這主要是由于覆蓋在二極管表面的是導(dǎo)熱性能較差的FR4(其導(dǎo)熱系數(shù)小于.℃),，因此它對(duì)整流橋殼體正表面上的溫度均勻化效果很差。同時(shí),，這也驗(yàn)證了為什么我們?cè)诓捎谜鳂驓んw正表面溫度作為計(jì)算的殼溫時(shí),，對(duì)測(cè)溫?zé)犭娕嘉恢玫姆胖貌煌玫降慕Y(jié)果其離散性很差這一原因,。圖8是整流橋內(nèi)部熱源中間截面的溫度分布,。由該圖也可以進(jìn)一步說(shuō)明，在整流橋內(nèi)部由于器封裝材料是導(dǎo)熱性能較差的FR4,，所以其內(nèi)部的溫度分布極不均勻,。我們以后在測(cè)量或分析整流橋或相關(guān)的其它功率元器件溫度分布時(shí),，應(yīng)著重注意該現(xiàn)象，力圖避免該影響對(duì)測(cè)量或測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生的影響,。折疊結(jié)論通過(guò)前面對(duì)整流橋三種不同形式散熱的分析并結(jié)合對(duì)一整流橋詳細(xì)的仿真模型的分析結(jié)果,，我們可以得出如下結(jié)論:1、在計(jì)算整流橋的結(jié)溫時(shí),，其生產(chǎn)廠家所提供的Rjc(強(qiáng)迫風(fēng)冷時(shí))是指整流橋的結(jié)與散熱器相接觸的整流橋殼體表面間的熱阻;2,、器件參數(shù)中所提供的Rja是指該器件在自然冷卻是結(jié)溫與周圍環(huán)境間的熱阻;3、對(duì)帶有散熱器的整流橋且為強(qiáng)迫風(fēng)冷散熱地殼溫測(cè)量時(shí),，應(yīng)該采用與整流橋殼體相接觸的散熱器表面溫度作為計(jì)算的殼溫,，必要時(shí)可以考慮整流橋與散熱器間的接觸熱阻。不應(yīng)該采用整流橋殼體正面上的溫度作為計(jì)算的殼溫,。整流橋（D25XB60）內(nèi)部主要是由四個(gè)二極管組成的橋路來(lái)實(shí)現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓,。甘肅優(yōu)勢(shì)整流橋模塊聯(lián)系人

生產(chǎn)廠家都會(huì)提供該器件在自然冷卻情況下的結(jié)—環(huán)境的熱阻（Rja）和當(dāng)元器件自帶一散熱器，通過(guò)散熱器進(jìn)行器件冷卻的結(jié)--殼熱阻（Rjc）,。2整流橋模塊的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)1、鋁基導(dǎo)熱底板：其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,，并作為整個(gè)模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ),。因此，它必須具有高導(dǎo)熱性和易焊性,。由于它要與DBC基板進(jìn)行高溫焊接,，又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16．7×10-6／℃，DBC約不5．6×10-6／℃)相差較大,，為此,，除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外,，并在焊接前對(duì)銅底板要進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎,，這種存在s一定弧度的焊成品，能在模塊裝置到散熱器上時(shí),，使它們之間有充分的接觸,，從而降低模塊的接觸熱阻，保證模塊的出力,。2,、DBC基板：它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成，它具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性,、絕緣性和易焊性,，并有與硅材料較接近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4．2×10-6／℃，DBC為5．6×10-6／℃),，因而可以與硅芯片直接焊接,，從而簡(jiǎn)化模塊焊接工藝和降低熱阻,。同時(shí)，DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,，以用作主電路端子和控制端子的焊接支架,，并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣。海南優(yōu)勢(shì)整流橋模塊貨源充足應(yīng)用整流橋到電路中,，主要考慮它的最大工作電流和比較大反向電壓,。

n型二極管的下層為n型摻雜區(qū)，上層為p型摻雜區(qū),，下層底面鍍銀,，上層頂面鍍鋁；第三整流二極管dz3及第四整流二極管dz4為p型二極管,，p型二極管的下層為p型摻雜區(qū),，上層為n型摻雜區(qū)，下層底面鍍銀,，上層頂面鍍鋁,。所述一整流二極管dz1的負(fù)極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于高壓供電基島13上，正極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述零線管腳n,。所述第二整流二極管dz2的負(fù)極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述高壓供電基島13上,，正極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述火線管腳l。所述第三整流二極管dz3的正極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于信號(hào)地基島14上,，負(fù)極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述零線管腳n,。所述第四整流二極管dz4的正極(金屬銀層)通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述信號(hào)地基島14上，負(fù)極(金屬鋁層)通過(guò)金屬引線連接所述火線管腳l,。需要說(shuō)明的是,，所述整流二極管可以是由單一pn結(jié)構(gòu)成的二極管，也可以是通過(guò)其他形式等效得到的二極管結(jié)構(gòu),，包括但不限于mos管,，在此不一一贅述。需要說(shuō)明的是,，本實(shí)用新型中所述的“連接至管腳”包括但不限于通過(guò)金屬引線直接連接管腳(金屬引線的一端設(shè)置在管腳上),，還包括通過(guò)金屬引線連接與管腳連接的導(dǎo)電部件。

