1)斷態(tài)重復峰值電壓UDRM在控制極斷路和晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復加在晶閘管兩端的正向峰值電壓,，其數(shù)值比正向轉折電壓小100V,。(2)反向重復峰值電壓URRM在控制極斷路時，可以重復加在晶閘管元件上的反向峰值電壓,，此電壓數(shù)值規(guī)定比反向擊穿電壓小100V,。通常把UDRM與URRM中較小的一個數(shù)值標作器件型號上的額定電壓。由于瞬時過電壓也會使晶閘管遭到破壞,，因而在選用的時候,，額定電壓一個應該為正常工作峰值電壓的2～3倍，作為安全系數(shù),。(3)額定通態(tài)平均電流(額定正向平均電流)IT在環(huán)境溫度不大于40oC和標準散熱即全導通的條件下,，晶閘管元件可以連續(xù)通過的工頻正弦半波電流(在一個周期內(nèi))的平均值，稱為額定通態(tài)平均電流IT,，簡稱額定電流,。(4)維持電流IH在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷路的條件下，維持元件繼續(xù)導通的**小電流稱為維持電流IH,。一般為幾十毫安～一百多毫安,，其數(shù)值與元件的溫度成反比，在120攝氏度時維持電流約為25攝氏度時的一半,。當晶閘管的正向電流小于這個電流時,，晶閘管將自動關斷。晶閘管的選用/晶閘管編輯(1)選擇晶閘管的類型：晶閘管有多種類型,，應根據(jù)應用電路的具體要求合理選用,。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向導通晶閘管。山西哪里有晶閘管模塊咨詢報價

采用電子線路進行保護等,。目前常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散,，常稱之為吸收回路或緩沖電路,。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有相對較高的頻率，因此我們常用電容可以作為企業(yè)吸收作用元件,，為防止出現(xiàn)振蕩,，常加阻尼電阻，構成阻容吸收回路,。阻容吸收回路可接在控制電路的交流側,、直流側，或并接在晶閘管的陽極與陰極保護之間,。吸收進行電路設計好方法選用無感電容,，接線應盡量短,。（5）吸收電路由硒堆和變?nèi)萜鞯确蔷€性元件組成上述阻容吸收回路的時間常數(shù)RC是固定的，有時對時間短,、峰值高,、能量大的過電壓來不及放電，抑制過電壓的效果較差,。因此,，一般在變流裝置的進出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。硒堆的特點是其動作電壓與溫度有關,，溫度越低耐壓越高,；另外是硒堆具有自恢復特性，能多次使用,，當過電壓動作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋,，又重新恢復其工作特性。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,，其結構為兩個電極,，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結晶，結晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層,。這個粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流，其值小于100μA,。當加上電壓時,。重慶國產(chǎn)晶閘管模塊賣價其工作過程可以控制、被廣泛應用于可控整流,、交流調(diào)壓,、無觸點電子開關,、逆變及變頻等電子電路中,。

晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管,，就可以形成可控整流電路,。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi)，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG,，vs仍不能接通,。只有當U2處于正半周時，當觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時,，晶閘管才接通?，F(xiàn)在，繪制其波形(圖4(c)和(d)),，可以看到只有當觸發(fā)脈沖UG到達時,，負載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影),。當UG到達較早時，晶閘管導通時間較早,；UG到達較晚時,，晶閘管導通時間較晚。通過改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達時間,，可以調(diào)節(jié)負載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術中,，交流電的半周常被設定為180度,，稱為電角,。因此,，在U2的每一個正半周期中,，從零值到觸發(fā)脈沖到達時刻的電角稱為控制角α，每個正半周期中晶閘管導電的電角稱為導通角θ,。顯然,，α和θ都用來表示晶閘管在正向電壓半周內(nèi)的通斷范圍,。通過改變控制角度0或導通角theta，可通過改變負載上的脈沖直流電壓的平均ul來實現(xiàn)可控整流器,。

晶閘管的種類晶閘管有多種方式分類管理方法,。（1）按關閉、傳導和控制方式分類晶閘管可分為普通晶閘管,、晶閘管晶閘管,、反向晶閘管、門極關斷晶閘管,、btg晶閘管,、溫控晶閘管和光控晶閘管。（B）在銷和分類的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管,，晶閘管塑料晶閘管和三種類型的陶瓷封裝的,。其中，所述金屬包晶閘管被分成螺栓形,，板形,，圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無兩。（四）按電流容量分類晶閘管按電流進行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管,、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種,。通常，大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝,，而中,、小功率通過晶閘管則多采用塑封或陶瓷材料封裝。（五）按關斷速度分類根據(jù)它們的普通晶閘管關斷晶閘管,，并且可以被劃分為高頻（快）晶閘管,。晶閘管和可控硅的區(qū)別晶閘管(THYRISTOR)又稱SCR，屬于功率器件領域,，是一種功率半導體開關元件,。SCR是它的縮寫。根據(jù)其工作特性,，可分為單向SCR(SCR)和雙向SCR(TRIAC),。可控硅也稱作一個晶閘管,，它是由PNPN四層半導體材料構成的元件,。晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓,，不論門極電壓如何,，即晶閘管導通后，門極失去作用,。

使正向電流低于維持電流IH,，或施以反向電壓強迫關斷。這就需要增加換向電路,，不*使設備的體積重量增大,，而且會降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲,?？申P斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點,，以具有自關斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻率比GTR低,。目前,，GTO已達到3000A、4500V的容量,。大功率可關斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速、逆變電源等領域,，顯示出強大的生命力,。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結構及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同,，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即處于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導通后只能達到臨界飽和,，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關斷增益,，βoff,，它等于陽極**大可關斷電流IATM與門極**大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大,，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然,，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。讓輸出電壓變得可調(diào)，也屬于晶閘管的一個典型應用,。山西哪里有晶閘管模塊咨詢報價

構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管,。山西哪里有晶閘管模塊咨詢報價

有三個不同電極、陽極A,、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠實現(xiàn)交流電的無觸點控制,，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產(chǎn)生,，而且動作快,、壽命長、可靠性好,。在調(diào)速,、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影,。可控硅分為單向的和雙向的,，符號也不同,。單向可控硅有三個PN結，由外層的P極和N極引出兩個電極,，分別稱為陽極和陰極,，由中間的P極引出一個控制極。雙向可控硅有其獨特的特點：當陽極接合,，陽極接合或柵極的正向電壓,，但沒有施加電壓時，它不導通,，并且同時連接到陽極和柵極的正向電壓反向電壓時,，它將被關上。一旦開啟,，控制電壓有它的作用失去了控制,，無論控制電壓極性怎么沒有了，不管控制電壓,，將保持在接通狀態(tài),。關斷，只有在陽極電壓減小到一個臨界值,，或反之亦然,。大多數(shù)雙向可控硅引腳按t1、t2,、g順序從左到右排列(電極引腳向下,，面向側面有字符)。當施加到控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時,，其傳導電流的大小可以改變,。與單向可控硅的區(qū)別是，雙向可控硅G極上觸發(fā)一個脈沖的極性可以改變時,，其導通方向就隨著不同極性的變化而改變,，從而能夠進行控制提供交流電系統(tǒng)負載。山西哪里有晶閘管模塊咨詢報價