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濟(jì)南雙向可控硅模塊生產(chǎn)廠家

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-10-28

可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了,,在您了解的知識(shí)中,,您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?下面正高電氣來(lái)講解一下。


可控硅模塊的工作條件:

1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),,不管門級(jí)承受哪種電壓,可控硅模塊都會(huì)處于斷開狀態(tài)。

2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽(yáng)極電壓時(shí),可控硅*在門級(jí)受到正向電壓時(shí)接通,。

3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),只需要有一定的正極電壓,,不管門極電壓怎樣,,可控硅模塊都保持導(dǎo)通,如果可控硅導(dǎo)通后,,門極將失去其功能,。

4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí),,可控硅模塊關(guān)斷,。 淄博正高電氣有限公司團(tuán)結(jié)、創(chuàng)新,、合作,、共贏。濟(jì)南雙向可控硅模塊生產(chǎn)廠家

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斷一個(gè)可控硅元件是否完好,,工程師需要從四個(gè)方面進(jìn)行檢查,,首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好,其次是當(dāng)陰極與陽(yáng)極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通,,第三是當(dāng)控制極開路時(shí),,陽(yáng)極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通,第四是給控制極加上正向電流,,給陰極與陽(yáng)極加正向電壓時(shí),,可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài),。滿足以上四個(gè)條件的可控硅元件,,才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。

  想要看一個(gè)可控硅元件是否符合以上要求,,其實(shí)非常簡(jiǎn)單,,只需要用萬(wàn)用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻,就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷,。具體的操作方法是:用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽(yáng)極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),,此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,,表明正反向漏電電流愈小,。如果測(cè)得的阻值很低,或近于無(wú)窮大,,說(shuō)明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,,此可控硅不能使用了。 濟(jì)南雙向可控硅模塊生產(chǎn)廠家淄博正高電氣有限公司得到市場(chǎng)的一致認(rèn)可。

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接下來(lái)需要檢測(cè)的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞,。我們可以用萬(wàn)用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽(yáng)極與控制極之間的電阻,,正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路,。用R×1k或R×100擋,,測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o(wú)窮大,,表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞,。反向阻值應(yīng)很大,但不能為無(wú)窮大,。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值,。

  如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞,工程師可以使用萬(wàn)用表選電阻R×1擋,,然后將黑表筆接陽(yáng)極,,紅表筆仍接陰極,此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng),。紅表筆接陰極不動(dòng),,黑表筆在不脫開陽(yáng)極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極,此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),,阻值讀數(shù)為10歐姆左右,。如陽(yáng)極接黑表筆,陰極接紅表筆時(shí),,萬(wàn)用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),,說(shuō)明該單向可控硅已擊穿損壞。

可控硅模塊規(guī)格的選擇方法:考慮到可控硅產(chǎn)品一般為非正弦電流,,存在導(dǎo)通角問(wèn)題,,負(fù)載電流存在一些波動(dòng)和不穩(wěn)定因素,晶閘管芯片抗電流沖擊能力差,,在選擇模塊電流規(guī)格時(shí)必須留出一定的裕度,。

推薦選擇方法可按照以下公式計(jì)算:I>K×I負(fù)載×U∕U實(shí)際

K :安全系數(shù),阻性負(fù)載K= 1.5,,感性負(fù)載K= 2;

I負(fù)載:負(fù)載流過(guò)的強(qiáng)大電流,; U實(shí)際:負(fù)載上的小電壓,;

U強(qiáng)大 模塊能輸出的強(qiáng)大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,,其余規(guī)格均為1.0倍);

I:需要選擇模塊的小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。 淄博正高電氣有限公司不斷提高產(chǎn)品的質(zhì)量,。

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可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),,可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,。當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí),BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),。此時(shí),,如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào),BG2便有基流ib2流過(guò),,經(jīng)BG2放大,,其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連,,所以ib1=ic2,。此時(shí),電流ic2再經(jīng)BG1放大,,于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2,。這個(gè)電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,,使ib2不斷增大,,如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,兩個(gè)管子的電流劇增,,可控硅使飽和導(dǎo)通,。

 由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔茫砸坏┛煽毓鑼?dǎo)通后,,即使控制極G的電流消失了,,可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用,,沒(méi)有關(guān)斷功能,,所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。

  由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),,所以它具有開關(guān)特性,,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化 創(chuàng)造價(jià)值是我們永遠(yuǎn)的追求!濟(jì)南雙向可控硅模塊生產(chǎn)廠家

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可控硅模塊的操控端口與操控線

可控硅模塊操控端接口有5腳、9腳和15腳三種辦法,,別離對(duì)應(yīng)于5芯,、9芯、15芯的操控線。選用電壓信號(hào)的商品只用**腳端口,,其他為空腳,,選用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入,操控線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,聯(lián)接時(shí)注意不要同其它的端子短路,避免不能正常作業(yè)或能夠燒壞模塊,。

可控硅模塊操控端口插座和操控線插座上都有編號(hào),,請(qǐng)一一對(duì)應(yīng),不要接反,。以上六個(gè)端口為模塊根柢端口,,其它端口為分外端口,只在具有多功用商品中運(yùn)用,,一般調(diào)壓商品其他腳為空腳,。 濟(jì)南雙向可控硅模塊生產(chǎn)廠家

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與可控硅模塊相關(guān)的擴(kuò)展資料:

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可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module),。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入 電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè) PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大 功率半導(dǎo)體器件,。