晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱,，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅,；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產品,，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結構,，它有三個極：陽極,，陰極和門極；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流,；其派生器件有：快速晶閘管,，雙向晶閘管，逆導晶閘管,，光控晶閘管等,。它是一種大功率開關型半導體器件，在電路中用文字符號為“V”,、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）,。晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓,、大電流條件下工作,，且其工作過程可以控制、被應用于可控整流,、交流調壓,、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中,。中文名晶閘管外文名Thyristo目錄1種類2工作原理3工作條件4工作過程5注意事項6如何保護晶閘管晶體閘流管種類編輯（一）按關斷,、導通及控制方式分類晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管,、雙向晶閘管,、逆導晶閘管、門極關斷晶閘管（GTO）,、BTG晶閘管,、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種。,。二）按引腳和極性分類晶體閘流管晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管。,。正高電氣企業(yè)文化：服務至上,，追求超越，群策群力，共赴超越,。江蘇晶閘管智能調壓模塊配件

    硒堆的特點是其動作電壓和溫度有關,，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復特性,，能多次使用,，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,，其結構為兩個電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結晶,，結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài)，只有很小的漏電流,，其值小于100μA,。當加上電壓時，引起了電子雪崩,，粒界層迅速變成低阻抗,，電流迅速增加，泄漏了能量,，了過電壓,，從而使晶閘管得到保護。浪涌過后,，粒界層又恢復為高阻態(tài),。壓敏電阻的特性主要由下面幾個參數來表示。標稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時,，其兩端的電壓值,。通流容量：是用前沿8微秒、波寬20微秒的波形沖擊電流,，每隔5分鐘沖擊1次,，共沖擊10次，標稱電壓變化在-10[[[%]]]以內的比較大沖擊電流值來表示,。因為正常的壓敏電阻粒界層只有一定大小的放電容量和放電次數,，標稱電壓值不僅會隨著放電次數增多而下降，而且也隨著放電電流幅值的增大而下降,，當大到某一電流時,，標稱電壓下降到0，壓敏電阻出現穿孔,，甚至炸裂,；因此必須限定通流容量,。江蘇晶閘管智能調壓模塊配件正高電氣以發(fā)展求壯大，就一定會贏得更好的明天,。

    以提高測試電壓和測試電流,，使GTO可靠地導通。（2）要準確測量GTO的關斷增益βoff,，必須有**測試設備,。但在業(yè)余條件下可用上述方法進行估測,。由于測試條件不同,，測量結果*供參考，或作為相對比較的依據,。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向導通晶閘管,。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯一只二極管，使陽極與陰極的發(fā)射結均呈短路狀態(tài),。由于這種特殊電路結構,，使之具有耐高壓、耐高溫,、關斷時間短,、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如,，逆導晶閘管的關斷時間*幾微秒,，工作頻率達幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）,。該器件適用于開關電源,、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只,，不僅使用方便,，而且能簡化電路設計。逆導晶閘管的符號,、等效電路如圖1(a),、(b)所示。其伏安特性見圖2,。由圖顯見,，逆導晶閘管的伏安特性具有不對稱性，正向特性與普通晶閘管SCR相同,，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（*坐標位置不同）,。逆導晶閘管的典型產品有美國無線電公司（RCA）生產的S3900MF，其外形見圖1(c),。它采用TO-220封裝,，三個引出端分別是門極G、陽極A、陰極K,。S3900MF的主要參數如下：斷態(tài)重復峰值電壓VDRM：>,。

    3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時器件內部各結層殘存載流子復合所產生的,，所以又叫載流子積蓄效應引起的過電壓,。換相過電壓之后，出現換相振蕩過電壓,，它是由于電感,、電容形成共振產生的振蕩電壓，其值和換相結束后的反向電壓有關,。反向電壓越高,，換相振蕩過電壓也越大。針對形成過電壓的不同原因,，可以采取不同的方法,，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減,；過電壓能量上升的速率,，延緩已產生能量的消散速度，增加其消散的途徑,；采用電子線路進行保護等,。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路,。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有較高的頻率，因此常用電容作為吸收元件,，為防止振蕩,，常加阻尼電阻，構成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在電路的交流側,、直流側，或并接在晶閘管的陽極和陰極之間,。吸收電路比較好選用無感電容,，接線應盡量短。,。5）由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時間常數RC是固定的,，有時對時間短、峰值高,、能量大的過電壓來不及放電,，過電壓的效果較差,。因此，一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,?！百|量優(yōu)先，用戶至上,，以質量求發(fā)展,，與用戶共創(chuàng)雙贏”是正高電氣新的經營觀。

    750V通態(tài)平均電流IT（AV）：5A比較大通態(tài)電壓VT：3V（IT=30A）比較大反向導通電壓VTR：<比較大門極觸發(fā)電壓VGT:4V比較大門極觸發(fā)電流IGT:40mA關斷時間toff:μs通態(tài)電壓臨界上升率du/dt:120V/μs通態(tài)浪涌電流ITSM:80A利用萬用表和兆歐表可以檢查逆導晶閘管的好壞,。測試內容主要分三項：1．檢查逆導性選擇萬用表R×1檔,，黑表筆接K極，紅表筆接A極（參見圖3(a)）,，電阻值應為5～10Ω,。若阻值為零,，證明內部二極管短路,；電阻為無窮大，說明二極管開路,。2．測量正向直流轉折電壓V（BO）按照（b）圖接好電路,，再按額定轉速搖兆歐表，使RCT正向擊穿,，由直流電壓表上讀出V（BO）值,。3．檢查觸發(fā)能力實例：使用500型萬用表和ZC25-3型兆歐表測量一只S3900MF型逆導晶閘管。依次選擇R×1k,、R×100,、R×10和R×1檔測量A-K極間反向電阻，同時用讀取電壓法求出出內部二極管的反向導通電壓VTR（實際是二極管正向電壓VF）,。再用兆歐表和萬用表500VDC檔測得V（BO）值,。全部數據整理成表1。由此證明被測RCT質量良好,。注意事項：（1）S3900MF的VTR<,，宜選R×1檔測量。（2）若再用讀取電流法求出ITR值,，還可以繪制反向伏安特性,。①一般小功率晶閘管不需加散熱片，但應遠離發(fā)熱元件,。正高電氣竭誠為您服務,，期待與您的合作，歡迎大家前來,！廣西蓄電池充放電晶閘管智能調壓模塊

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晶閘管模塊的類型

晶閘管模塊通常被稱之為功率半導體模塊,，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,。

根據封裝工藝的不同,，晶閘管模塊可分為焊接型和壓型兩種。

晶閘管模塊可分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX）,；普通整流模塊（MDC）,；普通晶閘管、整流混合模塊（MFC）,；快速晶閘管,、整流混合模塊（MKC\MZC）；非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（通常稱為電焊機**模塊MTG\MDG）,；三相整流橋輸出晶閘管模塊（MDS）；單相（三相）整流橋模塊（MDQ）,；單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）,。 江蘇晶閘管智能調壓模塊配件

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