抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過(guò)程中的抵抗力。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過(guò)程中,，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性  ,。在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性,、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  ,。在濕法刻蝕中，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學(xué)刻蝕液中,，進(jìn)行很多次的濕法腐蝕,。只有光刻膠具有很強(qiáng)的抗蝕性，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形,，更好體現(xiàn)器件性能。在干法刻蝕中,，例如集成電路工藝中在進(jìn)行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時(shí),，需要有較好的保護(hù)電路圖形的能力，否則光刻膠會(huì)因?yàn)樵谧⑷氕h(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度,。此時(shí)注入的離子將不會(huì)起到其在電路制造工藝中應(yīng)起到的作用,，器件的電路性能受阻。光刻膠只是一種形象的說(shuō)法,，因?yàn)楣饪棠z從外觀上呈現(xiàn)為膠狀液體,。普陀i線光刻膠

浸沒(méi)光刻和雙重光刻技術(shù)在不改變 193nm波長(zhǎng)ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數(shù)量級(jí),。與此同時(shí),，這兩項(xiàng)技術(shù)對(duì)光刻膠也提出了新的要求。在浸沒(méi)工藝中,；光刻膠首先不能與浸沒(méi)液體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或浸出擴(kuò)散,，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次,，光刻膠的折射率必須大于透鏡,，液體和頂部涂層,。因此光刻膠中主體樹(shù)脂的折射率一般要求達(dá)到1.9以上；接著,，光刻膠不能在浸沒(méi)液體的浸泡下和后續(xù)的烘烤過(guò)程中發(fā)生形變,，影響加工精度；當(dāng)浸沒(méi)工藝目標(biāo)分辨率接近10nm時(shí),，將對(duì)于光刻膠多個(gè)性能指標(biāo)的權(quán)衡都提出了更加苛刻的挑戰(zhàn),。浸沒(méi) ArF 光刻膠制備難度大于干性 ArF 光刻膠，是 ArF光刻加工分辨率突破 45nm 的關(guān)鍵之一,。江浙滬i線光刻膠溶劑光刻膠也稱為光致抗蝕劑,，是一種光敏材料，受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變,，主要應(yīng)用于電子工業(yè)和印刷工業(yè)領(lǐng)域,。

X射線對(duì)物質(zhì)的化學(xué)作用類似電子束，X射線曝光時(shí),，X射線本身并不能直接引起光刻膠的反應(yīng),，它的能量是消耗的光電子放射過(guò)程而產(chǎn)生低能電子束上。正是這些低能電子使光刻膠的分子離化,，并激勵(lì)產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),，使光刻膠分子間的結(jié)合鍵解離，或鍵合成高分子,，在某些顯影液中變成易溶或不溶,。X射線光刻膠和電子束光刻膠沒(méi)有本質(zhì)的區(qū)別  ，因此所有的電子束膠都可以與X射線光刻膠混用,，一部分248 nm光學(xué)光刻膠亦可用作X射線光刻膠 ,，X射線光刻膠的分辨率十分高，例如早期正性的光刻膠有用含氟的聚甲基丙烯酸酯  ,，負(fù)膠有用甲基丙烯酸縮水甘油酯-丙烯酸乙酯共聚體和聚丙烯酸-2,3-二氯-1-丙酯,。

    光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，可分為 PCB 光刻膠,、顯示面板光刻膠,、半導(dǎo)體光刻膠及其他光刻膠。全球市場(chǎng)上不同種類光刻膠的市場(chǎng)結(jié)構(gòu)較為均衡,。智研咨詢的數(shù)據(jù)還顯示,，受益于半導(dǎo)體、顯示面板,、PCB產(chǎn)業(yè)東移的趨勢(shì),，自 2011年至今，光刻膠中國(guó)本土供應(yīng)規(guī)模年華增長(zhǎng)率達(dá)到11%,，高于全球平均 5%的增速,。2019年中國(guó)光刻膠市場(chǎng)本土企業(yè)銷售規(guī)模約70億元,，全球占比約 10%，發(fā)展空間巨大,。目前,，中國(guó)本土光刻膠以PCB用光刻膠為主，平板顯示,、半導(dǎo)體用光刻膠供應(yīng)量占比極低,。在選擇光刻膠時(shí)需要考慮化學(xué)性質(zhì)、照射時(shí)間,、敏感度和穩(wěn)定性等因素,，以確保所選的光刻膠能夠滿足制造要求。

