晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器,，以前被簡稱為可控硅,；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化,；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個極：陽極，陰極和門極,；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流,；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管,，逆導(dǎo)晶閘管,，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,，在電路中用文字符號為“V”,、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）。晶閘管具有硅整流器件的特性,，能在高電壓,、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制,、被應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān),、逆變及變頻等電子電路中,。晶閘管的種類晶閘管有多種分類方法。（一）按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類晶閘管按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管、雙向晶閘管,、逆導(dǎo)晶閘管,、門極關(guān)斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管,、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種,。（二）按引腳和極性分類晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。其中。正高電氣尊崇團(tuán)結(jié),、信譽(yù),、勤奮。山東MTAC600晶閘管智能模塊價格

    使設(shè)備進(jìn)入穩(wěn)態(tài)運(yùn)行,。若一次起動不成功,，即自動調(diào)頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號，此時,，它激信號便會一直掃描到比較低頻率,，重復(fù)起動電路一旦檢測到它激信號進(jìn)入到比較低頻段，便進(jìn)行一次再起動,，把它激信號再推到比較高頻率,，重新掃描一次，直至起動成功,，重復(fù)起動的周期約為,。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號，經(jīng)IC1A轉(zhuǎn)換成方波信號,，輸入到IC6的30角,，由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號,。經(jīng)IC7A隔離放大后,，驅(qū)動逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5、Q6,。IC4B和IC4C構(gòu)成逆變壓控時鐘,，輸入到IC6的33腳CLOK2；同時又由IC7B進(jìn)行頻壓轉(zhuǎn)換后用于驅(qū)動頻率表,。W6微調(diào)電位器用于設(shè)定壓控時鐘的比較高頻（即逆變它激信號的比較高頻率）,，W5微調(diào)電位器用于整定外接頻率表的讀數(shù)。另外,，當(dāng)發(fā)生過電壓保護(hù)時,，IC6內(nèi)部的過電壓保護(hù)振蕩器起振，輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發(fā)脈沖,，使逆變橋的4只晶閘管均導(dǎo)通。IC4A為起動失敗檢測器,，其輸出控制IC6內(nèi)部重復(fù)起動電路,。過電流保護(hù)信號經(jīng)Q3倒相后,，送到IC6的20P，整流觸發(fā)脈沖：驅(qū)動“”LED批示燈亮和驅(qū)動報警繼電器,。過電流觸發(fā)器動作后,，只有通過復(fù)位信號或通過關(guān)機(jī)后再開機(jī)進(jìn)行“上電復(fù)位”，方可再次運(yùn)行,。威海MTAC600晶閘管智能模塊配件正高電氣從國內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備,，實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。

晶閘管智能模塊過流保護(hù)：

加熱爐在實(shí)際工作中因加熱絲溫度上升,，會導(dǎo)致加熱絲變形,，如果加熱絲沒有采取良好的固定措施，會慢慢變形直至兩處加熱絲挨到一塊,，形成短路,，短路后會使電流增大，電流過大后會超過模塊的額定電流,，燒毀模塊,，為了限制電流過大，必須采取過流保護(hù)措施,，一般再模塊的輸入端分別串聯(lián)快速熔斷器來限制比較大電流,，熔斷器額定電流值一般取負(fù)載的額定電流或略大于負(fù)載額定電流，必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流,，快速熔斷器額定電流過大將起不到保護(hù)作用,。

    限流作用的強(qiáng)弱調(diào)節(jié)使靜止的。無接觸的,。非機(jī)械式的,，這就為微電子技術(shù)打開了大門。所以,，在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的,。說磁飽和軟起動能實(shí)現(xiàn)軟停止，能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能,，其原因概出于此,。高壓磁飽和電抗器在原理和結(jié)構(gòu)上與低壓（380V）磁飽和電抗器沒有本質(zhì)的區(qū)別，只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了,。磁飽和電抗器具有,，這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數(shù)量級。對于電動機(jī)系統(tǒng)的大慣性來說,，磁控軟起動的慣性是不足為慮的,。有人說磁控軟起動不產(chǎn)生高次諧波，這是錯誤的,。只要飽和,。就一定會有非線性,，就一定會引起高次諧波，只是磁飽和電抗器產(chǎn)生的高次諧波會比工作于斬波狀態(tài)的晶閘管要小一些,。磁控軟起動裝置需要有相對較大功率的輔助電源,，噪聲較大則是其不足之處。三,、晶閘管軟起動晶閘管軟起動產(chǎn)品的問世是當(dāng)今電力電子器件長足進(jìn)步的結(jié)果,。在很多年以前電氣工程界就有人指出，晶閘管軟起動將引發(fā)軟起動行業(yè)的一場**,。晶閘管軟啟動器主要性能優(yōu)于液阻軟起動,。與液阻軟起動相比，它體積小,，結(jié)構(gòu)緊湊,，維護(hù)量小，功能齊全,，菜單豐富,，起動重復(fù)性好，保護(hù)周全,，這些都是液阻軟起動難以望其項(xiàng)背的,。正高電氣公司狠抓產(chǎn)品質(zhì)量的提高，逐年立項(xiàng)對制造,、檢測,、試驗(yàn)裝置進(jìn)行技術(shù)改造。

    而稱之為主電極T1,、T2,。[15]檢測單向晶閘管：萬用表置于“R×10Ω”擋，黑表筆接控制極G,，紅表筆接陰極K,，測量其正向電阻，應(yīng)有較小的阻值,。對調(diào)兩表筆測其反向電阻,，應(yīng)比正向電阻明顯大一些。測量控制極G與陽極A之間的正,、反向電阻,，均應(yīng)為無窮大。這是因?yàn)镚,、A間為兩個PN結(jié)反向串聯(lián),，不論正、反向均不應(yīng)導(dǎo)通，否則晶閘管已壞,。[16]檢測雙向晶閘管：萬用表置于“R×1Ω”擋,，兩表筆測量控制極G與主電極T1間的正,、反向電阻,，均應(yīng)為較小阻值。測量控制極G與主電極T2間的正,、反向電阻,，均應(yīng)為無窮大。[17]檢測單向晶閘管導(dǎo)通特性：萬用表置于“R×1Ω”擋,，黑表筆接陽極A,，紅表筆接陰極K，表針指示應(yīng)為無窮大,。用螺絲刀等金屬物將控制極G與陽極A短接一下（短接后即斷開）,，表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。檢測雙向晶閘管導(dǎo)通特性：黑表筆接主電極T1,，紅表筆接主電極T2,，表針指示應(yīng)為無窮大。將控制極G與主電極T2短接一下,，表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處,。如不符合上述情況則說明晶閘管已損壞。[18]晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）的作用,，并具有體積小,、重量輕、功耗低,、效率高,、開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。正高電氣公司將以質(zhì)量的產(chǎn)品,，完善的服務(wù)與尊敬的用戶攜手并進(jìn),！山東MTAC600晶閘管智能模塊價格

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    以具有自關(guān)斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻紡比GTR低,。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力,。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,，βoff,，它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大,，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力,、估測關(guān)斷增益βoff的方法,。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻,，*當(dāng)黑表筆接G極,，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值,。山東MTAC600晶閘管智能模塊價格

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