閾值電壓會發(fā)生漂移,。一般來說，隨著溫度的升高,，MOS 管的閾值電壓會降低,。這意味著在高溫環(huán)境下，MOS 管更容易導通，可能會導致電路的誤動作,。例如,，在一些對信號準確性要求較高的傳感器信號處理電路中，如果 MOS 管的閾值電壓漂移,，可能會使傳感器輸出的信號出現偏差,，影響系統(tǒng)的測量精度。因此,，在高溫環(huán)境下使用 MOS 管時,，需要對驅動電路進行相應的調整，以確保 MOS 管能夠正常工作,。

漏電流會增大,。高溫會使半導體材料中的本征載流子濃度增加，導致 MOS 管的漏電流增大,。漏電流的增大不僅會增加電路的功耗,，還可能影響電路的穩(wěn)定性。在一些低功耗電路中,，漏電流的增大可能會使電路的靜態(tài)功耗超出設計范圍,，縮短電池的使用壽命。例如,，在便攜式電子設備中,，MOS 管在高溫環(huán)境下漏電流增大，會使設備的待機時間明顯縮短,，影響用戶體驗,。為了減小漏電流的影響，需要選擇在高溫下漏電流特性較好的 MOS 管,，并采取適當的散熱和防護措施,。