當正向電壓超過其斷態(tài)重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通,，引發(fā)電路故障,；當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時，晶閘管就會立即損壞,。因此,，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化,，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換,，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型,。由雷擊或高壓斷路器動作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,，對晶閘管是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下幾類：（1）交流電源接通,、斷開產(chǎn)生的過電壓例如,，交流開關的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓,，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容,、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍,。一般地,，開閉速度越快過電壓越高，在空載情況下斷開回路將會有更高的過電壓,。,。2）直流側(cè)產(chǎn)生的過電壓如切斷回路的電感較大或者切斷時的電流值較大，都會產(chǎn)生比較大的過電壓,。這種情況常出現(xiàn)于切除負載,、正在導通的晶閘管開路或是快速熔斷器熔體燒斷等原因引起電流突變等場合。,。正高電氣與廣大客戶攜手并進,，共創(chuàng)輝煌！河北電磁吸盤單相整流調(diào)壓模塊

晶閘管模塊的散熱方法

晶閘管模塊的功耗主要由導通損耗,、開關損耗和柵極損耗組成,。在工頻或400Hz以下的更多應用是傳導損耗。為了保證器件的長期可靠運行,，散熱器及其冷卻方式的選擇與功率半導體模塊設計中電流,、電壓額定值的選擇同等重要,，不容忽視！散熱器常用的散熱方法有：自然空冷,、強制空冷,、熱管冷卻、水冷,、油冷等,。考慮散熱的一般原則是,，控制模塊中管芯的連接溫度Tj不超過產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中給出的額定連接溫度,。

選擇晶閘管模塊散熱器必須考慮的元素：

1、晶閘管模塊的工作電流決定了所需的冷卻面積,。

2,、晶閘管模塊的使用環(huán)境。根據(jù)使用環(huán)境冷卻條件來確定何種冷卻方式,，包括自然冷卻、強制風冷和水冷,。

3,、設備的形狀和體積，為散熱預留空間的大小,，根據(jù)這種情況來確定散熱器的形狀,。 河北電磁吸盤單相整流調(diào)壓模塊正高電氣企業(yè)價值觀：以人為本，顧客滿意,，溝通合作,，互惠互利。

    三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種；塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。（四）按電流容量分類晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,，大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝,。（五）按關斷速度分類晶閘管按其關斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管,。晶體閘流管工作原理編輯晶閘管T在工作過程中,，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路。晶體閘流管工作條件編輯晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽極電壓時,，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于關斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽極電壓時,，*在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導通,。3.晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓,，不論門極電壓如何,，晶閘管保持導通，即晶閘管導通后,，門極失去作用,。4.晶閘管在導通情況下，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時,，晶閘管關斷,。

    晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL,、反向漏電流IRL,、斷態(tài)重復峰值電壓VDRM、反向重復峰值電壓VRRM,、正向平均壓降VF,、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG,、門極觸發(fā)電流IG,、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下,，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓,、使其由關斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)時所對應的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復峰值電壓VDRM斷態(tài)重復峰值電壓VDRM,，是指晶閘管在正向阻斷時,，允許加在A、K(或T1,、T2)極間比較大的峰值電壓,。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT,，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標準散熱條件下,，晶閘管正常工作時A,、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值,。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下,，晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當其反向漏電電流急劇增加時反對應的峰值電壓,。(五)晶閘管反向重復峰值電壓VRRM反向重復峰值電壓VRRM,，是指晶閘管在門極G斷路時，允許加在A,、K極間的比較大反向峰值電壓,。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。,。正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品,，完善的服務與尊敬的用戶攜手并進！

    它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點,，以具有自關斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻紡比GTR低。GTO已達到3000A,、4500V的容量,。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速,、逆變電源等領域,，顯示出強大的生命力?？申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號,。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷,。GTO的一個重要參數(shù)就是關斷增益,，βoff,，它等于陽極比較大可關斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大,，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然,，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關斷能力,、估測關斷增益βoff的方法,。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻,，*當黑表筆接G極,。正高電氣以誠信為根本，以質(zhì)量服務求生存,。日照大功率晶閘管模塊配件

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    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值,，考慮到電網(wǎng)電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降,，因此，額定電壓的取值應適當提高,。目前通常采用30[%]的余量計算,。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只,、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只,。全部接在交流輸入端。3,、過熱保護晶閘管在電流通過時,，會產(chǎn)生一定的壓降，而壓降的存在則會產(chǎn)生一定的功耗,，電流越大則功耗越大,，產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉,，會造成燒壞晶閘管芯片的問題,。因此要求使用晶閘管模塊時，一定要安裝散熱器,。散熱條件的好壞,，是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過熱燒毀,，而且能夠提高模塊的電流輸出能力,。建議用戶在使用大電流規(guī)格模塊的時候盡量選擇帶過熱保護作用的模塊。當然,，即便模塊帶過熱保護作用,，而散熱器和風機也是不可缺少的。在使用中,，當散熱條件不符合規(guī)定要求時,，如室溫超過40℃、強迫風冷的出口風速不足6m/s等,，則模塊的額定電流應立即降低使用,，否則模塊會由于芯片結(jié)溫超過允許值而損壞。譬如,。河北電磁吸盤單相整流調(diào)壓模塊

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