光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面,。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專(zhuān)業(yè)公司壟斷,。目前大廠(chǎng)商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng) 87%的份額，行業(yè)集中度高,。其中,，日本 JSR、東京應(yīng)化,、日本信越與富士電子材料市占率加和達(dá)到72%,。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司,，如杜邦,、JSR 株式會(huì)社、信越化學(xué),、東京應(yīng)化工業(yè),、Fujifilm，以及韓國(guó)東進(jìn)等企業(yè),。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來(lái)看,，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。從化學(xué)組成來(lái)看,，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過(guò)渡金屬有機(jī)化合物,。普陀光分解型光刻膠其他助劑

光刻膠所屬的微電子化學(xué)品是電子行業(yè)與化工行業(yè)交叉的領(lǐng)域，是典型的技術(shù)密集行業(yè),。從事微電子化學(xué)品業(yè)務(wù)需要具備與電子產(chǎn)業(yè)前沿發(fā)展相匹配的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù),，如混配技術(shù)、分離技術(shù),、純化技術(shù)以及與生產(chǎn)過(guò)程相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù),、環(huán)境處理與監(jiān)測(cè)技術(shù)等。同時(shí),，下游電子產(chǎn)業(yè)多樣化的使用場(chǎng)景要求微電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力,，以及時(shí)研發(fā)和改進(jìn)產(chǎn)品工藝來(lái)滿(mǎn)足客戶(hù)的個(gè)性化需求。光刻膠的生產(chǎn)工藝主要過(guò)程是將感光材料,、樹(shù)脂,、溶劑等主要原料在恒溫恒濕 1000 級(jí)的黃光區(qū)潔凈房進(jìn)行混合，在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下充分?jǐn)嚢?，使其充分混合形成均相液體,，經(jīng)過(guò)多次過(guò)濾，并通過(guò)中間過(guò)程控制和檢驗(yàn),，使其達(dá)到工藝技術(shù)和質(zhì)量要求,，然后做產(chǎn)品檢驗(yàn),，合格后在氮?dú)鈿怏w保護(hù)下包裝、打標(biāo),、入庫(kù),。江蘇負(fù)性光刻膠印刷電路板在平板顯示行業(yè)；主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠,、LCD觸摸屏用光刻膠,、TFT-LCD正性光刻膠等。

分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的單分散小分子有機(jī)化合物,，其結(jié)構(gòu)為非共面和不規(guī)則,，能夠避免結(jié)晶，與產(chǎn)酸劑具有優(yōu)良的相容性,。以分子玻璃為成膜樹(shù)脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形,。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu)，有機(jī)配體中包含光敏基團(tuán),，借助光敏基團(tuán)的感光性及其引發(fā)的后續(xù)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能,。從化學(xué)組成來(lái)看，金屬氧化物光刻膠主要為稀土和過(guò)渡金屬有機(jī)化合物,。

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過(guò)程中的抵抗力,。在圖形從光刻膠轉(zhuǎn)移到晶片的過(guò)程中，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性  ,。在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面,。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力  ,。在濕法刻蝕中,，印有電路圖形的光刻膠需要連同硅片一同置入化學(xué)刻蝕液中，進(jìn)行很多次的濕法腐蝕,。只有光刻膠具有很強(qiáng)的抗蝕性,，才能保證刻蝕液按照所希望的選擇比刻蝕出曝光所得圖形,，更好體現(xiàn)器件性能,。在干法刻蝕中，例如集成電路工藝中在進(jìn)行阱區(qū)和源漏區(qū)離子注入時(shí),，需要有較好的保護(hù)電路圖形的能力,，否則光刻膠會(huì)因?yàn)樵谧⑷氕h(huán)境中揮發(fā)而影響到注入腔的真空度。此時(shí)注入的離子將不會(huì)起到其在電路制造工藝中應(yīng)起到的作用,，器件的電路性能受阻,。光刻膠是一大類(lèi)具有光敏化學(xué)作用的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介,。