高壓端口hv通過(guò)金屬引線連接所述高壓供電基島13,，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述高壓供電管腳hv的連接,，接地端口gnd通過(guò)金屬引線連接所述信號(hào)地基島14，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述信號(hào)地管腳gnd的連接,。需要說(shuō)明的是,，所述邏輯電路122可根據(jù)設(shè)計(jì)需要設(shè)置在不同的基島上，與所述控制芯片12的設(shè)置方式類似,，在此不一一贅述作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式,，所述漏極管腳drain的寬度大于,，進(jìn)一步設(shè)置為～1mm，以加強(qiáng)散熱,，達(dá)到封裝熱阻的作用,。本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)采用三基島架構(gòu)，將整流橋,、功率開關(guān)管,、邏輯電路及高壓續(xù)流二極管集成在一個(gè)引線框架內(nèi)，由此降低封裝成本,。如圖4所示,，本實(shí)施例還提供一種電源模組，所述電源模組包括：本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,，第二電容c2,，第三電容c3，一電感l(wèi)1,，負(fù)載及第二采樣電阻rcs2,。如圖4所示，所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的火線管腳l連接火線,，零線管腳n連接零線,，信號(hào)地管腳gnd接地。如圖4所示,，所述第二電容c2的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,，另一端接地,。如圖4所示,，所述第三電容c3的一端連接所述1高壓供電管腳hv，另一端經(jīng)由所述一電感l(wèi)1連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的漏極管腳drain,。如圖4所示,。多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產(chǎn)生的諧波相互抵消,。

本實(shí)用新型將整流橋和系統(tǒng)其他功能芯片集成封裝,，節(jié)約系統(tǒng)多芯片封裝成本，并有助于系統(tǒng)小型化,。綜上所述,，本實(shí)用新型提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組，包括：塑封體,，設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳,、零線管腳、高壓供電管腳,、信號(hào)地管腳,、漏極管腳,、采樣管腳,，以及設(shè)置于所述塑封體內(nèi)的整流橋,、功率開關(guān)管、邏輯電路,、至少兩個(gè)基島,；其中，所述整流橋包括四個(gè)整流二極管,，各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過(guò)基島或引線連接至對(duì)應(yīng)管腳,；所述邏輯電路連接對(duì)應(yīng)管腳，產(chǎn)生邏輯控制信號(hào),；所述功率開關(guān)管的柵極連接所述邏輯控制信號(hào),，漏極及源極分別連接對(duì)應(yīng)管腳；所述功率開關(guān)管及所述邏輯電路分立設(shè)置或集成于控制芯片內(nèi),。本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組將整流橋,、功率開關(guān)管、邏輯電路通過(guò)一個(gè)引線框架封裝在同一個(gè)塑封體中,，以此減小封裝成本,。所以，本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值,。上述實(shí)施例例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效,，而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下,，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變,。因此。半橋是將兩個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起,，用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路,。甘肅優(yōu)勢(shì)整流橋模塊聯(lián)系人

一般整流橋應(yīng)用時(shí),常在其負(fù)載端接有平波電抗器,故可將其負(fù)載視為恒流源。甘肅優(yōu)勢(shì)整流橋模塊聯(lián)系人

所述負(fù)載連接于所述第三電容c3的兩端,。具體地,，在本實(shí)施例中，所述負(fù)載為led燈串,，所述led燈串的正極連接所述高壓供電管腳hv,，負(fù)極連接所述第三電容c3與所述一電感l(wèi)1的連接節(jié)點(diǎn)。如圖4所示,，所述第二采樣電阻rcs2的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的采樣管腳cs,，另一端接地。本實(shí)施例的電源模組為非隔離場(chǎng)合的小功率led驅(qū)動(dòng)電源應(yīng)用，適用于高壓buck(5w～25w),。實(shí)施例三如圖5所示,，本實(shí)施例提供一種合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)，與實(shí)施例一及實(shí)施例二的不同之處在于,，所述整流橋的設(shè)置方式不同,，且還包括瞬態(tài)二極管dtvs。如圖5所示,，在本實(shí)施例中，所述瞬態(tài)二極管dtvs與所述高壓續(xù)流二極管df疊置于所述高壓供電基島13上,。具體地,，所述高壓續(xù)流二極管df采用p型二極管，所述瞬態(tài)二極管dtvs采用n型二極管,。所述高壓續(xù)流二極管df的正極通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述漏極基島15上,，負(fù)極朝上,。所述瞬態(tài)二極管dtvs的負(fù)極通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述高壓續(xù)流二極管df的負(fù)極上,，正極(朝上)通過(guò)金屬引線連接所述高壓供電管腳hv。需要說(shuō)明的是,，在實(shí)際使用中，所述高壓續(xù)流二極管df及所述瞬態(tài)二極管dtvs可采用不同類型的二極管根據(jù)需要設(shè)置在同一基島,。甘肅優(yōu)勢(shì)整流橋模塊聯(lián)系人