碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體器件制造的**材料,，SiC 器件具有高頻、大功率,、耐高溫,、耐輻射,、抗干擾、體積小,、重量輕等諸多優(yōu)勢,。對于它的加工也有很多方式，其中激光劃片是目前較為理想的方式之一,。激光劃片設(shè)備采用工業(yè)激光器,，波長主要有 1 064 nm、532 nm,、355 nm 三種,，脈寬為納秒、皮秒和飛秒級,。理論上,，激光波長越短,、脈寬越短，加工熱效應(yīng)越小,，有利于微細(xì)精密加工,，但成本相對較高。355 nm 的紫外納秒激光器因其技術(shù)成熟,、成本低,、加工熱效應(yīng)小，應(yīng)用非常多,。近幾年 1 064 nm 的皮秒激光器技術(shù)發(fā)展迅速,，應(yīng)用到很多新領(lǐng)域，獲得了很好的效果,。超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備的制作步驟詳解,。浙江智能制造超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備產(chǎn)品介紹

由于現(xiàn)代電子產(chǎn)品發(fā)展突飛猛進(jìn)，使儀器和工藝設(shè)備尺寸縮小,。微米和納米技術(shù)與制造微米,、納米物體的方法直接相關(guān)，其尺寸至少在一個維度上不大于100μm或100nm,。為制造以微米和納米技術(shù)為基礎(chǔ)之電子產(chǎn)品,，采用的是經(jīng)充分驗(yàn)證之材料及新材料，擁有廣大潛力能為特定應(yīng)用取得可控制,、有利的物理化學(xué)性質(zhì),。用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件之傳統(tǒng)晶圓材料均屬脆性，而印刷其上的結(jié)構(gòu)因物理特性加深后續(xù)生產(chǎn)制程難度,。此外，精密器件加工復(fù)雜促使收益增加,、開發(fā)更為繁復(fù)的結(jié)構(gòu),，并優(yōu)化半導(dǎo)體晶圓有效區(qū)域之應(yīng)用，同時又要維持售價與運(yùn)營成本,。目前將晶圓分離成芯片的主要技術(shù)皆建立于機(jī)械與激光切割基礎(chǔ)上,，即鉆石劃線后裂片、帶外刀刃的鉆石圓盤鋸片切割,、激光劃線后裂片,、激光切割等。湖南先進(jìn)超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備應(yīng)用范圍無錫超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備的定制尺寸,。

近年來光電產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,，高集成度和高性能的半導(dǎo)體晶圓需求不斷增長，硅、碳化硅,、藍(lán)寶石,、玻璃以及磷化銦等材料被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓的襯底材料。隨著晶圓集成度大幅提高,，晶圓趨向于輕薄化,，傳統(tǒng)的很多加工方式已經(jīng)不再適用，于是在部分工序引入了激光隱形切割技術(shù),。半導(dǎo)體晶圓的激光隱形切割技術(shù)是一種全新的激光切割工藝,，具有切割速度快、切割不產(chǎn)生粉塵,、無切割基材耗損,、所需切割道小、完全干制程等諸多優(yōu)勢,。隱切切割主要原理是將短脈沖激光光束透過材料表面聚焦在材料中間，在材料中間形成改質(zhì)層,，然后通過外部施加壓力使芯片分開,。

激光功率是影響劃片深度和劃片寬度的主要因素，在其他參數(shù)固定不變時,，劃片寬度和劃片深度隨著激光功率的增加而增大,，這是因?yàn)椋贤饧す怆m然屬于“冷切割”,，但還是存在一定的熱效應(yīng),，熱量會積累在切割處。當(dāng)激光功率一定時,，晶圓受到照射的時間越長,，獲得的能量就越多，燒蝕現(xiàn)象就越嚴(yán)重,。頻率會影響激光脈沖的峰值功率和平均功率,，從而對劃片深度、劃片寬度和劃片質(zhì)量均產(chǎn)生影響,。增大頻率,，脈沖峰值功率會下降，但整體平均功率會上升,，這相當(dāng)于在劃片過程中提供了更高的能量,，又避免了激光功率持續(xù)輸出產(chǎn)生的熱效應(yīng)累積，給熱量的耗散預(yù)留了空間,。無錫超通智能超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備安心售后,。

迭代升級后的激光晶圓隱形切割設(shè)備可自由控制激光聚焦點(diǎn)的深度、可自由控制聚焦點(diǎn)的長度、可自由控制兩個焦點(diǎn)之間的水平間隔,，通過采用特殊材料,、特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計、特殊運(yùn)動平臺,，可在500mm/S的高速運(yùn)動之下,，保持高穩(wěn)定性、高精度切割,，激光焦點(diǎn)*為0.5um,，切割痕跡更細(xì)膩，可以避免對材料表面造成損傷,，大幅提升芯片生產(chǎn)制造的質(zhì)量,、效率、效益,。這款激光晶圓隱形切割設(shè)備可廣泛應(yīng)用于高能集成電路產(chǎn)品,，包括CPU制造、圖像處理IC,、汽車電子,、傳感器、內(nèi)存等領(lǐng)域的制造,，對我國實(shí)現(xiàn)**國產(chǎn)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈起到了積極的促進(jìn)作用,，有很重要的現(xiàn)實(shí)意義。無錫超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備的規(guī)格介紹,。天津國產(chǎn)超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備價格表

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主要性能參數(shù)產(chǎn)品型號CTI-GlassCut皮秒激光器激光器波長1064 nm激光器脈寬10 ps平均峰值功率50W切割頭切割焦深5 mm**小光斑1-2 um切割精度±20 um崩邊<5 um切割速度100mm/s (3mm白玻璃)工作平臺參數(shù)平臺形式XY直線電機(jī)基座高精度大理石平臺加工范圍400×400 mm（可定制）定位精度±3 um重復(fù)定位精度±2 um比較大速度1000 mm/sCCD工業(yè)相機(jī)600W鏡頭遠(yuǎn)心鏡頭系統(tǒng)屬性支持文件格式DXF等常規(guī)CAD格式環(huán)境要求溫度：20-30℃，濕度：<60%電力需求380V/50Hz/10KVA浙江智能制造超快激光玻璃晶圓切割設(shè)備產(chǎn)品介紹

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