大中小電力半導(dǎo)體可控硅普通晶閘管模塊MTC25A2015-06-21共同成長8...展開全文一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1,、芯片與底板電氣絕緣,，2500V交流電壓；2,、國際標(biāo)準(zhǔn)封裝,；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù),；4,、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力；5,、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC,；6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷,，300A以上模塊,，既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷,；7,、安裝簡單，使用維修方便,，體積小,，重量輕。二,、型號(hào)說明：三,、技術(shù)參數(shù)：型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式：五,、產(chǎn)品應(yīng)用：1,、交直流電機(jī)控制；2,、各種整流電源,；3、工業(yè)加熱控制,；4,、調(diào)光；5,、無觸點(diǎn)開關(guān),；6、電機(jī)軟起動(dòng),；7,、靜止無功補(bǔ)嘗；8,、電焊機(jī),；9、變頻器,；10、UPS電源,；11,、電池充放電。說明：,，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值,，表中其它參數(shù)皆jm下的測(cè)試值;,，在50HZ頻率下，I2t(10ms)=(A2S),。正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象,。濟(jì)寧高壓晶閘管模塊廠家

    硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,，能多次使用，當(dāng)過電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復(fù)其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流,，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí),，引起了電子雪崩,，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加,，泄漏了能量,，了過電壓，從而使晶閘管得到保護(hù),。浪涌過后,，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來表示,。標(biāo)稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時(shí),，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒,、波寬20微秒的波形沖擊電流,，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次,，標(biāo)稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的比較大沖擊電流值來表示,。因?yàn)檎５膲好綦娮枇＝鐚又挥幸欢ù笮〉姆烹娙萘亢头烹姶螖?shù)，標(biāo)稱電壓值不僅會(huì)隨著放電次數(shù)增多而下降,，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,，當(dāng)大到某一電流時(shí)，標(biāo)稱電壓下降到0，壓敏電阻出現(xiàn)穿孔,，甚至炸裂,；因此必須限定通流容量。行吊晶閘管智能模塊批發(fā)公司生產(chǎn)工藝得到了長足的發(fā)展,，優(yōu)良的品質(zhì)使我們的產(chǎn)品****各地,。

    1晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中，對(duì)于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員,，都知道晶閘管模塊的來歷及各種分類,。不過現(xiàn)在從事這一行的人越來越多，有的采購人員對(duì)這方面還不是很了解,。有的客戶也經(jīng)常問起我們晶閘管模塊的來歷?，F(xiàn)在晶閘管廠家昆二晶就為大家分享一下：2晶閘管模塊誕生后，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的,，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件,。1964年，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功,，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制,；1965年，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ),；60年代后期，大功率逆變晶閘管問世,，成為當(dāng)時(shí)逆變電路的基本元件,；1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱晶閘管研制完成,。3普通晶閘管廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速,、調(diào)光、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域,，運(yùn)用由它所構(gòu)成的電路對(duì)電網(wǎng)進(jìn)行控制和變換是一種簡便而經(jīng)濟(jì)的辦法,。不過，這種裝置的運(yùn)行會(huì)產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù),、影響電網(wǎng)的質(zhì)量,。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。4雙向晶閘管可視為一對(duì)反并聯(lián)的普通晶閘管的集成,，常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中,。正、負(fù)脈沖都可觸發(fā)導(dǎo)通,，因而其控制電路比較簡單,。其缺點(diǎn)是換向能力差,、觸發(fā)靈敏度低、關(guān)斷時(shí)間較長,，其水平已超過2000V/500A。

晶閘管模塊的工作原理

在晶閘管模塊T的工作過程中,，晶閘管模塊的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載相連,，構(gòu)成晶閘管模塊的主電路。晶閘管模塊的柵極G和陰極K與控制可控硅的裝置相連,，形成晶閘管模塊的控制電路,。

從晶閘管模塊的內(nèi)部分析工作過程：

晶閘管模塊是一種四層三端器件。它有J1,、J2和J3的三個(gè)pn結(jié)圖,。中間的NP可分為PNP型三極管和NPN型三極管兩部分。

當(dāng)晶閘管模塊承載正向陽極電壓時(shí),，為了制造晶閘管模塊導(dǎo)體銅,，承受反向電壓的pn結(jié)J2必須失去其阻擋作用。每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)是另一個(gè)晶體管的基極電流,。因此,，當(dāng)有足夠的柵極電流Ig流入時(shí)，兩個(gè)復(fù)合晶體管電路會(huì)形成較強(qiáng)的正反饋,，從而導(dǎo)致兩個(gè)晶體管飽和導(dǎo)通,，晶體管飽和導(dǎo)通。 正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升,。

晶閘管模塊的類型

晶閘管模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊,，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。

根據(jù)封裝工藝的不同,，晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種。

晶閘管模塊可分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）,；普通整流模塊（MDC）,；普通晶閘管、整流混合模塊（MFC）,；快速晶閘管,、整流混合模塊（MKC\MZC）；非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（通常稱為電焊機(jī)**模塊MTG\MDG）,；三相整流橋輸出晶閘管模塊（MDS）；單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,；單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）,。 正高電氣尊崇團(tuán)結(jié),、信譽(yù)、勤奮,。黑龍江高壓晶閘管模塊廠家

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    三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中,，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形、圓殼形等多種,；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、**率晶閘管和小功率晶閘管三種,。通常,，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝，而中,、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關(guān)斷速度分類晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路,。晶體閘流管工作條件編輯晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時(shí)，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽極電壓時(shí)，*在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通,。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何,，晶閘管保持導(dǎo)通,，即晶閘管導(dǎo)通后，門極失去作用,。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷,。濟(jì)寧高壓晶閘管模塊廠家

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