光刻膠研發(fā)的目的,，是提高光刻的性能,。對(duì)光刻膠來(lái)說(shuō)，重要的三個(gè)指標(biāo)是表征其關(guān)鍵光刻性能的分辨率,、靈敏度和粗糙度,。分辨率表征了光刻膠可以得到的小圖案尺寸,，通常使用光刻特征圖形的尺寸，即“關(guān)鍵尺寸”（CD）來(lái)表示,；靈敏度表示了光刻膠實(shí)現(xiàn)曝光,、形成圖形所需的較小能量；而粗糙度則表征了光刻圖案邊緣的粗糙程度,，通常用線邊緣粗糙度（LER）或線寬粗糙度（LWR）來(lái)表示,。除此之外，光刻膠使用者也會(huì)關(guān)注圖像對(duì)比度,、工藝窗口,、焦深、柯西參數(shù),、關(guān)鍵尺寸均一性,、抗刻蝕能力等諸多參數(shù),。光刻膠的研發(fā),，就是要通過(guò)材料設(shè)計(jì)、配方優(yōu)化和光刻工藝的調(diào)整,，來(lái)提高光刻膠的諸多性能,，并在一定程度上相互容忍、協(xié)調(diào),，達(dá)到光刻工藝的要求,。在集成電路制造領(lǐng)域，如果說(shuō)光刻機(jī)是推動(dòng)制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”,，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”,。浦東PCB光刻膠其他助劑

2005年，研究人員利用美國(guó)光源的高數(shù)值孔徑微觀曝光工具評(píng)價(jià)了RohmandHaas公司研發(fā)的新型ESCAP光刻膠MET-1K,，并將其與先前的EUV-2D光刻膠相比較,。與EUV-2D相比，MET-1K添加了更多的防酸擴(kuò)散劑,。使用0.3NA的EUV曝光工具,，在90~50nm區(qū)間，EUV-2D和MET-1K的圖形質(zhì)量都比較好,；但當(dāng)線寬小于50nm時(shí),，EUV-2D出現(xiàn)明顯的線條坍塌現(xiàn)象，而MET-1K則直到35nm線寬都能保持線條完整,。在45nm線寬時(shí),，MET-1K仍能獲得較好的粗糙度，LER達(dá)到6.3nm,?？梢?jiàn)MET-1K的光刻性能要優(yōu)于EUV-2D,。從此，MET-1K逐漸代替EUV-2D,，成為新的EUV光刻設(shè)備測(cè)試用光刻膠,。上海光聚合型光刻膠樹(shù)脂光刻膠下游為印刷電路板、顯示面板和電子芯片,，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子,、航空航天等領(lǐng)域。

2014年,，印度理工學(xué)院曼迪分校的Gonsalves課題組將硫鎓離子連接在高分子側(cè)基上,，構(gòu)造了一系列非化學(xué)放大光刻膠。該光刻膠主鏈為聚甲基丙烯酸甲酯,，側(cè)基連接二甲基苯基硫鎓鹽作為光敏基團(tuán),，甲基作為惰性基團(tuán)，咔唑或苯甲酸作為增黏基團(tuán),。二甲基苯基硫鎓鹽通常用來(lái)作為化學(xué)放大光刻膠的光致產(chǎn)酸劑,，Gonsalves課題組也曾利用此策略構(gòu)建了化學(xué)放大光刻膠體系，研發(fā)人員利用EUV光照后硫鎓離子轉(zhuǎn)變?yōu)榱蛎?、從而溶解性發(fā)生改變的性質(zhì),，將其用作非化學(xué)放大型負(fù)性光刻膠。利用堿性水性顯影液可將未曝光區(qū)域洗脫,，而曝光區(qū)域無(wú)法洗脫,。硫離子對(duì)EUV光的吸收比碳和氫要強(qiáng)，因此可獲得較高的靈敏度,，并可得到20nm線寬,、占空比為1∶1的光刻圖案。

2015年,，Brainard課題組設(shè)計(jì)并制備了一系列金屬配合物［RnM（O2CR′）2］,，其中R基團(tuán)可為苯基、2-甲氧基苯基,、3-乙烯基苯基等,，M可為銻、錫,、鉍,，O2CR′可為丙烯酸根、甲基丙烯酸根,、3-乙烯基苯甲酸根等,。對(duì)上述光刻膠進(jìn)行電子束光刻，經(jīng)過(guò)對(duì)R基團(tuán)數(shù)目,、各基團(tuán)種類的篩選后,，得到了靈敏度較高的銻配合物JP-20,。JP-20可能發(fā)生了雙鍵聚合反應(yīng)，從而發(fā)生溶解度變化,。而以錫為中心的配合物,，盡管能在22nm分辨率時(shí)獲得很低的LER（1.4nm以下），但其靈敏度太差,，需要?jiǎng)┝扛哌_(dá)600mJ·cm?2,。光刻膠通過(guò)光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光,、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上,。

與金屬納米顆粒和納米簇不同，金屬配合物光刻膠中金屬元素含量較低,，通常情況下每個(gè)光刻膠分子內(nèi)只有一個(gè)或幾個(gè)金屬原子,。能夠作為納米顆粒和納米簇配體的分子比較少，可修飾位點(diǎn)較少,；而金屬原子的配體種類較多,，且容易連接活性基團(tuán)，因此金屬配合物光刻膠的設(shè)計(jì)更為靈活,。但是,，由于金屬原子含量低，所以金屬配合物對(duì)EUV光的吸收能力,、抗刻蝕能力有可能弱于金屬納米顆粒和納米簇光刻膠。目前已有多種金屬元素的配合物被用于光刻膠,，如鉍,、銻、鋅,、碲,、鉑、鈀,、鈷,、鐵和鉻等。我國(guó)光刻膠行業(yè)起步較晚,，生產(chǎn)能力主要集中在 PCB 光刻膠,、TN/STN-LCD 光刻膠等中低端產(chǎn)品。華東化學(xué)放大型光刻膠

金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機(jī)配體構(gòu)建其主體結(jié)構(gòu),，借助光敏基團(tuán)實(shí)現(xiàn)光刻膠所需的性能,。浦東PCB光刻膠其他助劑

環(huán)狀單分子樹(shù)脂中除了杯芳烴類物質(zhì)以外，還有一類被稱為“水車”（Noria）的光刻膠,，該類化合物由戊二醛和間苯二酚縮合而成,，是一種中心空腔的雙層環(huán)梯狀結(jié)構(gòu)分子,，外形像傳統(tǒng)的水車，因此得名,，起初在2006年時(shí)由日本神奈川大學(xué)的Nishikubo課題組報(bào)道出來(lái),。隨后，日本JSR公司的Maruyama課題組將Noria改性,，通過(guò)金剛烷基團(tuán)保護(hù)得到了半周期為22nm的光刻圖形,。但是這種光刻膠的靈敏度較低、粗糙度較大,，仍需進(jìn)一步改進(jìn)才能推廣應(yīng)用,。浦東PCB光刻膠其他助劑