光電探測器必須和光信號的調(diào)制形式,、信號頻率及波形相匹配,，以保證得到?jīng)]有頻率失真的輸出波形和良好的時間響應(yīng)。這種情況主要是選擇響應(yīng)時間短或上限頻率高的器件,，但在電路上也要注意匹配好動態(tài)參數(shù),；光電探測器必須和輸入電路在電特性上良好地匹配,，以保證有足夠大的轉(zhuǎn)換系數(shù),、線性范圍、信噪比及快速的動態(tài)響應(yīng)等,；為使器件能長期穩(wěn)定可靠地工作,，必須注意選擇好器件的規(guī)格和使用的環(huán)境條件，并且要使器件在額定條件下才能使用,。相干接收：在接收設(shè)備中利用載波相位信息去檢測并接收信號,。深圳30G PIN光電探測器分析

光電三級管與光電二極管比較，光電三級管輸出電流較大,，一般在毫安級,，但光照特性較差，多用于要求輸出電流較大的場合,。光電三極管有pnp和npn型兩種結(jié)構(gòu),，常用材料有硅和鍺。例如用硅材料制作的npn型結(jié)有3DU型,，pnp型有3CU型,。采用硅npn型光電三極管，其暗電流比鍺光電三極管小,，且受溫度變化影響小,，所以得到位廣泛應(yīng)用,。下面以3DU型光電三極管為例說明它的結(jié)構(gòu),、工作原理與主要特性。3DU型光電三極管是以p型硅為基極的三極管,。3DU管的結(jié)構(gòu)和普通晶體管類似,，只是在材料的摻雜情況、結(jié)面積的大小和基極引線的設(shè)置上和普通晶體管不同,。因?yàn)楣怆娙龢O管要響應(yīng)光輻射,，受光面即集電結(jié)（bc結(jié)）面積比一般晶體管大。另外,，它是利用光控制集電極電流的,，所以在基極上既可設(shè)置引線進(jìn)行電控制，也可以不設(shè),，完全同光一控制,。它的工作原理是工作時各電極所加的電壓與普通晶體管相同，即要保證集電結(jié)反偏置,，發(fā)射正偏聽偏置,。由于集電結(jié)是反偏壓，在結(jié)區(qū)有很強(qiáng)的內(nèi)建電場,，對3DU管來講,，內(nèi)建電場方向是由c到b的,。和光電二極管工作原理相同。光電探測器使用方法利用外光電效應(yīng)制成的光子型探測器是真空電子器件,，如光電管,、光電倍增管和紅外變像管等。

響應(yīng)速度可以用光生載流子的渡越時間表示,，載流子的渡越時間外在的頻率響應(yīng)的表現(xiàn)就是探測器的帶寬,。光生載流子的渡越時間在光生電流變化中表現(xiàn)為兩部分：上升時間和下降時間。通常取上升時間和下降時間中的較大者衡量探測器的響應(yīng)速度,。決定探測器響應(yīng)速度的因素主要有：⑴,、耗盡區(qū)載流子渡越時間：載流子的渡越時間是影響探測器響應(yīng)速度的很重要因素，當(dāng)耗盡區(qū)電場強(qiáng)度達(dá)到比較大時,，Wd表示載流子的比較大漂移速度,，W表示耗盡區(qū)寬度，那么載流子的渡越時間為：t=W/Vd⑵耗盡區(qū)外載流子擴(kuò)散時間：載流子擴(kuò)散的速度較慢,，同時大多數(shù)產(chǎn)生于耗盡區(qū)之外的載流子的壽命非常短,，復(fù)合發(fā)生速度快。所以擴(kuò)散運(yùn)動只對距離耗盡區(qū)范圍較近的載流子才能通過擴(kuò)散運(yùn)動達(dá)到耗盡區(qū)中,，并在電場中漂移產(chǎn)生光電流,。

