因此負(fù)載獲得較少的電功率,。這個(gè)典型的電功率無(wú)級(jí)調(diào)整電路在日常生活中有很多電氣產(chǎn)品中都應(yīng)用它,?？煽毓柚饕獏?shù)有：1、額定通態(tài)平均電流在一定條件下,，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2、正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào),，陽(yáng)極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。3,、反向陰斷峰值電壓當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí),，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。4,、控制極觸發(fā)電流在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽(yáng)極---陰極間加一定電壓，使可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓,。5,、維持電流在規(guī)定溫度下，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流,。采用可控硅技術(shù)對(duì)照明系統(tǒng)進(jìn)行控制具有：電壓調(diào)節(jié)速度快，精度高,，可分時(shí)段實(shí)時(shí)調(diào)整,，有穩(wěn)壓作用，采用電子元件,，相對(duì)來(lái)說(shuō)體積小,、重量輕、成本低,。但該調(diào)壓方式存在一致命缺陷,，由于斬波，使電壓無(wú)法實(shí)現(xiàn)正弦波輸出,，還會(huì)出現(xiàn)大量諧波,，形成對(duì)電網(wǎng)系統(tǒng)諧波污染，危害極大,，不能用在有電容補(bǔ)償電路中。。其通斷狀態(tài)由控制極G決定,。天津可控硅模塊咨詢報(bào)價(jià)

可控硅,，又叫晶閘管，可控硅相當(dāng)于可以控制的二極管,，當(dāng)控制極加一定的電壓時(shí),，陰極和陽(yáng)極就導(dǎo)通了?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸,、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件,。下面賢集網(wǎng)小編要具體為大家介紹一下可控硅的型號(hào),、特性、分類,、使用規(guī)則,、用途、主要參數(shù),、可控硅的不同幾個(gè)極的判別方法,、雙向可控硅和單向可控硅的區(qū)別?？煽毓璧男吞?hào)1,、優(yōu)派克EUPECT系列可控硅、D系列二極管,、DxS系列快速二極管,；2、東芝TOSHIBASF系列可控硅,、SG系列GTO,；3、西門康SEMIKRONSKT系列可控硅,，SKN,、SKR系列二極管,，SKNxF、SKRxF系列快速二極管,；4,、西碼WESTCODEN系列相控可控硅、R系列快速可控硅,、SM系列快速二極管,、SW系列普通二極管；5,、美國(guó)IRST系列可控硅,、SD系列二極管；6,、意大利POSEICOAT系列相控可控硅,；7、瑞士ABB5STP可控硅,、5SDD二極管,、5SGA系列GTO、5SDF快速二極管,?？煽毓璧奶匦?、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào),。江蘇進(jìn)口可控硅模塊品牌硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化,。

TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓,。由于晶閘管在導(dǎo)通期間，載流子充滿元件內(nèi)部,，在關(guān)斷過程中,，管子在反向作用下，正向電流下降到零時(shí),，元件內(nèi)部殘存著載流子,。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流，使殘存的載流子迅速消失,，這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大,，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大，這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián),，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿,。這就是關(guān)斷過電壓（換相過電壓）。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍,。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路,。2．交流側(cè)過電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過程,，會(huì)產(chǎn)生操作過電壓,。高壓合閘的瞬間，由于初次級(jí)之間存在分布電容,，初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí),，出現(xiàn)瞬時(shí)過電壓。

晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,，且隨著管子正向陽(yáng)極電壓升高而增大,。當(dāng)陽(yáng)極電壓升到足夠大時(shí)，會(huì)使晶閘管導(dǎo)通,，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”,。多次硬開通會(huì)損壞管子。2．晶閘管加上正向陽(yáng)極電壓后,，還必須加上觸發(fā)電壓,，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通,。觸發(fā)電流不夠時(shí),，管子不會(huì)導(dǎo)通，但此時(shí)正向漏電流隨著增大而明顯增大,。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài),，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性,。是一種理想的無(wú)觸點(diǎn)功率開關(guān)元件,。3．晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通，門極完全失去控制作用,。要關(guān)斷晶閘管,，必須使陽(yáng)極電流《維持電流，對(duì)于電阻負(fù)載,，只要使管子陽(yáng)極電壓降為零即可,。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷，通常在管子陽(yáng)極電壓互降為零后,，加上一定時(shí)間的反向電壓,。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT,，門極觸發(fā)電壓UGT,，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開通與關(guān)斷時(shí)間晶閘管合格證基本參數(shù)IT（AV）=A,。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬(wàn)用表歐姆擋R×100擋位來(lái)測(cè)。

表針應(yīng)向右偏并保持在十幾歐姆位置,，如下圖所示,，否則說(shuō)明單向可控硅已損壞。三,、檢測(cè)雙向可控硅雙向可控硅是一種交流型功率控制器件,。雙向可控硅的3個(gè)引腳分別是控制極G，主電極T1和主電極T2,，如下圖所示,。由于雙向可控硅的兩個(gè)主電極是對(duì)稱的，因此使用中可以任意互換,。檢測(cè)時(shí),，萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔，先用兩表筆測(cè)量雙向可控硅的控制極G與主電極T1之間的正,、反向電阻,，均應(yīng)為較小阻值。如下圖所示,。再用萬(wàn)用表兩表筆測(cè)量雙向可控硅的控制極G與主電極T2之間的正,、反向電阻，均應(yīng)為無(wú)窮大,，如下圖所示,。四、檢測(cè)雙向可控硅的導(dǎo)通特性萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔,，黑表筆接雙向可控硅主電極T1,，紅表筆接主電極T2，表針指示應(yīng)為無(wú)窮大,，這是將控制極G與主電極T2短接一下,，表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆位置，如下圖所示,。否則說(shuō)明該雙向可控硅已壞,。可控硅從外形上分類主要有：螺栓形,、平板形和平底形,。天津可控硅模塊咨詢報(bào)價(jià)

可控硅有三個(gè)電極---陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。天津可控硅模塊咨詢報(bào)價(jià)

圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏,、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector）,，它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴,，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡(jiǎn)單地說(shuō)：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流,。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管。天津可控硅模塊咨詢報(bào)價(jià)