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濱州高壓晶閘管模塊配件

來源: 發(fā)布時(shí)間:2023-09-06

    750V通態(tài)平均電流IT(AV):5A比較大通態(tài)電壓VT:3V(IT=30A)比較大反向?qū)妷篤TR:<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關(guān)斷時(shí)間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導(dǎo)晶閘管的好壞,。測試內(nèi)容主要分三項(xiàng):1.檢查逆導(dǎo)性選擇萬用表R×1檔,,黑表筆接K極,,紅表筆接A極(參見圖3(a)),,電阻值應(yīng)為5~10Ω,。若阻值為零,,證明內(nèi)部二極管短路,;電阻為無窮大,,說明二極管開路。2.測量正向直流轉(zhuǎn)折電壓V(BO)按照(b)圖接好電路,,再按額定轉(zhuǎn)速搖兆歐表,,使RCT正向擊穿,由直流電壓表上讀出V(BO)值,。3.檢查觸發(fā)能力實(shí)例:使用500型萬用表和ZC25-3型兆歐表測量一只S3900MF型逆導(dǎo)晶閘管,。依次選擇R×1k,、R×100、R×10和R×1檔測量A-K極間反向電阻,,同時(shí)用讀取電壓法求出出內(nèi)部二極管的反向?qū)妷篤TR(實(shí)際是二極管正向電壓VF),。再用兆歐表和萬用表500VDC檔測得V(BO)值。全部數(shù)據(jù)整理成表1,。由此證明被測RCT質(zhì)量良好,。注意事項(xiàng):(1)S3900MF的VTR<,宜選R×1檔測量,。(2)若再用讀取電流法求出ITR值,,還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片,,但應(yīng)遠(yuǎn)離發(fā)熱元件,。正高電氣通過專業(yè)的知識(shí)和可靠技術(shù)為客戶提供服務(wù)。濱州高壓晶閘管模塊配件

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晶閘管模塊的散熱方法

晶閘管模塊的功耗主要由導(dǎo)通損耗,、開關(guān)損耗和柵極損耗組成,。在工頻或400Hz以下的更多應(yīng)用是傳導(dǎo)損耗。為了保證器件的長期可靠運(yùn)行,,散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導(dǎo)體模塊設(shè)計(jì)中電流,、電壓額定值的選擇同等重要,不容忽視,!散熱器常用的散熱方法有:自然空冷,、強(qiáng)制空冷、熱管冷卻,、水冷,、油冷等??紤]散熱的一般原則是,,控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中給出的額定連接溫度。

選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素:

1,、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積,。

2、晶閘管模塊的使用環(huán)境,。根據(jù)使用環(huán)境冷卻條件來確定何種冷卻方式,,包括自然冷卻、強(qiáng)制風(fēng)冷和水冷,。

3,、設(shè)備的形狀和體積,為散熱預(yù)留空間的大小,,根據(jù)這種情況來確定散熱器的形狀,。 濱州高壓晶閘管模塊配件正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升,。

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    電力半導(dǎo)體器件有:全系列功率模塊(MTC、MFC,、MDC,、MDQ、MDS),,普通整流管(ZP),,快速整流管(ZK),軟恢復(fù)快速整流管(FRD),,旋轉(zhuǎn)整流管(ZX),,大功率組合整流元件,普通晶閘管(KP),,快速晶閘管(KK),,雙向晶閘管(KS),逆導(dǎo)晶閘管(KN),,可關(guān)斷晶閘管(GTO),電力晶體管(GTR)發(fā)電機(jī)旋轉(zhuǎn)勵(lì)磁整流組件,,各種功率單元,。這些元件廣泛應(yīng)用于電化學(xué)電源,充電電源,,電機(jī)調(diào)速,,感應(yīng)加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領(lǐng)域,。我公司所生產(chǎn)的電力電子器件成功的替代了多種進(jìn)口器件,,實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)軋機(jī)原器件的國產(chǎn)化;6K,、6G,、8K、8G電力機(jī)車原器件也全部由我公司國產(chǎn)化,,使用壽命超過了進(jìn)口元件,。在自動(dòng)控制方面,我公司成功開發(fā)出各種工控板,,應(yīng)用在各種不同的場合,,真正形成了控制方式靈活,保護(hù)齊全,,可靠性高的優(yōu)勢(shì),。與模塊結(jié)合開發(fā)了智能模塊。廣泛應(yīng)用于不同行業(yè)各種領(lǐng),。在散熱器方面公司成功開發(fā)了,,通過努力已進(jìn)入了國內(nèi)的輸變電行業(yè),、機(jī)車行業(yè)所需的**市場。我公司秉承快速反應(yīng),、持續(xù)改進(jìn)的工作作風(fēng),,融入世界的發(fā)展戰(zhàn)略,致力于提高品牌**度的發(fā)展目標(biāo),,建成國際前列,、國內(nèi)**的功率半導(dǎo)體制造基地。

