所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈,。此外,，所述晶閘管單元中，所述壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管,。其中,，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。相類似地,，所述第二晶閘管單元中,，所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管。其中,，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈,。為了實(shí)現(xiàn)門極銅排的安裝，所述外殼1上還設(shè)置有門極銅排安裝座,。綜上所述,，本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過(guò)設(shè)置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制,，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行,。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié),，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下,，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此,，無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看,，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的,，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定,，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求,。此外,，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說(shuō)明書按照實(shí)施方式加以描述,，但并非每個(gè)實(shí)施方式*包含一個(gè)**的技術(shù)方案,。正高電氣愿與各界朋友攜手共進(jìn)，共創(chuàng)未來(lái),！陜西雙向晶閘管模塊組件

晶閘管模塊

晶閘管模塊因其體積小,、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高,、外部接線簡(jiǎn)單、互換性好,、維護(hù)安裝方便等優(yōu)點(diǎn),，自誕生以來(lái)就受到各大功率半導(dǎo)體制造商的青睞，并得到了極大的發(fā)展,。

晶閘管模塊一般對(duì)錯(cuò)正弦電流有疑問(wèn),，存在導(dǎo)通角，負(fù)載電流具有一定的波動(dòng)和不穩(wěn)定因素,，晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差,，因此在選擇模塊的電流標(biāo)準(zhǔn)時(shí)一定要留出一定的余量。

模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過(guò)載能力,。溫度越低,，模塊輸出電流越大。因此,，在運(yùn)行中必須配備散熱器和風(fēng)扇,。建議選擇具有過(guò)熱維護(hù)功能的商品,，有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 陜西雙向晶閘管模塊組件正高電氣以快的速度提供好的產(chǎn)品質(zhì)量和好的價(jià)格及完善的售后服務(wù),。

    下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例,，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖,。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,，但應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制,，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能,、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代,，均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi),。如圖1所示，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1,、蓋板2,、銅底板3、形成于所述蓋板2上的接頭4,、第二接頭5和第三接頭6,、封裝于所述外殼1內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中,，任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接,，并在晶閘管單元的控制下對(duì)所在電路進(jìn)行投切控制。所述晶閘管單元包括：壓塊7,、門極壓接式組件8,、導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11,。其中，所述壓塊7設(shè)置于所述門極壓接式組件8上,，并通過(guò)所述門極壓接式組件8對(duì)所述導(dǎo)電片9,、第二導(dǎo)電片10、瓷板11施加壓合作用力,，所述導(dǎo)電片9,、第二導(dǎo)電片10、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上,。為了實(shí)現(xiàn)所述導(dǎo)電片9,、第二導(dǎo)電片10,、瓷板11與銅底板3的固定連接。

    由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部,，所以元件在關(guān)斷過(guò)程中，正向電壓下降到零時(shí),，內(nèi)部仍殘存著載流子,。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失,，這時(shí)反向電流消失的極快,，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,，電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)L（di/dt）值仍很大,，這個(gè)電勢(shì)和電源電壓串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,，可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿,。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過(guò)電壓，稱為關(guān)斷過(guò)電壓,，其數(shù)值可達(dá)工作電壓峰值的5～6倍,，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,，電阻防止電容和電感產(chǎn)生諧振,、限制晶閘管開通損耗和電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時(shí)產(chǎn)生的過(guò)電壓,，有效避免晶閘管被擊穿,。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短,。比較好采用無(wú)感電阻,，以取得較好的保護(hù)效果。各型號(hào)模塊對(duì)應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取,。（2）壓敏電阻吸收過(guò)電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大,、持續(xù)時(shí)間較長(zhǎng)的過(guò)電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓（V1mA）,，是指壓敏電阻流過(guò)1mA電流時(shí)它兩端的電壓,。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量,。正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營(yíng)管理體系,，使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。

    以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流,，使GTO可靠地導(dǎo)通,。（2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff,，必須有**測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè),。由于測(cè)試條件不同,，測(cè)量結(jié)果*供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù),。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管,。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài),。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu),，使之具有耐高壓、耐高溫,、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能,。例如,，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間*幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫,，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）,。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中,，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只,，不僅使用方便，而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),。逆導(dǎo)晶閘管的符號(hào),、等效電路如圖1(a)、(b)所示,。其伏安特性見圖2,。由圖顯見，逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱性,，正向特性與普通晶閘管SCR相同,，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（*坐標(biāo)位置不同）。逆導(dǎo)晶閘管的典型產(chǎn)品有美國(guó)無(wú)線電公司（RCA）生產(chǎn)的S3900MF,，其外形見圖1(c),。它采用TO-220封裝，三個(gè)引出端分別是門極G,、陽(yáng)極A,、陰極K。S3900MF的主要參數(shù)如下：斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM：>,。正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品,，完善的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn),！濟(jì)南三相交流調(diào)壓模塊批發(fā)

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    漏電流：指加一半標(biāo)稱直流電壓時(shí)測(cè)得的流過(guò)壓敏電阻的電流,。由于壓敏電阻的通流容量大,，殘壓低，過(guò)電壓能力強(qiáng),；平時(shí)漏電流小,，放電后不會(huì)有續(xù)流，元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多,，便于用戶選擇,；伏安特性是對(duì)稱的，可用于交,、直流或正負(fù)浪涌,；因此用途較廣。2,、過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小,、熱容量小，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,，否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí),，熱量來(lái)不及散發(fā),，使得結(jié)溫迅速升高，**終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞,。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的,，例如，變流裝置本身晶閘管損壞,，觸發(fā)電路發(fā)生故障,，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過(guò)高,、過(guò)低或缺相,，負(fù)載過(guò)載或短路，相鄰設(shè)備故障影響等,。晶閘管過(guò)電流保護(hù)方法**常用的是快速熔斷器,。由于普通熔斷器的熔斷特性動(dòng)作太慢，在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞,；所以不能用來(lái)保護(hù)晶閘管,。陜西雙向晶閘管模塊組件

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