濺射功率 1. 對沉積速率的影響：濺射功率增加,，靶材表面受到的氬離子轟擊能量增強，濺射產(chǎn)額提高,，從而使沉積速率加快,。但當(dāng)濺射功率過高時，可能會導(dǎo)致靶材表面過熱,，甚至出現(xiàn)靶材“中毒”現(xiàn)象,，反而會影響沉積速率的穩(wěn)定性。 2. 對薄膜結(jié)構(gòu)的影響：低濺射功率下,，濺射原子到達襯底的能量較低,，原子的遷移能力較弱,，薄膜的晶粒尺寸較小，可能形成多晶或非晶結(jié)構(gòu),；高濺射功率下,，原子的能量較高，原子的遷移和擴散能力增強,，有利于晶粒的生長和結(jié)晶,，薄膜可能呈現(xiàn)出較大的晶粒尺寸和較好的結(jié)晶結(jié)構(gòu)。 3. 對薄膜應(yīng)力的影響：濺射功率的變化會改變薄膜的生長速率和微觀結(jié)構(gòu),，從而影響薄膜中的應(yīng)力狀態(tài),。一般來說，高濺射功率下沉積的薄膜應(yīng)力較大,，這是因為快速的沉積過程中,，薄膜中的原子來不及充分調(diào)整位置，導(dǎo)致應(yīng)力積累,。

靶基距 1. 對沉積速率的影響：靶基距過大,，濺射原子在飛行過程中與氣體分子的碰撞次數(shù)增多，能量損失嚴(yán)重,，到達襯底的濺射原子數(shù)量減少,，沉積速率降低；靶基距過小,，雖然濺射原子的能量損失較小,，但由于濺射原子的分布過于集中，也會影響沉積速率的均勻性,。 2. 對薄膜均勻性的影響：合適的靶基距能夠使濺射原子在襯底上均勻分布,，從而形成均勻的薄膜。如果靶基距不均勻或不合適,，會導(dǎo)致薄膜在不同位置的厚度和性能出現(xiàn)差異,，影響薄膜的整體質(zhì)量。