    電力電子開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,,尤其涉及一種立式晶閘管模塊,。背景技術(shù):電力電子開關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實(shí)現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個(gè)可控的電子驅(qū)動(dòng)器件,如晶閘管,、晶體管,、場效應(yīng)管、可控硅,、繼電器等,。其中,現(xiàn)有的晶閘管*能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制,,不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制,。因此,針對(duì)上述問題,,有必要提出進(jìn)一步的解決方案,。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊,以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,,本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊,其包括:外殼,、蓋板,、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭,、第二接頭和第三接頭,、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元;所述晶閘管單元包括:壓塊,、門極壓接式組件,、導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片,、瓷板,,所述壓塊設(shè)置于所述門極壓接式組件上,并通過所述門極壓接式組件對(duì)所述導(dǎo)電片,、第二導(dǎo)電片,、瓷板施加壓合作用力,,所述導(dǎo)電片、第二導(dǎo)電片,、瓷板依次設(shè)置于所述銅底板上,;所述第二晶閘管單元包括:第二壓塊、第二門極壓接式組件,、第三導(dǎo)電片,、鉬片、銀片,、鋁片,,所述第二壓塊設(shè)置于所述第二門極壓接式組件上。正高電氣設(shè)備的引進(jìn)更加豐富了公司的設(shè)備品種,,為用戶提供了更多的選擇空間,。

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    晶閘管模塊通常包含一個(gè)或多個(gè)晶閘管,并且還可能包含二極管等其他半導(dǎo)體設(shè)備,。它們具有一個(gè)電氣隔離基板,,這樣可以使其他元件安裝在同一散熱片上。這樣可簡化系統(tǒng)安裝,、包裝和冷卻,。晶閘管模塊的工作原理是什么?晶閘管模塊可用作開關(guān),,在持續(xù)電流達(dá)到設(shè)定值時(shí)開啟。它們持續(xù)導(dǎo)電(接通),,直到設(shè)備電壓反向?yàn)橹?。這些模塊由P和N(正和負(fù))型半導(dǎo)體交替層疊,形成四層半導(dǎo)體材料,。它們?cè)O(shè)計(jì)用于中,、高電流電源的控制應(yīng)用,功能與硅控制設(shè)備相同,。晶閘管模塊可循環(huán)額定電壓和電流較高的大功率電源,。晶閘管模塊的應(yīng)用晶閘管模塊可用于各種應(yīng)用,其中包括:交流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電源熱/溫度控制(例如化學(xué)過程和大型商業(yè)烤箱)電焊機(jī)照明控制大型IGBT前端電路電池充電器直流制動(dòng)橋接電路,。正高電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓,。濱州高壓晶閘管模塊配件

正高電氣秉承團(tuán)結(jié)、奮進(jìn),、創(chuàng)新,、務(wù)實(shí)的精神,誠實(shí)守信,,厚德載物,。濱州高壓晶閘管模塊配件

    晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO,、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL,、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF,、通態(tài)平均電流IT,、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG,、門極反向電壓和維持電流IH等,。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下,在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓,、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓,。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM,是指晶閘管在正向阻斷時(shí),,允許加在A,、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓,。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值,。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT,是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下,,晶閘管正常工作時(shí)A,、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值,。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下,,晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓,當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓,。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM,,是指晶閘管在門極G斷路時(shí),允許加在A,、K極間的比較大反向峰值電壓,。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。,。濱州高壓晶閘管模塊配件

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