1,、晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域該智能模塊廣泛應(yīng)用于控溫、調(diào)光,、勵(lì)磁,、電鍍,、電解、充放電,、電焊機(jī),、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,，如工業(yè),、通訊、**等各類電氣控制,、電源等,，根據(jù)還可通過模塊的控制端口與多功能控制板連接，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流,、穩(wěn)壓,、軟啟動(dòng)等功能，并可實(shí)現(xiàn)過流,、過壓,、過溫、缺相等保護(hù)功能,。2,、晶閘管智能模塊的控制方式通過輸入模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié),，實(shí)現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過程,。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出,，電位器直接從直流電源分壓等各種方法,；控制信號(hào)采用0～5V，0～10V,，4～20mA三種比較常用的控制形式,。3、模塊的控制端口與控制線模塊控制端接口有5腳,、9腳和15腳三種形式,，分別對(duì)應(yīng)于5芯、9芯,、15芯的控制線,。采用電壓信號(hào)的產(chǎn)品只用**腳端口,，其余為空腳，采用電流信號(hào)的9腳為信號(hào)輸入,，控制線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,連接時(shí)注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能燒壞模塊,。模塊控制端口插座和控制線插座上都有編號(hào)，請(qǐng)一一對(duì)應(yīng),，不要接反,。以上六個(gè)端口為模塊基本端口。 以拆解的IGBT模塊型號(hào)為：FF1400R17IP4為例,。模塊外觀及等效電路如圖1所示,。新疆IGBT模塊銷售廠

    1被廣泛應(yīng)用于工業(yè)行業(yè)中，對(duì)于一些專業(yè)的電力技術(shù)人員,，都知道的來歷及各種分類,。不過現(xiàn)在從事這一行的人越來越多，有的采購(gòu)人員對(duì)這方面還不是很了解,。有的客戶也經(jīng)常問起我們模塊的來歷?，F(xiàn)在就為大家分享一下：2晶閘管誕生后，其結(jié)構(gòu)的改進(jìn)和工藝的**,，為新器件的不斷出現(xiàn)提供了條件,。1964年，雙向晶閘管在GE公司開發(fā)成功,，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制,；1965年，小功率光觸發(fā)晶閘管出現(xiàn),，為其后出現(xiàn)的光耦合器打下了基礎(chǔ),；60年代后期，大功率逆變晶閘管問世,，成為當(dāng)時(shí)逆變電路的基本元件,；1974年，逆導(dǎo)晶閘管和非對(duì)稱晶閘管研制完成,。3普通晶閘廣泛應(yīng)用于交直流調(diào)速,、調(diào)光、調(diào)溫等低頻(400Hz以下)領(lǐng)域,，運(yùn)用由它所構(gòu)成的電路對(duì)電網(wǎng)進(jìn)行控制和變換是一種簡(jiǎn)便而經(jīng)濟(jì)的辦法,。不過，這種裝置的運(yùn)行會(huì)產(chǎn)生波形畸變和降低功率因數(shù),、影響電網(wǎng)的質(zhì)量,。目前水平為12kV/1kA和6500V/4000A。雙向晶閘可視為一對(duì)反并聯(lián)的普通晶閘管的集成,，常用于交流調(diào)壓和調(diào)功電路中,。正、負(fù)脈沖都可觸發(fā)導(dǎo)通,，因而其控制電路比較簡(jiǎn)單,。其缺點(diǎn)是換向能力差、觸發(fā)靈敏度低,、關(guān)斷時(shí)間較長(zhǎng),，其水平已超過2000V/500A。4光控晶閘是通過光信號(hào)控制晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通的器件,。 廣西質(zhì)量IGBT模塊貨源充足MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,。

    絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(Metallicoxidesemiconductorfieldeffecttransistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等高頻自關(guān)斷器件應(yīng)用的日益***,驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就顯得尤為重要。本文介紹了一種以CONCEPT公司的IGD515EI驅(qū)動(dòng)器為主要器件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路,適用于大功率,、高耐壓IGBT模塊串,、并聯(lián)電路的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)。通過光纖傳輸驅(qū)動(dòng)及狀態(tài)識(shí)別信號(hào),進(jìn)行高壓隔離傳輸,具有良好的抗電磁干擾性能和高于15A的驅(qū)動(dòng)電流,。因此,該電路適用于高壓大功率場(chǎng)合,。在隔離的高電位端,IGD515EI內(nèi)部的DC-DC電源模塊只需一路驅(qū)動(dòng)電源就能夠產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)所需的±15V電源。器件內(nèi)還包括功率管的過流和短路保護(hù)電路,以及信號(hào)反饋檢測(cè)功能,。該電路是一種性能優(yōu)異,、成熟的驅(qū)動(dòng)電路。2IGD515EI在剛管調(diào)制器中的應(yīng)用雷達(dá)發(fā)射機(jī)常用的調(diào)制器一般有三種類型:軟性開關(guān)調(diào)制器,、剛性開關(guān)調(diào)制器和浮動(dòng)板調(diào)制器,。浮動(dòng)板調(diào)制器一般用于控制極調(diào)制的微波電子管,而對(duì)于陰調(diào)的微波管則只能采用軟性開關(guān)調(diào)制器和剛性開關(guān)調(diào)制器。由于軟性開關(guān)調(diào)制器不易實(shí)現(xiàn)脈寬變化,故在陰調(diào)微波管發(fā)射機(jī)的脈寬要求變化時(shí),。

