可控硅模塊主要優(yōu)點(diǎn)如下：

（1）采用進(jìn)口方形可控硅支撐板,，降低了可控硅模塊的電壓,，功耗低，效率高,，節(jié)能效果好,。

（2）采用進(jìn)口插入元件，保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性,。

（3）（DCB）陶瓷銅板采用獨(dú)特的處理和特殊的焊接工藝,，保證了晶閘管組件的焊接層無(wú)空腔，導(dǎo)熱性好,。

（4）導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能,。

（5）觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離,，導(dǎo)熱基板不帶電,，介電強(qiáng)度≥2500V,，保證安全,。

（6）通過(guò)輸入0-10V直流控制信號(hào)，可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓,。

（7）可采用手動(dòng)控制,、儀表控制或微機(jī)控制。

（8）適用于電阻和電感負(fù)載,。 淄博正高電氣有限公司深受各界客戶好評(píng)及厚愛(ài),。天津大功率可控硅模塊

可控硅鑒別三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以判斷出來(lái),。

  陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),，而且方向相反,，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）。

  控制極與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié),，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大?？墒强刂茦O二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的，可以有比較大的電流通過(guò),，因此,，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,，在測(cè)量控制極正反向電阻時(shí),，萬(wàn)用表應(yīng)放在R*10或R*1擋，防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿,。

  若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,，或陽(yáng)極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路,，說(shuō)明元件已損壞。 青島雙向可控硅模塊價(jià)格淄博正高電氣有限公司產(chǎn)品**國(guó)內(nèi),。

可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝,，電流承載能力大，熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)是國(guó)標(biāo)的進(jìn)10倍,，焊接工藝獨(dú)特,，絕緣強(qiáng)度高，導(dǎo)熱性能好,?？煽毓枘K的工作場(chǎng)所應(yīng)干燥、無(wú)腐蝕性氣體,、通風(fēng),、無(wú)塵，環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃,，下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟：  1,、散熱器和風(fēng)機(jī)按通風(fēng)要求裝配于機(jī)箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔,。在模塊導(dǎo)熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,，然后用螺釘把模塊固定于散熱器上，四個(gè)螺釘用力要均等,。

  2,、用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊，浸錫,，套上絕緣熱縮管,，用熱風(fēng)或熱水加熱收縮，導(dǎo)線截面積按電流密度<4A/mm2選取,，禁止將銅線直接壓接在可控硅模塊電極上,。

  3,、 將接線端頭平放于可控硅模塊電極上用螺釘緊固,，保持良好的平面壓力接觸,。

  4、可控硅模塊的電極易掀起折斷,，接線時(shí)應(yīng)防止重力將電極拉起折斷,。

可控硅模塊規(guī)格的選擇方法：考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流，存在導(dǎo)通角問(wèn)題,，負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素,，晶閘管芯片抗電流沖擊能力差，在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度,。

推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算：I＞K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際

K ：安全系數(shù),，阻性負(fù)載K= 1.5，感性負(fù)載K= 2,；

I負(fù)載：負(fù)載流過(guò)的強(qiáng)大電流,； U實(shí)際：負(fù)載上的小電壓；

U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓,；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規(guī)格均為1.0倍）,；

I：需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值,。 淄博正高電氣有限公司以發(fā)展求壯大，就一定會(huì)贏得更好的明天,。

一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管,，所以國(guó)際上通稱為硅晶體閘流管，簡(jiǎn)稱晶閘管T,。又由于晶閘管開(kāi)始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR。

在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),。

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過(guò)此頻率，因元件開(kāi)關(guān)損耗明顯增加,，允許通過(guò)的平均電流相降低,，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用,。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通,、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,，無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高,，成本低等等,。

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。 淄博正高電氣有限公司創(chuàng)新發(fā)展，努力拼搏,。福建雙向可控硅模塊報(bào)價(jià)

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可控硅模塊的作用和優(yōu)勢(shì)大家都知道,，它的應(yīng)用范圍是非常廣的，在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的,，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢,？下面正高來(lái)講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。

在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來(lái)得早,，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚,，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。 天津大功率可控硅模塊

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