材料

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