    不需要具體計(jì)算IAT,、IG之值，只要讀出二者所對(duì)應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù),，即可迅速估測(cè)關(guān)斷增益值,。晶體閘流管注意事項(xiàng)編輯（1）在檢查大功率GTO器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′,，以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流,，使GTO可靠地導(dǎo)通。（2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff,，必須有**測(cè)試設(shè)備,。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同,，測(cè)量結(jié)果*供參考,，或作為相對(duì)比較的依據(jù),。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài),。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓,、耐高溫,、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能,。例如,，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間*幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫,，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）,。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中,，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只,，不*使用方便，而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),。逆導(dǎo)晶閘管的符號(hào),、等效電路如圖1(a)、(b)所示,。其伏安特性見圖2,。由圖顯見，逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱性,，正向特性與普通晶閘管SCR相同,，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（*坐標(biāo)位置不同）。 柵極與任何導(dǎo)電區(qū)要絕緣,，以免產(chǎn)生靜電而擊穿,，所以包裝時(shí)將g極和e極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料，將它短接,。

    5）由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的,，有時(shí)對(duì)時(shí)間短、峰值高,、能量大的過電壓來不及放電,，抑制過電壓的效果較差。因此,，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件,。硒堆的特點(diǎn)是其動(dòng)作電壓和溫度有關(guān)，溫度越低耐壓越高；另外是硒堆具有自恢復(fù)特性,，能多次使用,，當(dāng)過電壓動(dòng)作后硒基片上的灼傷孔被溶化的硒重新覆蓋，又重新恢復(fù)其工作特性,。壓敏電阻是以氧化鋅為基體的金屬氧化物非線性電阻,，其結(jié)構(gòu)為兩個(gè)電極，電極之間填充的粒徑為10~50μm的不規(guī)則的ZNO微結(jié)晶,，結(jié)晶粒間是厚約1μm的氧化鉍粒界層。這個(gè)粒界層在正常電壓下呈高阻狀態(tài),，只有很小的漏電流,，其值小于100μA。當(dāng)加上電壓時(shí),，引起了電子雪崩,，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加,，泄漏了能量,，抑制了過電壓，從而使晶閘管得到保護(hù),。浪涌過后,，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來表示,。標(biāo)稱電壓：指壓敏電阻流過1mA直流電流時(shí),，其兩端的電壓值。通流容量：是用前沿8微秒,、波寬20微秒的波形沖擊電流,，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次,，標(biāo)稱電壓變化在-10[[[%]]]以內(nèi)的**大沖擊電流值來表示,。 裝配時(shí)切不可用手指直接接觸，直到g極管腳進(jìn)行連接,。貴州好的IGBT模塊代理商

三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,。新疆IGBT模塊銷售廠

    這要由具體的應(yīng)用和所使用的功率管決定。比較大柵極充電電流是±15A,充電電流由外接的柵極電阻限定,。如果將25腳G通過電阻直接與IGBT:G相連,IGBT的驅(qū)動(dòng)波形上升沿較大,但I(xiàn)GBT導(dǎo)通后上升較快,如圖2所示;圖2IGD515EI輸出端不加MOS管時(shí)IGBT的驅(qū)動(dòng)波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)如果在25腳與IGBT:G中間串入一只MOS管,進(jìn)行電流放大,可有效地減小IGBT驅(qū)動(dòng)波形的上升沿,縮短IGBT的導(dǎo)通過程,減小IGBT離散性造成的導(dǎo)通不一致性,減小動(dòng)態(tài)均壓電路的壓力,但I(xiàn)GBT導(dǎo)通后上升較慢,其波形如圖3所示,。圖3IGD515EI輸出端加MOS管時(shí)IGBT的驅(qū)動(dòng)波形(-14V~+12V,5V/p,5μs/p)(1)響應(yīng)時(shí)間電容和中斷時(shí)間電容選擇功率管,特別是IGBT的導(dǎo)通需要幾個(gè)微秒,因此功率管導(dǎo)通后要延遲一段時(shí)間才能對(duì)其管壓降進(jìn)行監(jiān)測(cè),以確定IGBT是否過流,這個(gè)延遲即為“響應(yīng)時(shí)間”。響應(yīng)時(shí)間電容CME的作用是和內(nèi)部Ω上拉電阻構(gòu)成數(shù)微秒級(jí)的延時(shí)ta,CME的計(jì)算方法如下:在IGBT導(dǎo)通以后,通過IGD515EI內(nèi)部的檢測(cè)電路對(duì)19腳的檢測(cè)電壓(IGBT的導(dǎo)通壓降)進(jìn)行檢測(cè),。若導(dǎo)通壓降高于設(shè)定的門限,則認(rèn)為IGBT處于過流工作狀態(tài),由IGD515EI的35腳送出IGBT過流故障信號(hào),經(jīng)光纖送給控制電路,將驅(qū)動(dòng)信號(hào)***一小段時(shí)間,。這段時(shí)間為截止時(shí)間tb。 新疆IGBT模塊銷售廠