圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極,。N+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴,，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通,。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡(jiǎn)單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流,。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管。小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A,。內(nèi)蒙古哪里有可控硅模塊聯(lián)系人

我們可以把從陰極向上數(shù)的、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,，而二、三,、四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二、第三層為兩管交迭共用,。可畫出圖1的等效電路圖,。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E,，又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG2的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,，經(jīng)放大,，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連,，IC2又是BG1的基極電流Ib1,。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通。事實(shí)上這一過程是“一觸即發(fā)”的,，對(duì)可控硅來說,，觸發(fā)信號(hào)加到控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2),，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2,，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài),，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1,、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果E極性反接,，BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作,。反過來,。內(nèi)蒙古哪里有可控硅模塊聯(lián)系人其通斷狀態(tài)由控制極G決定。

晶閘管等元件通過整流來實(shí)現(xiàn),。除此之外整流器件還有很多,，如：可關(guān)斷晶閘管GTO，逆導(dǎo)晶閘管,，雙向晶閘管,，整流模塊，功率模塊IGBT,，SIT,，MOSFET等等，這里只探討晶閘管,。晶閘管又名可控硅,，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件,，由于它效率高,，控制特性好,，壽命長，體積小等優(yōu)點(diǎn),，自上個(gè)世紀(jì)六十長代以來,，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門單獨(dú)的學(xué)科,?！熬чl管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到,，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好，成品率大幅提高,，并向高壓大電流發(fā)展,。目前國內(nèi)晶閘管大額定電流可達(dá)5000A，國外更大,。我國的韶山電力機(jī)車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管,。晶閘管的應(yīng)用：一、可控整流如同二極管整流一樣,，可以把交流整流為直流,，并且在交流電壓不變的情況下，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,，實(shí)現(xiàn)交流——可變直流二,、交流調(diào)壓與調(diào)功利用晶閘管的開關(guān)特性代替老式的接觸調(diào)壓器、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓,。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波,，出現(xiàn)了一種過零觸發(fā)，實(shí)現(xiàn)負(fù)載交流功率的無級(jí)調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器,。交流——可變交流,。三、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流,，由高壓直流遠(yuǎn)距離輸送以減少損耗。

在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,，可以看到,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸常見可控硅出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早,，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來得晚，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個(gè)正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流?？煽毓柙頍o觸點(diǎn)開關(guān)可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無觸點(diǎn)開關(guān),。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無觸點(diǎn)開關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用。其明顯特點(diǎn)是無噪音,壽命長,?？煽毓柙懋a(chǎn)品特性編輯可控硅陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向,。雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。

雙向可控硅型號(hào),雙向可控硅是怎樣命名的雙向可控硅是怎樣命名的?雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開關(guān)：ACsemiconductorswitch(取前兩個(gè)字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”,。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱,。-------------------------------------雙向：Bi-directional(取個(gè)字母)控制：Controlled(取個(gè)字母)整流器：Rectifier(取個(gè)字母)再由這三組英文名詞的早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,，如:BCR1AM-12,、BCR8KM、BCR08AM等等,。--------------------------------------雙向：Bi-directional(取個(gè)字母)三端：Triode(取個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,，也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,，均以此來命名雙向可控硅.型號(hào)如：PHILIPS的BT131-600D,、BT134-600E,、BT136-600E、BT138-600E,、BT139-600E,、、等等,。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅,；Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的，通常是指三象限的雙向可控硅,。而意法ST公司,，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號(hào)。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓。內(nèi)蒙古哪里有可控硅模塊聯(lián)系人

在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件。內(nèi)蒙古哪里有可控硅模塊聯(lián)系人

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。我們可以把從陰極向上數(shù)的、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,，而二、三,、四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二、第三層為兩管交迭共用,?？僧嫵鰣D1的等效電路圖。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG2的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2，經(jīng)放大,，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2,。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連，IC2又是BG1的基極電流Ib1,。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。事實(shí)上這一過程是“一觸即發(fā)”的，對(duì)可控硅來說,，觸發(fā)信號(hào)加到控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2）,，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2,，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài),，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1,、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果E極性反接,。內(nèi)蒙古哪里有可控硅模塊聯(lián)系人