光刻膠的產(chǎn)業(yè)鏈上游：主要涉及溶劑,、樹脂、光敏劑等原材料供應(yīng)商和光刻機(jī),、顯影機(jī),、檢測與測試等設(shè)備供應(yīng)商。從原材料市場來看,，由于中國從事光刻膠原材料研發(fā)及生產(chǎn)的供應(yīng)商較少,，中國光刻膠原材料市場主要被日本、韓國和美國廠商所占據(jù),。從設(shè)備市場來看,，中國在光刻機(jī)、顯影機(jī),、檢測與測試設(shè)備行業(yè)的起步時(shí)間較晚,，且這些設(shè)備具備較高的制造工藝壁壘，導(dǎo)致中國在光刻膠,、顯影機(jī),、檢測與測試設(shè)備的國產(chǎn)化程度均低于10%。相信后期國產(chǎn)化程度會越來越高,。氧化物型光刻膠：這種類型的光刻膠由氧化硅或其他窄帶隙材料制成,。在制造高質(zhì)量微電子設(shè)備時(shí)非常有用。嘉定光刻膠曝光

歷史上光刻機(jī)所使用的光源波長呈現(xiàn)出與集成電路關(guān)鍵尺寸同步縮小的趨勢,。不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設(shè)備和光刻膠材料,。在20世紀(jì)80年代,，半導(dǎo)體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時(shí)候波長436nm的光刻光源被大量使用,。在90年代前半期,，隨著半導(dǎo)體制程工藝尺寸朝 0.5um（500nm）和0.35um（350nm）演進(jìn)，光刻開始采用365nm波長光源,。436nm和365nm光源分別是高壓汞燈中能量比較高,，波長**短的兩個(gè)譜線。高壓汞燈技術(shù)成熟,，因此很早被用來當(dāng)作光刻光源,。使用波長短，能量高的光源進(jìn)行光刻工藝更容易激發(fā)光化學(xué)反應(yīng),、提高光刻分別率,。以研究光譜而聞名的近代德國科學(xué)家約瑟夫·弗勞恩霍夫?qū)⑦@兩種波長的光譜分別命名為G線和I線。這也是 g-line光刻和 i-line光刻技術(shù)命名的由來,。昆山TFT-LCD正性光刻膠顯影目前,，中國本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示,、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低,。

包括光刻膠在內(nèi)的微電子化學(xué)品有技術(shù)要求高、功能性強(qiáng),、產(chǎn)品更新快等特點(diǎn),，其產(chǎn)品品質(zhì)對下游電子產(chǎn)品的質(zhì)量和效率有非常大的影響。因此,，下游企業(yè)對微電子化學(xué)品供應(yīng)商的質(zhì)量和供貨能力十分重視,，常采用認(rèn)證采購的模式，需要通過送樣檢驗(yàn),、技術(shù)研討,、信息回饋、技術(shù)改進(jìn),、小批試做,、大批量供貨、售后服務(wù)評價(jià)等嚴(yán)格的篩選流程,。認(rèn)證時(shí)間久,，要求嚴(yán)苛；一般產(chǎn)品得到下游客戶的認(rèn)證需要較長的時(shí)間周期,。顯示面板行業(yè)通常為1-2年,，集成電路行業(yè)由于要求較高，認(rèn)證周期能達(dá)到2-3年時(shí)間,；認(rèn)證階段內(nèi),，光刻膠供應(yīng)商沒有該客戶的收入,，這需要供應(yīng)收有足夠的資金實(shí)力,。光刻膠供應(yīng)商與客戶粘性大,；一般情況下，為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定,，下游客戶與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后,，不會輕易更換。通過建立反饋機(jī)制,，滿足個(gè)性化需求,，光刻膠供應(yīng)商與客戶的粘性不斷增加。后來者想要加入到供應(yīng)商行列,，往往需要滿足比現(xiàn)有供應(yīng)商更高的要求,。所以光刻膠行業(yè)對新進(jìn)入者壁壘較高。

光刻膠屬于半導(dǎo)體八大重要材料之一,，根據(jù)全球半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SEMI）近期數(shù)據(jù),，光刻膠在半導(dǎo)體晶圓制造材料價(jià)值占比5%，光刻膠輔助材料占比7%,，二者合計(jì)占比12%,，光刻膠及輔助材料是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導(dǎo)體材料,。光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是指通過紫外光、電子束,、離子束,、X射線等照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料,，目前被用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路加工制作環(huán)節(jié),。光刻膠由增感劑（光引發(fā)劑）、感光樹脂（聚合劑）,、溶劑與助劑構(gòu)成,。經(jīng)過多年技術(shù)積累，國內(nèi)已形成一定光刻膠用電子化學(xué)品產(chǎn)能,，國內(nèi)公司市場份額逐步提升,，國產(chǎn)替代正在進(jìn)行。

雖然在2007年之后,，一些波長更短的準(zhǔn)分子光刻光源技術(shù)陸續(xù)出現(xiàn),，但是這些波段的輻射都很容易被光刻鏡頭等光學(xué)材料吸收，使這些材料受熱產(chǎn)生膨脹而無法正常工作,。少數(shù)可以和這些波段的輻射正常工作的光學(xué)材料,，比如氟化鈣（螢石）等,，成本長期居高不下。再加上浸沒光刻和多重曝光等新技術(shù)的出現(xiàn),，193nm波長ArF光刻系統(tǒng)突破了此前 65nm 分辨率的瓶頸,，所以在45nm 到10nm之間的半導(dǎo)體制程工藝中，ArF光刻技術(shù)仍然得到了很大的應(yīng)用,。在與浸沒光刻相對的干法光刻中,，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發(fā)出的紫外輻射并發(fā)生光化學(xué)反應(yīng),。在浸沒光刻中,，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體,。光刻光源發(fā)出的輻射經(jīng)過這些液體的時(shí)候發(fā)生了折射,，波長變短。這樣,，在不改變光源的前提條件下,，更短波長的紫外光被投影光刻膠上，提高了光刻加工的分辨率,。根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域不同,，光刻膠可分為 PCB 光刻膠、LCD 光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠,，技術(shù)門檻逐漸遞增,。蘇州光交聯(lián)型光刻膠

在集成電路制造領(lǐng)域，如果說光刻機(jī)是推動制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”,，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”,。嘉定光刻膠曝光

X射線對物質(zhì)的化學(xué)作用類似電子束，X射線曝光時(shí),，X射線本身并不能直接引起光刻膠的反應(yīng),，它的能量是消耗的光電子放射過程而產(chǎn)生低能電子束上。正是這些低能電子使光刻膠的分子離化,，并激勵(lì)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),，使光刻膠分子間的結(jié)合鍵解離，或鍵合成高分子,，在某些顯影液中變成易溶或不溶,。X射線光刻膠和電子束光刻膠沒有本質(zhì)的區(qū)別  ，因此所有的電子束膠都可以與X射線光刻膠混用,，一部分248 nm光學(xué)光刻膠亦可用作X射線光刻膠 ,，X射線光刻膠的分辨率十分高，例如早期正性的光刻膠有用含氟的聚甲基丙烯酸酯  ，負(fù)膠有用甲基丙烯酸縮水甘油酯-丙烯酸乙酯共聚體和聚丙烯酸-2,3-二氯-1-丙酯,。嘉定光刻膠曝光

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