具有單向導電特性，而陽極A與門極之間有兩個反極性串聯(lián)的PN結,。因此,，通過用萬用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極,。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極,，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ),，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G,。在阻值為幾百歐姆的測量中,，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中,，紅表筆接的是陽極A,，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G,，應用同樣方法改測其他電極,，直到找出三個電極為止,。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻,，若正,、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K,，而另一腳即為門極G,。普通晶閘管也可以根據其封裝形式來判斷出各電極。螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A,，較細的引線端為門極G,，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G,，平面端為陽極A,，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管,，其外殼為陽極A,。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連,。晶閘管觸發(fā)能力檢測：對于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管,，可用萬用表R×1檔測量。普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發(fā)之后,，撤掉信號亦能維持通態(tài),。陜西晶閘管模塊哪里有賣的

使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強迫關斷,。這就需要增加換向電路,，不*使設備的體積重量增大，而且會降低效率,，產生波形失真和噪聲,。可關斷晶閘管克服了上述缺陷,，它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點，以具有自關斷能力,，使用方便,，是理想的高壓、大電流開關器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達到3000A,、4500V的容量,。大功率可關斷晶閘管已***用于斬波調速、變頻調速,、逆變電源等領域,，顯示出強大的生命力?？申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號,。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導通之后即處于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷,。GTO的一個重要參數就是關斷增益,，βoff，它等于陽極**大可關斷電流IATM與門極**大負向電流IGM之比,，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強,。很顯然,，βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。海南優(yōu)勢晶閘管模塊現(xiàn)貨晶閘管的工作特性可以概括為∶正向阻斷,，觸發(fā)導通,，反向阻斷。

或電流）的情況下晶閘管才導通,。這時晶閘管處于正向導通狀態(tài),。3.一旦晶閘管開始導通，它就被鉗住在導通狀態(tài),，而此時門極電流可以取消,。晶閘管不能被門極關斷，像一個二極管一樣導通,，直到電流降至零和有反向偏置電壓作用在晶閘管上時,，它才會截止。當晶閘管再次進入正向阻斷狀態(tài)后,，允許門極在某個可控的時刻將晶閘管再次觸發(fā)導通。晶閘管可用兩個不同極性（P-N-P和N-P-N）晶體管來模擬，如圖G1所示,。當晶閘管的柵極懸空時,，BG1和BG2都處于截止狀態(tài)，此時電路基本上沒有電流流過負載電阻RL,，當柵極輸入一個正脈沖電壓時BG2道通,，使BG1的基極電位下降，BG1因此開始道通,，BG1的道通使得BG2的基極電位進一步升高,，BG1的基極電位進一步下降，經過這一個正反饋過程使BG1和BG2進入飽和道通狀態(tài),。電路很快從截止狀態(tài)進入道通狀態(tài),，這時柵極就算沒有觸發(fā)脈沖電路由于正反饋的作用將保持道通狀態(tài)不變。如果此時在陽極和陰極加上反向電壓,，由于BG1和BG2均處于反向偏置狀態(tài)所以電路很快截止,，另外如果加大負載電阻RL的阻值使電路電流減少BG1和BG2的基電流也將減少，當減少到某一個值時由于電路的正反饋作用,，電路將很快從道通狀態(tài)翻轉為截止狀態(tài),，我們稱這個電流為維持電流。

采用電子線路進行保護等,。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件,，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路,。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率,，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件，為防止出現(xiàn)振蕩,，常加阻尼電阻,，構成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側,、直流側,，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護之間。吸收進行電路設計好方法選用無感電容,，接線應盡量短,。（5）吸收電路由硒堆和變容器等非線性元件組成上述阻容吸收回路的時間常數RC是固定的，有時對時間短,、峰值高,、能量大的過電壓來不及放電，抑制過電壓的效果較差,。因此,，一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,。硒堆的特點是其動作電壓與溫度有關，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復特性,，能多次使用，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻，其結構為兩個電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結晶,，結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流,，其值小于100μA。當加上電壓時,。逆導晶閘管的關斷時間幾微秒,，工作頻率達幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）,。

定義/晶閘管編輯晶閘管導通條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流,；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管,，逆導晶閘管,，光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件,，在電路中用文字符號為“V”,、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管（Thyristor）是一種開關元件,，能在高電壓,、大電流條件下工作，并且其工作過程可以控制,、被應用于可控整流,、交流調壓、無觸點電子開關,、逆變及變頻等電子電路中,，是典型的小電流控制大電流的設備。1957年,，美國通用電器公司開發(fā)出世界上***個晶閘管產品,，并于1958年使其商業(yè)化。結構/晶閘管編輯晶閘管它是由一個P-N-P-N四層(4layers)半導體構成的,，中間形成了三個PN結,。分類/晶閘管編輯晶閘管按其關斷,、導通及控制方式可分為普通晶閘管（SCR）、雙向晶閘管（TRIAC）,、逆導晶閘管（RCT）,、門極關斷晶閘管（GTO）、BTG晶閘管,、溫控晶閘管（TT國外，TTS國內）和光控晶閘管（LTT）等多種,。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種。普通晶閘管是一種半可控大功率半導體器件,，出現(xiàn)于70年代,。陜西優(yōu)勢晶閘管模塊品牌

這類應用一般多應用在電力試驗設備上，通過變壓器,，調整晶閘管的導通角輸出一個可調的直流電壓,。陜西晶閘管模塊哪里有賣的

且在門極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內；④應有良好的抗干擾能力,、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離,；⑤觸發(fā)脈沖型式應有助于晶閘管元件的導通時間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中,，要求串聯(lián)的元件同一時刻導通,，宜采用強觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：①電磁觸發(fā)方式,，將低電位觸發(fā)信號經脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門極,。這種觸發(fā)方式成本較低，技術比較成熟,。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問題,，同時觸發(fā)時的電磁干擾較大。②直接光觸發(fā)方式,，將觸發(fā)脈沖信號轉變?yōu)楣饷}沖,，直接觸發(fā)高位光控晶閘管。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管,，且該種晶閘管的成本較高,，不適宜采用,；③間接光觸發(fā)方式，利用光纖通信的方法,，將觸發(fā)電脈沖信號轉化為光脈沖信號,，經處理后耦合到光電接受回路，把光信號轉化為電信號,。既可以克服電磁干擾,，又可以采用普通晶閘管，降低了成本,。[1]晶閘管串聯(lián)技術當需要耐壓很高的開關時,，單個晶閘管的耐壓有限，單個晶閘管無法滿足耐壓需求,，這時就需要將多個晶閘管串聯(lián)起來使用,，從而得到滿足條件的開關。在器件的應用中,，由于各個元件的靜態(tài)伏安特性和動態(tài)參數不同,。陜西晶閘管模塊哪里有賣的