光刻工藝歷經(jīng)硅片表面脫水烘烤,、旋轉(zhuǎn)涂膠,、軟烘、曝光,、曝光后烘烤,、顯影、堅(jiān)膜烘烤,、顯影檢查等工序,。在光刻過(guò)程中，光刻膠被均勻涂布在襯底上,，經(jīng)過(guò)曝光,、顯影與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形,。光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40-50%,，是半導(dǎo)體制造中重要的工藝。隨著半導(dǎo)體制程不斷縮小,，光刻工藝對(duì)光刻膠要求逐步提高,，需求量也隨之增加。從全球市場(chǎng)來(lái)看,，專注電子材料市場(chǎng)研究的TECHCET預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,，2021年全球半導(dǎo)體制造光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11%，達(dá)到19億美元,。按顯示效果分類：光刻膠可分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠,。江蘇光交聯(lián)型光刻膠單體

國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)增速遠(yuǎn)高于全球，國(guó)內(nèi)企業(yè)投入加大,，未來(lái)有望實(shí)現(xiàn)技術(shù)趕超,。普陀i線光刻膠

美國(guó)能源部布魯克海文國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統(tǒng),，將有機(jī)聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結(jié)合起來(lái)，創(chuàng)造了雜化有機(jī)-無(wú)機(jī)光刻膠,。他們?cè)趯⑼坑蠵MMA薄膜的襯底放到ALD反應(yīng)室中之后,，引入了鋁前驅(qū)物蒸汽。這個(gè)蒸汽通過(guò)PMMA基質(zhì)內(nèi)部的微小分子孔擴(kuò)散,，與聚合物鏈內(nèi)部的化學(xué)物質(zhì)結(jié)合到一起,。然后，他們引入了另一種前驅(qū)物（例如水）,，與前驅(qū)物反應(yīng)形成PMMA基體內(nèi)部的氧化鋁,。該雜化光刻膠的蝕刻選擇比遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于ZEP（一種昂貴的光刻膠）和二氧化硅。普陀i線光刻膠

上海蔚云化工有限公司依托可靠的品質(zhì),，旗下品牌揚(yáng)巴,諾力昂,衛(wèi)星,陶氏以高質(zhì)量的服務(wù)獲得廣大受眾的青睞,。業(yè)務(wù)涵蓋了乙醇胺，乙二胺,，丙二醇,，己二酸二辛脂等諸多領(lǐng)域，尤其乙醇胺,，乙二胺,，丙二醇，己二酸二辛脂中具有強(qiáng)勁優(yōu)勢(shì),，完成了一大批具特色和時(shí)代特征的化工項(xiàng)目,；同時(shí)在設(shè)計(jì)原創(chuàng)、科技創(chuàng)新,、標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范等方面推動(dòng)行業(yè)發(fā)展,。隨著我們的業(yè)務(wù)不斷擴(kuò)展，從乙醇胺,，乙二胺,，丙二醇，己二酸二辛脂等到眾多其他領(lǐng)域,，已經(jīng)逐步成長(zhǎng)為一個(gè)獨(dú)特,，且具有活力與創(chuàng)新的企業(yè)。上海蔚云化工始終保持在化工領(lǐng)域優(yōu)先的前提下,，不斷優(yōu)化業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu),。在乙醇胺，乙二胺,，丙二醇,，己二酸二辛脂等領(lǐng)域承攬了一大批高精尖項(xiàng)目，積極為更多化工企業(yè)提供服務(wù),。