包括光刻膠在內(nèi)的微電子化學(xué)品有技術(shù)要求高,、功能性強(qiáng),、產(chǎn)品更新快等特點(diǎn)，其產(chǎn)品品質(zhì)對(duì)下游電子產(chǎn)品的質(zhì)量和效率有非常大的影響,。因此,，下游企業(yè)對(duì)微電子化學(xué)品供應(yīng)商的質(zhì)量和供貨能力十分重視，常采用認(rèn)證采購(gòu)的模式,，需要通過(guò)送樣檢驗(yàn),、技術(shù)研討、信息回饋,、技術(shù)改進(jìn),、小批試做、大批量供貨,、售后服務(wù)評(píng)價(jià)等嚴(yán)格的篩選流程,。認(rèn)證時(shí)間久，要求嚴(yán)苛,；一般產(chǎn)品得到下游客戶(hù)的認(rèn)證需要較長(zhǎng)的時(shí)間周期,。顯示面板行業(yè)通常為1-2年，集成電路行業(yè)由于要求較高,，認(rèn)證周期能達(dá)到2-3年時(shí)間,；認(rèn)證階段內(nèi)，光刻膠供應(yīng)商沒(méi)有該客戶(hù)的收入,，這需要供應(yīng)收有足夠的資金實(shí)力,。光刻膠供應(yīng)商與客戶(hù)粘性大；一般情況下,，為了保持光刻膠供應(yīng)和效果的穩(wěn)定,，下游客戶(hù)與光刻膠供應(yīng)商一旦建立供應(yīng)關(guān)系后，不會(huì)輕易更換,。通過(guò)建立反饋機(jī)制,，滿(mǎn)足個(gè)性化需求,，光刻膠供應(yīng)商與客戶(hù)的粘性不斷增加,。后來(lái)者想要加入到供應(yīng)商行列，往往需要滿(mǎn)足比現(xiàn)有供應(yīng)商更高的要求,。所以光刻膠行業(yè)對(duì)新進(jìn)入者壁壘較高,。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu)，借助光敏基團(tuán)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能,。嘉定半導(dǎo)體光刻膠

根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域不同，光刻膠可分為 PCB 光刻膠、LCD 光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠,，技術(shù)門(mén)檻逐漸遞增,。普陀光分解型光刻膠其他助劑

靈敏度即光刻膠上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的較小能量值（或較小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2,。光刻膠的敏感性對(duì)于波長(zhǎng)更短的深紫外光（DUV）,、極深紫外光（EUV）等尤為重要  。負(fù)膠通常需5~15 s時(shí)間曝光,，正膠較慢,，其曝光時(shí)間為負(fù)膠的3~4倍  。靈敏度反映了光刻膠材料對(duì)某種波長(zhǎng)的光的反應(yīng)程度,。不同的光刻膠對(duì)于不同的波長(zhǎng)的光是有選擇性的,。比如248 nm波長(zhǎng)光刻膠的成膜樹(shù)脂中存在苯環(huán)結(jié)構(gòu)，對(duì)193 nm波長(zhǎng)的光具有很強(qiáng)的吸收作用,，即對(duì)193 nm波長(zhǎng)的光是不透明的,，因此193 nm光刻膠必須改變樹(shù)脂主體。同時(shí),，高的產(chǎn)出要求短的曝光時(shí)間,，對(duì)光刻膠的靈敏度要求也越來(lái)越高。通常以曝光劑量作為衡量光刻膠靈敏度的指標(biāo),，曝光劑量值越小,，光刻膠的靈敏度越高。i線(xiàn)光刻膠材料曝光劑量在數(shù)百mJ/cm2左右,，而KrF和ArF的光刻膠材料,，其曝光劑量則在30和20 mJ/cm2左右 。靈敏度可以體現(xiàn)于光刻膠的對(duì)比度曲線(xiàn)上,。普陀光分解型光刻膠其他助劑