導體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉涂膠法,，具體可以分為靜態(tài)旋轉法和動態(tài)噴灑法,。靜態(tài)旋轉法：首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在硅片的中心,，然后低速旋轉使得光刻膠鋪開,，再以高速旋轉甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉的過程中,，光刻膠中的溶劑會揮發(fā)一部分,。靜態(tài)涂膠法中的光刻膠堆積量非常關鍵,，量少了會導致光刻膠不能充分覆蓋硅片,，量大了會導致光刻膠在硅片邊緣堆積甚至流到硅片的背面,，影響工藝質量。動態(tài)噴灑法：隨著硅片尺寸越來越大,，靜態(tài)涂膠已經(jīng)不能滿足新型的硅片加工需求,。相對靜態(tài)旋轉法而言，動態(tài)噴灑法在光刻膠對硅片進行澆注的時刻就開始以低速旋轉幫助光刻膠進行**初的擴散,。這種方法可以用較少量的光刻膠形成更均勻的光刻膠鋪展,，以高速旋轉形成滿足厚薄與均勻度要求的光刻膠膜。光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能,、成品率及可靠性的關鍵因素,。普陀KrF光刻膠樹脂

受制于國內(nèi)光刻膠技術發(fā)展水平，目前我國前沿光刻膠的自給率仍然保持較低水平,。盡管國內(nèi)光刻膠市場保持良好的增長趨勢,，但以KrF、ArF光刻膠為主的半導體光刻膠領域國內(nèi)市場份額仍然較小,，前沿光刻膠市場長期為國外巨頭所壟斷,。從技術水平來看，目前中國本土光刻膠的整體技術水平與國際先進水平存在明顯差距,，且主要集中在技術含量較低的PCB光刻膠領域,，而在半導體光刻膠和LCD光刻膠方面自給率較低。具體而言,，半導體光刻膠中g線/i線光刻膠國產(chǎn)化率為10%,，而ArF/KrF光刻膠的國產(chǎn)化率為1%，對于前沿的EUV光刻膠目前仍處于研發(fā)階段,。華東光交聯(lián)型光刻膠顯影光刻膠只是一種形象的說法,，因為光刻膠從外觀上呈現(xiàn)為膠狀液體。

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力,。在圖形從光刻膠轉移到晶片的過程中,，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性  ,。在后續(xù)的刻蝕工序中保護襯底表面,。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  ,。在濕法刻蝕中,，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學刻蝕液中,，進行很多次的濕法腐蝕。只有光刻膠具有很強的抗蝕性,，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形,，更好體現(xiàn)器件性能,。在干法刻蝕中，例如集成電路工藝中在進行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時,，需要有較好的保護電路圖形的能力,，否則光刻膠會因為在注入環(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度。此時注入的離子將不會起到其在電路制造工藝中應起到的作用,，器件的電路性能受阻,。

在雙重曝光工藝中，若光刻膠可以接受多次光刻曝光而不在光罩遮擋的區(qū)域發(fā)生光化學反應,，就可以節(jié)省一次刻蝕,，一次涂膠和一次光刻膠清洗流程。由于在非曝光區(qū)域光刻膠仍然會接受到相對少量的光刻輻射,，在兩次曝光過程后,，非曝光區(qū)域接受到的輻射有可能超過光刻膠的曝光閾值E0，而發(fā)生錯誤的光刻反應,。如果非曝光區(qū)域的光刻膠在兩次曝光后接受到的輻射能量仍然小于其曝光閾值E0,，那么就是一次合格的雙重曝光。從這個例子可以看出,，與單次曝光不同,，雙重曝光要求光刻膠的曝光閾值和光刻光源的照射強度之間的權衡。經(jīng)過多年技術積累,，國內(nèi)已形成一定光刻膠用電子化學品產(chǎn)能,，國內(nèi)公司市場份額逐步提升，國產(chǎn)替代正在進行,。

   光刻膠又稱光致抗蝕劑,，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑,、光致產(chǎn)酸劑）,、光刻膠樹脂、單體,、溶劑和其他助劑,。光刻膠可以通過光化學反應，經(jīng)曝光,、顯影等光刻工序將所需要的微細圖形從光罩（掩模版）轉移到待加工基片上,。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料,，顯示面板材料或者印刷電路板,。據(jù)第三方機構智研咨詢統(tǒng)計，2019年全球光刻膠市場規(guī)模預計近90億美元,，自 2010年至今CAGR約5.4%,。預計該市場未來3年仍將以年均5%的速度增長,，至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。一旦達成合作,，光刻膠廠商和下游集成電路制造商會形成長期合作關系,。嘉定濕膜光刻膠溶劑

光刻膠市場 ArF 與 KrF 占據(jù)主流，EUV 增長較快,。普陀KrF光刻膠樹脂

日韓材料摩擦：半導體材料國產(chǎn)化是必然趨勢,；2019年7月份,，在日韓貿(mào)易爭端的背景下,，日本宣布對韓國實施三種半導體產(chǎn)業(yè)材料實施禁運，包含刻蝕氣體,，光刻膠和氟聚酰亞胺,。韓國是全球存儲器生產(chǎn)基地，顯示屏生產(chǎn)基地,，也是全球晶圓代工基地,，三星，海力士,，東部高科等一大批晶圓代工廠和顯示屏廠都需要日本的半導體材料,。這三種材料直接掐斷了韓國存儲器和顯示屏的經(jīng)濟支柱。目前中國大陸對于電子材料,，特別是光刻膠方面對國外依賴較高,。所以在半導體材料方面的國產(chǎn)代替是必然趨勢。普陀KrF光刻膠樹脂