PN結(jié)加正向電壓時，產(chǎn)生多子電流,，與光生電流方向相反,，并且電流比光生電流大得多，此時無法作為光探測器,。PN結(jié)處于反向偏壓狀態(tài)時,，產(chǎn)生的光電子會被反向偏壓迅速通過電場與電極收集，產(chǎn)生反向光電流,，通過檢測光電流大小即可得到光功率強(qiáng)度,。處于零偏壓的PN結(jié)可作為光電池使用。一個大面積的PN結(jié),，做好上下極的接觸引線便構(gòu)成一個光電池,。一般光敏面做成梳齒狀，可以減小光生載流子的復(fù)合以提高能量轉(zhuǎn)換效率,，減小串聯(lián)電阻,。對于光電池，負(fù)載電阻較大時,，輸出線性較差,，可獲得較大的輸出電壓，對于不同的入射光強(qiáng),，也會具有不同的最大輸入功率,，往往采用多個光電池的串-并聯(lián)組合運(yùn)用,。APD適用于接收靈敏度要求高的長距離傳輸和高速率通信系統(tǒng)。

雪崩光電二級管（APD）是得用光生載流子在高電場區(qū)內(nèi)的雪崩效應(yīng)而獲得光電流增益,，具有靈敏度高,、響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn)，通常用于激光測距,、激光雷達(dá),、弱光檢測（非線性）。APD雪崩倍增的過程是：當(dāng)光電二極管的p-n結(jié)加相當(dāng)大的反向偏壓時,，在耗盡層內(nèi)將產(chǎn)生一個很高的電場,，它足以使在強(qiáng)電場區(qū)漂移的光生載流子獲得充分的動能，通過與晶格原子碰撞將產(chǎn)生新的電子-空穴對,。新的電子-空穴對在強(qiáng)電場作用下,，分別向相反的方向運(yùn)動，在運(yùn)動過程中又可能與原子碰撞再一次產(chǎn)生新的電子-空穴對,。如此反復(fù),，形成雪崩式的載流子倍增加。這個過程就是APD的工作基礎(chǔ),。APD一般在略低于反向南穿電壓值的反偏壓下工作,。在無光照時，p-n結(jié)不會發(fā)生雪崩倍增效應(yīng),。但結(jié)區(qū)一旦有光照射,，激發(fā)出的光生載流子就被臨界強(qiáng)電場加速而導(dǎo)致雪崩倍增。若反向偏壓大于反向擊穿電壓時,，光電流的增益可達(dá)（十的六次方）即發(fā)生“自持雪崩倍增”,。由于這時出現(xiàn)的散粒噪聲可增大到放大器的噪聲水平，以致使器件無法使用,。當(dāng)光線照在物體上，使物體的電導(dǎo)率發(fā)生變化,，或產(chǎn)生光生電動勢的現(xiàn)象叫內(nèi)光電效應(yīng),。廣東7GHZ APD光電探測器展示

光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變。深圳30G PIN光電探測器分析

光電探測器是一種受光器件,具有光電變換功能,。光敏器件的種類繁多,有光敏電阻,、光電二極管、光電三極管,、光晶閘管,、集成光敏器件等;有雪崩型的及非雪崩型的;有PN結(jié)型、PIN結(jié)型及異質(zhì)結(jié)型的等,。由于光電探測器的響應(yīng)速度快,，體積小,暗電流小,使之在光纖通訊系統(tǒng),、光纖測試系統(tǒng)、光纖傳感器,、光隔離器,、彩電光纖傳輸、電視圖象傳輸,、快速光源的光探測器,、微弱光信號的探測、激光測距儀的接收器件,、高壓電路中的光電測量及光電互感器,、計算機(jī)數(shù)據(jù)傳輸、光電自動控制及光測量等方面得到了廣泛應(yīng)用,。半導(dǎo)體光電探測器是用半導(dǎo)體材料制作的能接收和探測光輻射的器件,。光照射到器件的光敏區(qū)時，它就能將光信號轉(zhuǎn)變成電信號,，是一種光電轉(zhuǎn)換功能的測光元件,。它在國家防御和工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中有著重要和較廣的應(yīng)用。半導(dǎo)體光電探測器可分為光電導(dǎo)型和光伏型兩種,。光電導(dǎo)型是指各種半導(dǎo)體光電導(dǎo)管,，即光敏電阻；光伏型包括光電池,、P-N結(jié)光電二極管,、PIN光電二級管、雪崩光電二極管,、光電三級管等,。深圳30G PIN光電探測器分析

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