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內(nèi)蒙古高壓可控硅模塊報(bào)價(jià)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-12-12

單向可控硅的檢測

  萬用表選用電阻R×1檔,,用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對引腳,,此時(shí)黑筆接的引腳為控制極G,紅筆接的引腳為陰極K,,另一空腳為陽極A,。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽極A,,紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng),。用短接線瞬間短接陽極A和控制極G,,此時(shí)萬用表指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),阻值讀數(shù)為10歐姆左右,。如陽極A接黑表筆,,陰極K接紅表筆時(shí),萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),,說明該單向可控硅已擊穿損壞,。 歡迎各界朋友蒞臨參觀。內(nèi)蒙古高壓可控硅模塊報(bào)價(jià)

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任何的東西都有其使用的壽命,,可控硅也不例外,,可控硅模塊使用時(shí)間長了,它的溫度就會(huì)升高,,如果溫度過高就容易損壞,,并且降低使用壽命,這就需要大家來看看可控硅模塊的升溫方法:

1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計(jì),,溫度計(jì)測點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線等高,,溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行,。

2 可控硅模塊溫升按下式計(jì)算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升(℃),。

3 可控硅模塊工作溫度的測定:被測可控硅模塊溫升的測定,通常與減速機(jī)的承載能力及傳動(dòng)效率測定同時(shí)進(jìn)行,,也可單獨(dú)進(jìn)行,,被測減速機(jī)在符合規(guī)定時(shí),讀取它在額定轉(zhuǎn)速,、額定輸入功率下的工作溫度

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實(shí)際上,,可控硅模塊元件的結(jié)溫不容易直接測量,因此不能用它作為是否超溫的判據(jù),。通過控制模塊底板的溫度(即殼溫Tc)來控制結(jié)溫是一種有效的方法。由于PN結(jié)的結(jié)溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度,,知道了殼溫也就知道了結(jié)溫,,而相當(dāng)高殼溫Tc是限定的,由產(chǎn)品數(shù)據(jù)表給出,。借助溫控開關(guān)可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度(溫度傳感元件應(yīng)置于模塊底板溫度相當(dāng)高的位置),。從溫控天關(guān)測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常,。若在線路中增加一個(gè)或兩個(gè)溫度控制電路,分別控制風(fēng)機(jī)的開啟或主回路的通斷(停機(jī)),,就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結(jié)溫下正常工作,。

  需要指出的是,溫控開關(guān)測量到的溫度是模塊底板表面的溫度,,易受環(huán)境,、空氣對流的影響,與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc,,還有一定的差別(大約低幾度到十幾度),,因此其實(shí)際控制溫度應(yīng)低于規(guī)定的Tc值。用戶可以根據(jù)實(shí)際情況和經(jīng)驗(yàn)決定控制的溫度,。

單向可控硅模塊有陽極A,、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳,。雙向可控硅有一陽極A1(T1),,二陽極A2(T2)、控制極G三個(gè)引出腳,。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,,同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí),方可被觸發(fā)導(dǎo)通,。此時(shí)A,、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài),陽極A與陰極K間壓降約1V,。

單向可控硅導(dǎo)通后,,控制器G即使失去觸發(fā)電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài),。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過零)時(shí),,單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài),。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通,。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開關(guān)的閉合與斷開狀態(tài),用它可制成無觸點(diǎn)開關(guān),。 淄博正高電氣有限公司愿和各界朋友真誠合作一同開拓,。

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可控硅模塊主要優(yōu)點(diǎn)如下:

(1)采用進(jìn)口方形可控硅支撐板,降低了可控硅模塊的電壓,,功耗低,,效率高,,節(jié)能效果好。

(2)采用進(jìn)口插入元件,,保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性,。

(3)(DCB)陶瓷銅板采用獨(dú)特的處理和特殊的焊接工藝,保證了晶閘管組件的焊接層無空腔,,導(dǎo)熱性好,。

(4)導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能。

(5)觸發(fā)控制電路,、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離,,導(dǎo)熱基板不帶電,介電強(qiáng)度≥2500V,,保證安全,。

(6)通過輸入0-10V直流控制信號(hào),可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓,。

(7)可采用手動(dòng)控制,、儀表控制或微機(jī)控制。

(8)適用于電阻和電感負(fù)載,。 淄博正高電氣有限公司是您可信賴的合作伙伴,!內(nèi)蒙古高壓可控硅模塊報(bào)價(jià)

淄博正高電氣有限公司不斷從事技術(shù)革新,改進(jìn)生產(chǎn)工藝,,提高技術(shù)水平,。內(nèi)蒙古高壓可控硅模塊報(bào)價(jià)

您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?

可控硅模塊導(dǎo)通的條件是陽極承受正電壓,,只有當(dāng)正向觸發(fā)電壓時(shí),,可控硅才能導(dǎo)通。由門級施加的正向觸發(fā)脈沖的較小寬度應(yīng)使陽極電流達(dá)到維持直通狀態(tài)所需的較小的陽極電流,,即高于電流IL,。可控硅導(dǎo)通后的電壓降很小,。

接通可控硅模塊的條件是將流過可控硅模塊的電流減小到較小的值,,即保持電流IH。有兩種方法:

1.將正極電壓降低至數(shù)值,,或添加反向陽極電壓,。

2.增加負(fù)載電路中的電阻。

以上是可控硅模塊的導(dǎo)通狀態(tài),,希望能幫助您 內(nèi)蒙古高壓可控硅模塊報(bào)價(jià)

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