SIP產(chǎn)品封裝介紹,，什么是SIP?SiP模組是一個功能齊全的子系統(tǒng),，它將一個或多個IC芯片及被動元件整合在一個封裝中。此IC芯片(采用不同的技術：CMOS,、BiCMOS、GaAs等)是Wire bonding芯片或Flipchip芯片，貼裝在Leadfream,、Substrate或LTCC基板上。被動元器件如RLC及濾波器(SAW/BAW/Balun等)以分離式被動元件,、整合性被動元件或嵌入式被動元件的方式整合在一個模組中,。SIP工藝流程劃分，SIP封裝制程按照芯片與基板的連接方式可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種。一個SiP可以選擇性地包含無源器件,、MEMS,、光學元件以及其他封裝和設備。天津SIP封裝技術

合封電子,、芯片合封和SiP系統(tǒng)級封裝經(jīng)常被提及的概念,。但它們是三種不同的技術，還是同一種技術的不同稱呼,？本文將幫助我們更好地理解它們的差異,。合封電子與SiP系統(tǒng)級封裝的定義，首先合封電子和芯片合封都是一個意思合封電子是一種將多個芯片（多樣選擇）或不同的功能的電子模塊（LDO,、充電芯片,、射頻芯片、mos管）封裝在一起的定制化芯片,，從而形成一個系統(tǒng)或者子系統(tǒng),。以實現(xiàn)更復雜、更高效的任務,。云茂電子可定制組成方式包括CoC封裝技術,、SiP封裝技術等。廣西IPM封裝技術SiP技術是一項先進的系統(tǒng)集成和封裝技術,，與其它封裝技術相比較,，SiP技術具有一系列獨特的技術優(yōu)勢。

硅中介層具有TSV集成方式為2.5D集成技術中較為普遍的方式,，芯片一般用MicroBump與中介層連接,，硅基板做中介層使用Bump與基板連接，硅基板的表面采用RDL接線,，TSV是硅基板上,、下表面的電連接通道，該2.5D集成方式適用于芯片尺寸相對較大的場合,，當引腳密度較大時,，通常采用Flip Chip方式將Die鍵合到硅基板中。硅中介層無TSV的2.5D集成結構一般如下圖所示,，有一顆面積較大的裸芯片直接安裝在基板上,，該芯片和基板的連接可以采用Bond Wire 或者Flip Chip兩種方式。大芯片上方由于面積較大,，可以安裝多個較小的裸芯片,，但是小芯片無法直接連接到基板，所以需要插入一塊中介層,，若干裸芯片安裝于中介層之上,，中介層具有RDL布線可以從中介層邊緣引出芯片信號，再經(jīng)Bond Wire 與基板相連。這種中介層一般無需TSV,，只需在interposer的上層布線來實現(xiàn)電氣互連,，interposer采用Bond Wire和封裝基板連接。

「共形」及「分段型」屏蔽,，另一方面,，系統(tǒng)級封裝模塊需要高密度整合上百顆電子組件，同時避免與PCB主板上其他組件相互干擾,。此外,，在模塊外部也必須解決相同的干擾問題。因此,，必須透過一項重要制程來形成組件之間的屏障,，業(yè)界稱之為共形屏蔽(Conformal Shielding)和分段型屏蔽(Compartment Shielding)。 在業(yè)界普遍常見的金屬屏蔽罩,，每一段均需要保留約1mm寬度的焊盤與排除區(qū)域 (Keep-Out Zone),，云茂電子的共形及分段型屏蔽只需10%的寬度。以一個多頻4G模塊為例,，可為其他組件騰出超過17%的空間,，并可屏蔽40-50 dB的電磁干擾。 SiP封裝基板半導體芯片封裝基板是封裝測試環(huán)境的關鍵載體,。

SiP主流的封裝結構形式,，SiP主流的封裝形式有可為多芯片模塊(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封裝,，2D封裝中有Stacked Die Module,、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP,、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided,、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP,、fcBGA SiP等形式,；2.5D封裝中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式,；3D結構是將芯片與芯片直接堆疊，可采用引線鍵合,、倒裝芯片或二者混合的組裝工藝,，也可采用硅通孔技術進行互連。SiP涉及許多類型的封裝技術,，如超精密表面貼裝技術（SMT）,、封裝堆疊技術，封裝嵌入式技術等。上海MEMS封裝型式

SiP (System in Package, 系統(tǒng)級封裝）主要應用于消費電子,、無線通信,、汽車電子等領域。天津SIP封裝技術

失效分析三步驟 X射線檢測(3D X–ray)：透過失效分析當中的X–ray檢測,，我們可以深入確認模塊是否有封裝異常,，并且找出異常組件的位置。 材料表面元素分析(XPS)：接著,，利用XPS針對微米等級的模塊表面進行更細微的元素分析,，以此探究模塊出現(xiàn)電阻值偏高、電性異常,、植球脫球及鍍膜脫層等現(xiàn)象是否來自于制程的氧化或污染,。 傅立葉紅外線光譜儀（FTIR）：如明確查找到污染物目標，則可再接續(xù)使用FTIR進行有機污染物的鑒定,，定義出問題根源究竟是來自哪一個階段,，以此找出正確解決方案。天津SIP封裝技術